【技术实现步骤摘要】
本公开内容的实施方式大体涉及基板处理设备。
技术介绍
1、处理配件屏蔽件可用于例如物理气相沉积(pvd)腔室中，以将处理空间与非处理空间分开。在被配置为在基板上沉积铝的pvd腔室中，处理配件屏蔽件可由例如不锈钢(sst)制造。由于在处理期间沉积于处理配件屏蔽件上的铝层能从基部sst屏蔽件材料蚀刻掉，因此sst处理配件屏蔽件可以循环利用多次。然而，相比于传统的铝沉积处理，本专利技术人一直致力于使用显著增加的处理功率和沉积时间来在基板上沉积相对厚的铝膜。
2、对于高沉积处理，在处理配件上的沉积物累积显著积聚到所述沉积物能积聚到基板背面的程度。此时，沉积物可能粘附或粘在基板背面，这会导致基板的处置问题及引起基板破裂。
3、因此，本专利技术人提供了如本文所揭露的改良的处理配件的实施方式。
技术实现思路
1、本文提供处理配件及包含所述处理配件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理配件包括沉积环，所述沉积环被配置为设置在基板支撑件上，所述基板支撑件被设计为用于支撑具有给定宽度的基板，所述沉积环包含：环形带，所述环形带被配置而放置在所述基板支撑件的下突出部分上；内唇，所述内唇从所述环形带的内缘向上延伸，其中所述内唇的内表面与所述环形带的内表面一起形成具有小于所述给定宽度的宽度的中央开口，并且其中所述环形带的上表面与所述内唇的上表面之间的深度是介于约24mm与约38mm之间；通道，所述通道设置在所述环形带的径向外侧；及外唇，所述外唇向上延伸且设置在所述通道的径向外侧。
2、在一些实施方式中，处理配件包括沉积环和夹持组件，所述沉积环被配置而设置在基板支撑件上，所述基板支撑件被设计为用于支撑具有给定宽度的基板，所述沉积环包含：环形带，所述环形带被配置为搁置在所述基板支撑件的下突出部分上；内唇，所述内唇从所述环形带的内缘向上延伸，其中所述内唇的内表面与所述环形带的内表面一起形成具有小于所述给定宽度的宽度的中央开口，并且其中所述环形带的上表面与所述内唇的上表面之间的深度是介于约24mm与约38mm之间；通道，所述通道设置在所述环形带的径向外侧；及外唇，所述外唇向上延伸且设置在所述通道的径向外侧；所述夹持组件包含底板和两个或更多个夹具，所述底板与所述基板支撑件耦接，所述两个或更多个夹具从所述底板向上延伸而与所述沉积环接合以防止所述沉积环的垂直运动。
3、在一些实施方式中，处理配件包括沉积环和夹持组件，所述沉积环被配置而设置在基板支撑件上，所述基板支撑件被设计为用于支撑具有给定宽度的基板，所述沉积环包含：环形带，所述环形带被配置为搁置在所述基板支撑件的下突出部分上；内唇，所述内唇从所述环形带的内缘向上延伸，其中所述内唇的内表面与所述环形带的内表面一起形成具有小于所述给定宽度的宽度的中央开口，并且其中所述环形带的上表面与所述内唇的上表面之间的深度是介于约24mm与约38mm之间；通道，所述通道设置在所述环形带的径向外侧；及外唇，所述外唇向上延伸且设置在所述通道的径向外侧；所述夹持组件包含底板和两个或更多个夹具，所述底板与所述基板支撑件耦接，所述两个或更多个夹具从所述底板向上延伸而与所述沉积环接合以防止所述沉积环的垂直运动，其中所述两个或更多个夹具的每一个包括臂及向下突出的唇部，所述臂径向向内延伸，所述向下突出的唇部从所述臂延伸至所述沉积环的所述通道中。
4、本公开内容的其他和进一步的实施方式描述于下。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种处理配件，包括：
2.如权利要求1所述的处理配件，进一步包括：
3.如权利要求2所述的处理配件，其中所述单件式处理配件屏蔽件进一步包括：
4.如权利要求1至3中任一项所述的处理配件，进一步包括：
5.如权利要求4所述的处理配件，其中所述两个或更多个夹具的每一个包括臂和向下突出的唇部，所述臂径向向内延伸，所述向下突出的唇部从所述臂延伸至所述沉积环的所述通道中。
6.一种处理腔室，包括：
7.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述处理配件包括所述单件式处理配件屏蔽件，其中所述单件式处理配件屏蔽件的配接器部由所述腔室壁支撑。
8.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述环形带的厚度从所述环形带的外缘到所述环形带的内缘不是保持恒定就是连续增大。
9.如权利要求6所述的处理腔室，进一步包括：
10.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述两个或更多个夹具的每一个包括臂和向下突出的唇部，所述臂径向向内延伸，所述向下突出的唇部从所述臂延伸至所述沉积环的所述通道中。
【技术特征摘要】
1.一种处理配件，包括：
2.如权利要求1所述的处理配件，进一步包括：
3.如权利要求2所述的处理配件，其中所述单件式处理配件屏蔽件进一步包括：
4.如权利要求1至3中任一项所述的处理配件，进一步包括：
5.如权利要求4所述的处理配件，其中所述两个或更多个夹具的每一个包括臂和向下突出的唇部，所述臂径向向内延伸，所述向下突出的唇部从所述臂延伸至所述沉积环的所述通道中。
6.一种处理腔室，包括：
7.如权利要求6...
【专利技术属性】
技术研发人员：威廉·约翰森，希兰库玛·萨万戴亚，阿道夫·米勒·艾伦，王新，帕拉沙特·帕布，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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