包括反熔丝电路的半导体器件和向反熔丝电路写入地址的方法技术

本发明专利技术提供了一种包括反熔丝电路的半导体器件和向反熔丝电路写入地址的方法。根据本发明专利技术的反熔丝电路包括：反熔丝元件，以非易失的方式来保持数据；锁存电路，暂时地保持要被写入到反熔丝元件的数据。能够以纳秒的数量级执行对锁存电路的写入，因而，即使当各自不同的缺陷地址被写入到多个芯片时，可以在非常短的时间段完成对锁存电路的写过程。由此，可以对芯片并行地执行对反熔丝元件的写入的实际过程，结果，可以以高速执行对反熔丝元件的写入过程。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种反熔丝电路和包括该反熔丝电路的半导体器件，更具体来说，涉及一种能够高速向反熔丝元件进行写操作的反熔丝电路和包括该反熔丝电路的半导体器件。本专利技术还涉及一种向这样的反熔丝电路写入地址的方法。
技术介绍
在诸如DRAM (动态随机存取存储器)的半导体器件中，通过冗余单元来替代不能 正当操作的缺陷单元，以修复缺陷地址。在存储缺陷地址的过程中，通常地，使用熔丝元件(参见第H10-75170号和第2006-147651号日本专利申请公开)。处于初始状态的熔丝元件是导电的。当通过激光束照射来切割熔丝元件时，可以以非易失的方式存储缺陷地址。因此，当多个这样的熔丝元件被布置为切割期望的熔丝元件时，变得可以存储期望的地址。因此，传统的熔丝元件通过从导电状态变为绝缘状态，来以非易失的方式存储信息。另一方面，近来，称作“反熔丝元件”的元件引起了广泛的关注(第2004-227361号日本专利申请)。与传统的熔丝元件相反，反熔丝元件通过从绝缘状态变为导电状态来存储信息。通过施加高压导致的介质击穿来执行向反熔丝元件写入信息。因此，与传统的熔丝元件不同，当写入时，激光束的照射不是必须的。这导致了缺陷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有反熔丝电路、地址端子和数据端子的半导体器件，所述反熔丝电路包括：多个熔丝组，包括用于永久地存储数据的反熔丝元件；以及控制电路，将经由所述地址端子提供的缺陷地址写入到通过经由数据端子提供的修复设置地址所指定的熔丝组中的一个。

【技术特征摘要】
2007.10.29 JP 2007-280820;2007.10.29 JP 2007-28081.一种具有反熔丝电路、地址端子和数据端子的半导体器件，所述反熔丝电路包括 多个熔丝组，包括用于永久地存储数据的反熔丝元件；以及 控制电路，将经由所述地址端子提供的缺陷地址写入到通过经由数据端子提供的修复设置地址所指定的熔丝组中的一个。2.如权利要求I所述的半导体器件，其中 所述修复设置地址由在彼此不同的时间提供的多个数据来指定。3.如权利要求I所述的半导体器件，其中 所述缺陷地址由在彼此不同的时间提供的多个地址信号来指定。4.如权利要求I所述的半导体器件，其中每个熔丝组包括 多个位存储电路，存储所述缺陷地址； 使能电路，使存储在所述位存储电路中的所述缺陷地址有效；以及 禁止电路，使存储在所述位存储电路中的所述缺陷地址无效。5.如权利要求4所述的半导体器件，其中 所述使能电路具有与所述位存储电路的电路构造基本相同的电路构造。6.如权利要求I所述的半导体器件，还包括 存储单元阵列，其包括用于存储数据的多个单元和多个冗余单元，每个冗余单元替换所述单元中的缺陷单元， 其中，所述地址端子包括被从所述半导体器件的外部提供用于寻址所述多个单元之一的地址的端子，以及 其中，所述数据端子包括被从所述半导体器件的外部提供正被写入所述多个单元中的被寻址的一个单元之中的数据的端子。7.如权利要求6所述的半导体器件， 其中，所述缺陷地址包括用于寻址所述多个单元中的、正被经由所述地址端子从...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫武伸一，小川澄男，
申请(专利权)人：尔必达存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：