具有高发射率涂层的大型真空腔室主体的电子束熔接制造技术

本发明专利技术所揭示的实施方式与已熔接在一起的大型真空腔室主体有关。腔室主体在所述腔室主体中至少一个表面上具有高发射率涂层。由于腔室主体的大型尺寸，腔室主体是通过将数个部件熔接在一起而形成，而非以单一金属部件来锻造主体。这些部件在与主体的弯处相隔的一位置处熔接在一起，所述位置在排空期间为最大应力处，以确保可能是主体中最弱点的熔接不会失效。腔室主体的至少一个表面可涂覆有高发射率涂层，以助于来自进入的受热基板的热传递。所述高发射率涂层可通过减少降低基板温度所需时间而增加基板产量。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2009年11月9日、申请号为200980145539.3、名称为“具有高发射率涂层的大型真空腔室主体的电子束熔接”的专利技术专利申请的分案申请。专利技术背景专利
本专利技术揭露的实施方式一般涉及具有高发射率涂层以增加来自进入基板的热传递的大型真空腔室主体，以及经电子束熔接在一起的大面积真空腔室主体。相关技术的描述为将基板从大气环境带入真空环境，基板会通过晶片承载腔室(load lock chamber)。为了避免基本压力改变，在从处理系统外部将基板置入晶片承载腔室时，最好是使晶片承载腔室通至大气，并在基板置于所述晶片承载腔室中后排空。在处理之前会通过晶片承载腔室的基板包括有半导体晶片、平板型显示器基板、太阳能板基板以及有机发光显示器基板。基板产量永远是一项考虑。业界总是在寻求增加基板产量并减少设施停工期的方式。如能越快处理基板，则每一小时即可处理更多的基板。对基板进行的处理会影响基板的产量，而处理之间所发生的事件也会影响基板的产量。举例而言，将基板置于腔室中所耗费的时间量会影响基板的产量。因此，连晶片承载腔室都会影响基板产量，因为上述晶片承载腔室保持在真空状态以避免基本压力改变。然而，当基板置入晶片承载腔室时，晶片承载腔室也会与大气交界。因此，晶片承载腔室也会花费时间而从真空状态变为排空状态。故，晶片承载腔室会影响基板产量。因此，本领域中需要一种可增加基板产量的晶片承载腔室。专利技术概要本专利技术所述的实施方式与一种已经熔接在一起的大型真空腔室主体有关。腔室主体在所述腔室主体中的至少一个表面上具有高发射率涂层。由于是大型尺寸的腔室主体，腔室主体可通过将数个部件熔接在一起而形成，而非以单一金属部件来锻造主体。这些部件在与主体的弯处相隔的一位置处熔接在一起，所述位置在排空期间处于最大应力处，以确保可能是主体中最弱点的熔接不会失效。腔室主体的至少一个表面可涂覆有高发射率涂层，以助于来自进入的受热基板的热传递。所述高发射率涂层可藉由减少降低基板温度所需时间而增加基板产量。在一个实施方式中，揭露了一种晶片承载腔室主体。腔室主体包含多个部件，多个部件耦接在一起以共同形成腔室主体，所述腔室主体具有含四个弯处的内部表面。腔室主体另包含第一部件、第二部件、第三部件与第四部件。第一部件包含：第一部分及延伸通过第一部分的第一开口，第一部分具有大于第一宽度的第一长度，以及包含第一凸缘，第一凸缘在与第一宽度实质垂直的方向上自第一部分延伸第一距离。第一凸缘自四个弯处中的第一弯处延伸。第一部件也包括第二凸缘，第二凸缘在与第一宽度实质垂直的方向上自第一部分延伸第二距离。第二凸缘自四个弯处中的第二弯处延伸。第二部件耦接至第一凸缘并在与第一宽度实质垂直的方向上延伸。第三部件耦接至第二凸缘并在与第一宽度实质垂直且与第二部件平行的方向上延伸。第四部件耦接至第二部件与第三部件。第四部件包含：第二部分及延伸通过第二部分的第二开口，第二部分具有大于第二宽度的第二长度；也包含第三凸缘，第三凸缘在与第二宽度实质垂直的方向上自第二部分延伸第三距离。第四部件另包含第四凸缘，第四凸缘在与第二宽度实质垂直的方向上自第二部分延伸第四距离。在另一个实施方式中，揭露了一种用于制造晶片承载腔室主体的方法，晶片承载腔室主体具有外部表面以及含多个弯处的内部表面。所述方法包含：放置第一部件相邻于第二部件且以一间隙相隔开，辐照电子束至间隙中以及将第二部件熔接至第一凸缘。