【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容的实施方式一般是关于基板处理设备的。
技术介绍
1、诸多微电子组件制造工艺经由处理腔室执行，例如，在基板上形成薄层材料，或涂覆用于微电子组件制作的零件或部件。处理腔室可以为沉积腔室，例如原子层沉积(atomiclayer deposition；ald)腔室。处理腔室通常包括腔室主体及安置在此腔室主体上的盖件，以限定其中的内部容积。o形环可安置在腔室主体与盖件之间的界面处。喷淋头可耦接到盖件上，并安置在内部容积中，以提供一种或多种工艺气体，以促进薄层材料的沉积。喷淋头可能需要加热到一定的温度才能执行特定的沉积工艺。可加热盖件，将喷淋头加热到所需的温度。然而，盖件外周的高温可能会损害安置在腔室主体与盖件之间的o型环的完整性。此外，盖件外周处的高温导致盖件外侧壁的热量损失增加。
2、因此，专利技术者提供了改进的加热式盖件，用于处理腔室。
技术实现思路
1、本文提供了用于处理腔室的加热式盖件的实施方式。在一些实施方式中，一种用于处理腔室的加热式盖件包括：主体，具有中心区域及周边区域，其中主体包括中心区域中的中心开口，其中周边区域包括延伸进主体上表面并沿圆形布置以提供热隔断的多个垂直狭槽，且其中主体包括延伸进主体上表面的一个或多个环形气室，及穿过一或多个环形气室的底表面延伸至主体下表面的多个孔；第一加热器环，具有安置在其中的一个或多个加热组件，其中第一加热器环耦接到主体的中心区域；及第二加热器环，具有安置在其中的一个或多个加热组件，其中第二加热器环耦接到主体的中心区域，
2、在一些实施方式中，一种用于处理腔室的加热式盖件包括：主体，具有中心区域及周边区域，其中主体包括中心区域中的中心开口，其中周边区域包括从主体的上表面延伸以提供热隔断的多个垂直狭槽及从主体的外侧壁延伸至多个垂直狭槽径向向外的位置以提供热隔断的多个水平狭槽；第一加热器环，具有安置在其中的一个或多个加热组件，其中第一加热器环耦接到主体的中心区域；及第二加热器环，具有安置在其中的一个或多个加热组件，其中第二加热器环耦接到主体的中心区域，并径向地安置在第一加热器环的外侧。
3、在一些实施方式中，一种处理腔室包括：腔室主体；及加热式盖件，耦接到腔室主体，其中腔室主体及加热式盖件定义了其中的内部容积，且其中加热式盖件包含：主体，具有中心区域及周边区域，其中主体包括中心区域中的中心开口，其中周边区域包括从主体上表面延伸的多个垂直狭槽，且其中主体包括从主体上表面延伸的外部环形气室，及从一个或多个环形气室的底表面延伸至主体下表面的多个供气开口；帽，覆盖外部环形气室，其中帽包括一个或多个进气孔；及第一加热器环，具有安置在其中的一个或多个加热组件，其中第一加热器环耦接到主体的中心区域；及喷淋头，安置在内部容积中，并耦接至加热式盖件。
4、下文描述了本公开内容的其他及进一步实施方式。
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1.一种处理腔室加热式盖件，包含：
2.如权利要求1所述的加热式盖件，其中多个水平狭槽从该加热式盖件的外侧壁延伸到这些垂直狭槽径向向外的位置。
3.如权利要求2所述的加热式盖件，其中这些水平狭槽沿垂直间隔的两个或更多个圆形列布置。
4.如权利要求2所述的加热式盖件，其中这些水平狭槽布置在多个狭槽群集中，且其中该些狭槽群集围绕该主体以固定间隔安置。
5.如权利要求1至4中任一项所述的加热式盖件，其中一个或多个环形气室包括一个或多个内部环形气室及外部环形气室，该外部环形气室径向安置在该一个或多个内部环形气室外部。
6.如权利要求1至4中任一项所述的加热式盖件，进一步包含安置在该一个或多个环形气室中每一者内的帽，其中该帽包括一个或多个进气孔。
