电子装置及其电子熔丝制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电子装置及其电子熔丝。电子熔丝包括晶体管以及电压选择器。晶体管的第一端接收电源电压，晶体管的第二端耦接至参考接地电压。电压选择器接收编程电压以及读取电压，并依据控制信号以选择编程电压或读取电压以传送至晶体管的控制端。其中，控制信号指示电子熔丝操作在编程模式或读取模式。电子熔丝操作在编程模式时，编程电压被提供至晶体管的控制端用以使晶体管的栅极氧化层发生破坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种电子装置及其电子熔丝。
技术介绍
请参照图1，图1示出现有技术的电子熔丝的电路图。现有的电子熔丝100包括电阻FUSE、晶体管Ml以及M2。电阻FUSE用以作为熔丝，并串接在编程电压FS0URCE以及晶体管Ml间。晶体管Ml的栅极接收电源电压VDD，晶体管M2的源、漏极则分别耦接至晶体管Ml的漏极以及参考接地电压GND间，晶体管M2的栅极接收编程控制信号BFUSE。在编程动作方面，当电子熔丝100进行编程动作时，编程控制信号BFUSE为高电压电平并使晶体管M2被导通，如此一来，编程电压FS0URCE可提供电流流经电阻FUSE以及晶体管Ml及M2。通过提供足够大电压的编程电压FS0URCE或使编程电压FS0URCE提供足够大的驱动电流，电阻FUSE可以被烧断已完成编程的动作。在对电子熔丝进行读取动作时，可使电阻FUSE接收编程电压FS0URCE的端点改连接至参考接地电压GND，且此时编程控制信号BFUSE为低电压电平并使晶体管M2被断开。在电阻FUSE有被烧断的条件下，读取端点ROUT会呈现高阻抗状态，而在电阻FUSE没有被烧断的条件下，读取端点ROUT上的电压值会等于参考接地电压GND。图1的电阻FUSE的烧断动作需要足够大的电流方能完成，相迭加的晶体管Ml及M2未配合通过编程时的驱动电流也需要相当大的布局面积，并且，被烧断的电阻FUSE也经常会发生恢复(recover)的现象，造成实际使用上诸多的不便利。
技术实现思路
本专利技术提供一种电子装置及其电子熔丝，可有效节省电路布局所需的面积。本专利技术另提供一种电子装置，其应用的电子熔丝的电路布局所需的面积可以有效的被减小。本专利技术的电子熔丝包括晶体管以及电压选择器。晶体管具有第一端、第二端以及控制端，其中，晶体管的第一端接收电源电压，晶体管的第二端耦接至参考接地电压。电压选择器接收编程电压以及读取电压，并依据控制信号以选择编程电压或读取电压以传送至晶体管的控制端。其中，控制信号指示电子熔丝操作在编程模式或读取模式。电子熔丝操作在编程模式时，编程电压被提供至晶体管的控制端用以使晶体管的栅极氧化层发生破坏。其中，读取电压为接地电压或电源电压。本专利技术的电子装置包括核心电路以及设定装置。设定装置耦接核心电路，并用以提供至少一设定码至核心电路。设定装置包括至少一电子熔丝，电子熔丝则包括晶体管以及电压选择器。晶体管具有第一端、第二端以及控制端，其中，晶体管的第一端接收电源电压，晶体管的第二端耦接至参考接地电压。电压选择器接收编程电压以及读取电压，并依据控制信号以选择编程电压或读取电压以传送至晶体管的控制端。其中，控制信号指示电子熔丝操作在编程模式或读取模式。电子熔丝操作在编程模式时，编程电压被提供至晶体管的控制端用以使晶体管的栅极氧化层发生破坏。其中，读取电压为接地电压或电源电压。其中，电子熔丝在读取模式下，设定码依据晶体管的第一、二端间的电流而产生，且设定码被提供至核心电路以对核心电路进行功能设定。基于上述，本专利技术提出的电子熔丝通过晶体管来构成，并配合简单的电压选择器就可以完成建构。而通过破坏晶体管的栅极氧化层来进行编程动作，可以防止现有技术的电阻熔丝可能发生烧断后又恢复的现象。并且，相较于现有技术的电阻熔丝，编程电压的可以不需要过高的电压值，且也不需要提供过大的电流驱动能力，无论是在制作的成本上或是复杂度上，都可以大幅的降低。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。【附图说明】图1示出现有技术的电子熔丝的电路图；图2示出本专利技术一实施例的电子熔丝的示意图；图3示出本专利技术实施例的电压选择器的实施方式示意图；图4示出本专利技术实施例的电压选择器的另一实施方式示意图；图5A示出本专利技术实施例的电子熔丝在读取模式下的一实施方式的示意图；图5B示出本专利技术实施例的电子熔丝在读取模式下的另一实施方式的示意图；图6示出本专利技术实施例的电子装置的示意图。