第一部件包含第一部分，所述第一部分具有第一长度与小于第一长度的第一宽度。第一部件亦包含第一凸缘，所述第一凸缘在与第一宽度实质垂直的方向上自第一部分延伸第一距离，使得第一凸缘与第一部分在所述多个弯处中的第一弯处处会合。第一凸缘与第二部件相隔一间隙。在另一个实施方式中，揭露了一种晶片承载腔室。腔室包含：顶部平板、相对于顶部平板配置的底部平板以及耦接至顶部平板与底部平板的第一侧部平板。腔室也包含第二侧部平板，所述第二侧部平板耦接至顶部平板与底部平板，且相对于第一侧部平板而配置。腔室也包含第一狭缝阀平板，所述第一狭缝阀平板耦接至顶部平板、底部平板、第一侧部平板与第二侧部平板，且具有通过第一狭缝阀平板的开口。腔室也包含第二狭缝阀平板，所述第二狭缝阀平板耦接至顶部平板、底部平板、第一侧部平板与第二侧部平板。第二狭缝阀平板相对于第一狭缝阀平板而配置且具有通过第二狭缝阀平板的开口。顶部平板、底部平板、第一与第二侧部平板以及第一与第二狭缝阀平板共同围绕腔室空间。腔室也包括涂层，所述涂层配置在顶部平板与底部平板中的至少一个上。涂层具有在摄氏599度测得为大于0.19的第一发射率。附图简单说明为使本专利技术的上述特征得以更详细被了解，已参照实施方式而更具体说明以上所简述的专利技术，其中部分实施方式示出在附图中。然而，应知附图仅为说明本专利技术的典型实施方式，而非用于限制本专利技术的范畴，本专利技术亦允许其它等效实施方式。图1为根据本专利技术一个实施方式的三槽式晶片承载腔室100的截面图。图2为根据一个实施方式的晶片承载腔室的分解等角视图。图3A为耦接在一起的晶片承载腔室侧壁的等角视图。图3B为图3A的上视图。图4为根据一个实施方式的晶片承载腔室的接合位置的等角视图。图5A为将熔接在一起以形成晶片承载腔室主体的一部分的两个部件的等角视图。图5B为图5A中所示的两个部件熔接在一起后的等角视图。图5C为从另一角度所见的图5B的等角视图。图6为根据一个实施方式的涂覆腔室表面的示意上视图。图7为根据另一个实施方式的涂覆腔室表面的等角视图。为助于理解，尽可能使用相同的元件符号来表示各图式中相同的元件。应知在一个实施方式中所揭示的元件也可用于其它实施方式，无须另行特定说明。具体描述本专利技术所揭露的实施方式与已经熔接在一起的大型真空腔室主体有关。腔室主体在所述腔室主体中的至少一个表面上具有高发射率涂层。由于是大型尺寸的腔室主体，腔室主体可通过将数个部件熔接在一起而形成，而非以单一金属部件来锻造主体。这些部件可在与主体的弯处相隔的位置处熔接在一起，所述位置在排空期间处于最大应力处，以确保可能是主体中最弱点的熔接不会失效。腔室主体的至少一个表面可涂覆有高发射率涂层，以助于来自进入的受热基板的热传递。高发射率涂层可通过减少降低基板温度所需的时间而增加基板产量。以下所揭示的实施方式是关于加州圣克拉拉应用材料公司的子公司AKT America公司的三槽式晶片承载腔室。本专利技术虽以三槽式晶片承载腔室加以说明，应了解本专利技术也可实施于其它真空腔室，包括由其它制造商所生产的真空腔室。图1为根据一个实施方式的三槽式晶片承载腔室100的截面图。晶片承载腔室100包括腔室主体102，腔室主体102围绕三个独立的腔室空间104、106与108。腔室空间104、106与108可彼此电绝缘，且彼此为大气隔离。腔室空间104可具有狭缝阀门118，狭缝阀门118可开启与关闭以使基板112进出大气侧140的腔室空间104。另一个狭缝阀门120可开启与关闭以使基板112可以进出真空侧138的腔室空间104。在图1所示的实施方式中，在狭缝阀门120开启时，机器人端效器(robot end effector)114位于真空侧138的腔室空间104中。