7.如权利要求1至4中任一项所述的加热式盖件，其中该加热式盖件包括在该主体周边区域向下延伸的侧壁，且其中这些垂直狭槽延伸进该侧壁。
8.如权利要求1至4中任一项所述的加热式盖件，进一步包含耦接到该主体的中心歧管，且该中心歧管具有进料块及中心进料挡板，该中心进料挡板
9.如权利要求1至4中任一项所述的加热式盖件，其中该第一加热器环安置在该主体的第一环形通道中，且该第二加热器环安置在该主体的第二环形通道中。
10.如权利要求1至4中任一项所述的加热式盖件，其中该一个或多个环形气室由一个环形气室组成。
11.如权利要求1至4中任一项所述的加热式盖件，进一步包含覆盖该第一加热器环及该第二加热器环的中心帽。
12.如权利要求11所述的加热式盖件，其中所述中心帽具有两件式结构，包含第一部分及第二部分。
13.如权利要求1至4中任一项所述的加热式盖件，进一步包含安置在该第一加热器环与该主体之间的第一导电环及安置在该第二加热器环与该主体之间的第二导电环。
14.如权利要求1至4中任一项所述的加热式盖件，其中该主体、该第一加热器环、及该第二加热器环由铝制成。
15.一种处理腔室，包含：
16.如权利要求15所述的处理腔室，进一步包括覆盖一个或多个环形气室的帽，其中该帽包括一个或多个进气孔。
17.如权利要求15所述的处理腔室，进一步包含流体耦接到该一个或多个进气孔的供气装置。
18.如权利要求15所述的处理腔室，进一步包含耦接到该主体的中心歧管，且该中心歧管具有进料块及中心进料挡板，该中心进料挡板安置在具有锥形中心开口的该进料块中。
19.如权利要求15所述的处理腔室，进一步包含安置在该腔室与该加热式盖件之间的O型环。
20.如权利要求15所述的处理腔室，进一步包含耦接至该加热式盖件的该中心开口的远程等离子体源。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种处理腔室加热式盖件，包含：
2.如权利要求1所述的加热式盖件，其中多个水平狭槽从该加热式盖件的外侧壁延伸到这些垂直狭槽径向向外的位置。
3.如权利要求2所述的加热式盖件，其中这些水平狭槽沿垂直间隔的两个或更多个圆形列布置。
4.如权利要求2所述的加热式盖件，其中这些水平狭槽布置在多个狭槽群集中，且其中该些狭槽群集围绕该主体以固定间隔安置。
5.如权利要求1至4中任一项所述的加热式盖件，其中一个或多个环形气室包括一个或多个内部环形气室及外部环形气室，该外部环形气室径向安置在该一个或多个内部环形气室外部。
6.如权利要求1至4中任一项所述的加热式盖件，进一步包含安置在该一个或多个环形气室中每一者内的帽，其中该帽包括一个或多个进气孔。
7.如权利要求1至4中任一项所述的加热式盖件，其中该加热式盖件包括在该主体周边区域向下延伸的侧壁，且其中这些垂直狭槽延伸进该侧壁。
8.如权利要求1至4中任一项所述的加热式盖件，进一步包含耦接到该主体的中心歧管，且该中心歧管具有进料块及中心进料挡板，该中心进料挡板安置在具有锥形中心开口的该进料块中。
9.如权利要求1至4中任一项所述的加热式盖件，其中该第一加热器环安置在该主体的第一环形通道中，且该第二加热器环安置在该主体的第二环形通道中。
10.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·P·赫里马斯，哈尼什·库马尔·帕嫐瓦雷皮力·库马尔安库提，K·奈纳·尚穆甘，马杜卡尔·克里什纳，斯里哈尔沙·达尔马普拉·撒斯亚纳拉亚纳姆西，斯里哈里什·斯里尼瓦桑，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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