附图标记说明:100、200、500、621:电子熔丝；Ml?M3:晶体管；210、211、212:电压选择器；VDD:电源电压；FS0URCE:编程电压；CTR:控制信号；GND:参考接地电压；BFUSE:编程控制信号；ROUT:读取端点；SW1、SW2:开关；CTR1、CTR2:控制信号；IT1、IT2:输入端；0T、S0UT:输出端；RD:电阻；FOUT:读取信息；VREAD:读取电压；600:电子装置；610:核心电路；620:设定装置；CODE:设定码。【具体实施方式】请参照图2，图2示出本专利技术一实施例的电子熔丝的示意图。电子熔丝200包括晶体管M3以及电压选择器210。晶体管M3具有第一端、第二端以及控制端。其中，晶体管M3的第一端(即源极)接收电源电压VDD，晶体管M3的第二端(即漏极)耦接至参考接地电压GND。晶体管M3的控制端(即栅极)则耦接至电压选择器210的输出端。电压选择器210接收编程电压FS0URCE以及参考接地电压GND。电压选择器210并依据控制信号CTR以选择编程电压FS0URCE或读取电压VREAD以传送至晶体管M3的控制端。细节来说明，控制信号CTR可用来指示电子熔丝200是操作在编程模式或读取模式。当控制信号CTR指示电子熔丝200是操作在编程模式下时，电压选择器210可依据控制信号CTR选择编程电压FS0URCE以提供至晶体管M3的控制端。相对的，当控制信号CTR指示电子熔丝200是操作在读取模式下时，电压选择器210可依据控制信号CTR选择读取电压VREAD以提供至晶体管M3的控制端。在当电子熔丝200操作在编程模式下时，选择编程电压FS0URCE被提供至晶体管M3的控制端，并使晶体管M3的栅极氧化层发生破坏。在此请注意，在当晶体管M3为N型增强式金氧半场效晶体管时，晶体管M3的基极(bulk)接收参考接地电压GND，编程电压FS0URCE的电压值则可为高于电源电压VDD的电压值。举例来说，在55纳米的制作过程中，编程电压FS0URCE的电压值约为3?4伏特就足以使晶体管M3的栅极氧化层产生破坏。相对的，在当晶体管M3为P型增强式金氧半场效晶体管时，晶体管M3的基极接收电源电压VDD，而编程电压FS0URCE的电压值可以等于参考接地电压GND的电压值或为小于参考接地电压GND的负的电压值，并通过晶体管M3的栅极(控制端)与基极间的电压差来使晶体管M3的栅极氧化层产生破坏。另外，在当电子熔丝200操作在读取模式下时，电压选择器210改提供读取电压VREAD至晶体管M3的控制端。若电子熔丝200是经过编程过程的，晶体管M3因其栅极氧化层以被破坏，而导致通道无法被有效的关闭，因此，晶体管M3的第一端以及第二端间将会有电流通过。相对的，若电子熔丝200是未经过编程过程的，晶体管M3的通道将被有效的关闭，因此，晶体管M3的第一端以及第二端间将不会有电流通过。由上述说明可以得知，在当电子熔丝200操作在读取模式下时，可以通过检测晶体管M3的第一端及第二端间的电流状态来获知电子熔丝200的状态信息。附带一提的，当晶体管M3为N型增强式金氧半场效晶体管时，读取电压VREAD可以被设定等于参考接地电压GND，而当晶体管M3为P型增强式金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子熔丝，其特征在于，包括：一晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其中，该晶体管的第一端接收一电源电压，该晶体管的第二端耦接至一参考接地电压；以及一电压选择器，接收一编程电压以及一读取电压，并依据一控制信号以选择该编程电压或该读取电压以传送至该晶体管的控制端，其中，该控制信号指示该电子熔丝操作在一编程模式或一读取模式，该电子熔丝操作在该编程模式时，该编程电压被提供至该晶体管的控制端用以使该晶体管的栅极氧化层发生破坏，该读取电压为该接地电压或该电源电压。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈哲宏，
申请(专利权)人：密克罗奇普技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US