因为腔室空间104对真空侧138开启，因此腔室空间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种腔室主体，所述腔室主体包含多个部件，所述多个部件耦接在一起以共同形成具有含四个弯处的内部表面的所述腔室主体，所述腔室主体包含：第一部件，包含：第一部分和延伸通过所述第一部分的第一开口，所述第一部分具有大于第一宽度的第一长度；第一凸缘，所述第一凸缘在与所述第一宽度实质垂直的方向上自所述第一部分延伸第一距离，所述第一凸缘自所述四个弯处中的第一弯处延伸；以及第二凸缘，所述第二凸缘在与所述第一宽度实质垂直的方向上自所述第一部分延伸第二距离，所述第二凸缘自所述四个弯处中的第二弯处延伸；第二部件，所述第二部件耦接至所述第一凸缘并在与所述第一宽度实质垂直的方向上延伸；第三部件，所述第三部件耦接至所述第二凸缘并在与所述第一宽度实质垂直且与所述第二部件平行的方向上延伸；第四部件，所述第四部件耦接至所述第二部件与所述第三部件，所述第四部件包含：第二部分和延伸通过所述第二部分的第二开口，所述第二部分具有大于第二宽度的第二长度；第三凸缘，所述第三凸缘在与所述第二宽度实质垂直的方向上自所述第二部分延伸第三距离；以及第四凸缘，所述第四凸缘在与所述第二宽度实质垂直的方向上自所述第二部分延伸第四距离。

【技术特征摘要】
2008.11.14 US 61/114,871;2009.08.03 US 12/534,5341.一种腔室主体，所述腔室主体包含多个部件，所述多个部件耦接在一起以共同形成具有含四个弯处的内部表面的所述腔室主体，所述腔室主体包含：第一部件，包含：第一部分和延伸通过所述第一部分的第一开口，所述第一部分具有大于第一宽度的第一长度；第一凸缘，所述第一凸缘在与所述第一宽度实质垂直的方向上自所述第一部分延伸第一距离，所述第一凸缘自所述四个弯处中的第一弯处延伸；以及第二凸缘，所述第二凸缘在与所述第一宽度实质垂直的方向上自所述第一部分延伸第二距离，所述第二凸缘自所述四个弯处中的第二弯处延伸；第二部件，所述第二部件耦接至所述第一凸缘并在与所述第一宽度实质垂直的方向上延伸；第三部件，所述第三部件耦接至所述第二凸缘并在与所述第一宽度实质垂直且与所述第二部件平行的方向上延伸；第四部件，所述第四部件耦接至所述第二部件与所述第三部件，所述第四部件包含：第二部分和延伸通过所述第二部分的第二开口，所述第二部分具有大于第二宽度的第二长度；第三凸缘，所述第三凸缘在与所述第二宽度实质垂直的方向上自所述第二部分延伸第三距离；以及第四凸缘，所述第四凸缘在与所述第二宽度实质垂直的方向上自所述第二部分延伸第四距离。2.如权利要求1所述的腔室主体，其中所述第一凸缘具有小于所述第一宽度的宽度，且所述第一凸缘的宽度与所述第二部件的宽度实质相等，且其中所述四个弯处中至少一个弯处经磨圆。3.如权利要求2所述的腔室主体，更包含：第一平板，所述第一平板耦接至所述第一部件、所述第二部件、所述第三部件与所述第四部件；第二平板，所述第二平板耦接至所述第一部件、所述第二部件、所述第三部件与所述第四部件，使得所述第一平板、所述第二平板、所述第一部件、所述第二部件、所述第三部件与所述第四部件共同围绕腔室空间；以及涂层，所述涂层配置于所述第一平板与所述第二平板中至少一个上，所述涂层具有的发射率高于所述第一部件、所述第二部件、所述第三部件与所述第四部件中至少一个的发射率。4.如权利要求3所述的腔室主体，其中所述涂层具有于摄氏599度测得为大于0.19的发射率以及低于约4％的反射率，且其中所述涂层包含铝。5.一种用于制造腔室主体的方法，所述腔室主体具有外部表面以及具有多个弯处的内部表面，所述方法包含以下步骤：放置第一部件于与第二部件相邻处，所述第一部件包含：第一部分，所述第一部分具有第一长度和小于所述第一长度的第一宽度；以及第一凸缘，所述第一凸缘在与所述第一宽度实质垂直的方向上自所述第一部分延伸第一距离，使得所述第一凸缘与所述第一部分会合在所述多个弯处中的第一弯处，所述第一凸缘与所述第二部件相隔一间隙；辐照电子束至所述间隙中；以及将所述第二部件熔接至所述第一凸缘。6.如权利要求5所述的方法，其中所述第一凸缘与所述第一部分构成单一结构，且其中所述电子束自所述外部表面辐照至所述间隙中。7.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗田真一，梅兰·贝德亚特，稻川真，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US