承载装置制造方法及图纸

一种承载装置，适用于承载多片晶圆，该承载装置包含一底板、多个限位柱及一顶板。所述限位柱自该底板向上延伸，该底板及所述限位柱共同界定出一限位空间以容置所述晶圆且使所述晶圆上下对齐地堆叠，并由所述限位柱将所述晶圆在水平方向限位，该顶板连接于所述限位柱顶端，且遮盖该限位空间的顶侧。通过顶板与所述限位柱连接，使所述限位柱不会在输送晶圆或是在扩散制程中被晶圆推挤而倾斜，进而避免所述堆叠晶圆倾斜。此外，限位块提供一下压力，可抑制晶圆在扩散制程中浮动。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种承载装置，特别是涉及一种用于输送晶圆的承载装置。
技术介绍
现有的硅晶圆的主要材料为硅，高纯度的硅是一种电阻高且耐高温的材料，透过扩散制程将硼或磷等元素掺杂进硅晶圆即可改变硅晶圆的电阻，将纯硅从一个高电阻的材料改造成一个受控导电且耐高温的电子元件。为了制造不同功能的电子元件，已发展出多种扩散方法，例如，透过气体将硼及磷掺杂至晶圆，以及以硼纸及磷纸接触晶圆而透过高温将硼及磷原子掺杂进硅晶圆。在进行该硼、磷纸扩散制程之前，必须先将硼、磷纸夹设于堆积成叠的各片大小相同的晶圆之间，并将该叠晶圆以及夹设于各晶圆之间的硼、磷纸摆置于一承载装置，并连同该承载装置输送进高温炉中，进行硼磷纸扩散制程。现有的承载装置包括一底板及四支由该底板向上延伸的直柱，该底板及所述直柱共同形成一供该叠晶圆片摆放的容置空间。所述堆积成叠的晶圆片放置于该底板上，所述直柱紧迫邻近该叠晶圆片的外周侧以使所述晶圆片在该承载装置中形成一上下对齐的堆叠型态。然而，现有的承载装置结构强度低，仅能乘载少量的晶圆片，晶圆片的数量太多会以其过重的重量压迫所述直柱而破坏所述直柱与底板的连结，进一步导致该叠晶圆片的倾斜滑移，使各片晶圆的反应不均，各晶圆片出现碎边、破片或是产生影响良率的副产物，该叠晶圆就不能再被使用。再者，各片晶圆之间非完全密合而具有供炉内的气体进入的缝隙，在高温环境(1200度至1300度)下硼、磷纸便燃烧并使各个晶圆向上浮动，而进一步增强所述直柱被推挤的力道，使得所述直柱更容易倾斜而影响该制程的良率。根据统计，在扩散制程(制程时间约为20至40小时之间)中成叠的晶圆片倾斜的机率高达63％，已严重影响良率，因此，如何避免成叠的晶圆在扩散制程中倾斜，为一必须解决的课题。再者，扩散制程中各个晶圆的浮动导致各个晶圆 之间的缝隙扩大，扩散速度较快的磷离子因而能侵入硼的扩散区，则晶圆与硼纸的反应受干扰并且增生损坏所述晶圆的副产物。因此，如何避免晶圆浮动是另一需被解决的问题。此外，在高温扩散炉中，所述晶圆除了会跟硼、磷纸反应，也会跟相邻元件反应而相互沾粘，导致相邻元件受损而无法重复被使用，因此，如何避免晶圆跟相邻元件反应亦为本新型欲解决的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种能避免成叠的晶圆在扩散制程中倾斜的承载装置。本技术的另一目的，即在提供一种能避免晶圆浮动的承载装置。本技术的再一目的，即在提供一种能避免晶圆跟相邻元件反应的承载装置。本技术承载装置，适用于承载多片晶圆，该承载装置包含一底板、多个限位柱及一顶板。所述限位柱自该底板向上延伸，该底板及所述限位柱共同界定出一限位空间以容置所述晶圆且使所述晶圆上下对齐地堆叠，并由所述限位柱将所述晶圆在水平方向限位，该顶板连接于所述限位柱顶端，且遮盖该限位空间的顶侧。本技术所述的承载装置，该承载装置还包含一限位块，设置于所述晶圆上。本技术所述的承载装置，该限位块的重量介于所述晶圆的总重量的0.33倍到0.67倍之间。本技术所述的承载装置，该承载装置还包含一上挡片，设置于该限位块与所述晶圆之间。本技术所述的承载装置，该承载装置还包含一下挡片，设置于该底板与所述晶圆之间。本技术所述的承载装置，所述限位柱分别具有一主体及一自该主体的顶端往上凸伸的上凸块，该顶板具有数量及位置对应所述限位柱的穿孔且所述穿孔分别配合容置所述上凸块，使该顶板与所述限位柱卡合固定。本技术所述的承载装置，所述限位柱分别还具有一自该主 体的底端往下凸伸的下凸块，该底板具有数量及位置对应所述限位柱的凹槽且所述凹槽分别配合容置所述下凸块，使该底板与所述限位柱卡合固定。本技术所述的承载装置，所述限位柱的数目为四，各限位柱的主体的横截面概呈矩形。本技术的有益效果在于：通过顶板与所述限位柱连接，使所述限位柱不会在输送晶圆或是在扩散制程中被晶圆推挤而倾斜，进而避免所述堆叠晶圆倾斜。此外，限位块提供一下压力，抑制晶圆在扩散制程中浮动。附图说明图1是一立体分解示意图，说明本新型承载装置的第一实施例与多数晶圆；图2是一立体分解示意图，说明该第一实施例的一限位空间；图3是一侧视示意图，说明该第一实施例承载所述晶圆；图4是一上视示意图，说明该第一实施例的四个限位柱将所述晶圆在水平方向限位；图5是一立体分解示意图，说明本新型承载装置的第二实施例与多数晶圆；图6是一侧视示意图，说明该第二实施例承载所述晶圆；及图7是一上视示意图，说明该实施例的四个限位柱将一限位块在水平方向限位。具体实施方式下面结合附图及实施例对本技术进行详细说明。在本技术被详细描述之前，应当注意在以下的说明内容中，类似的组件是以相同的编号来表示。参阅图1至图4，本技术一种承载装置的第一实施例适用于承载多片晶圆7，该承载装置包含一底板1、四个限位柱2及一顶板3。所述限位柱2自该底板1向上延伸并与该底板1共同界定出一限位空间6以容置所述晶圆7且使所述晶圆7上下对齐地堆叠，并由所述限位柱2将所述晶圆7在水平方向限位。该顶板3连接于所述限位 柱2顶端，且遮盖该限位空间6的顶侧。该限位空间6的顶侧被遮蔽可减少在扩散制程中于该限位空间6内产生的扰流，在本实施例中，该顶板3呈八边形，但不以此为限，只要能达到遮盖该限位空间6的顶侧的目的即可。在本实施例中，所述限位柱2的数目为四，但不以此为限。再者，所述限位柱2分别具有一主体21、一自该主体21的顶端往上凸伸的上凸块22，及一自该主体21的底端往下凸伸的下凸块23。各限位柱2的主体21的横截面概呈矩形而以其一侧面接触所述晶圆7，但不以此为限。该顶板3具有数量及位置对应所述限位柱2的穿孔31且所述穿孔31分别配合容置所述上凸块22，使该顶板3与所述限位柱2卡合固定。此外，该底板1具有数量及位置对应所述限位柱2的凹槽11且所述凹槽11分别配合容置所述下凸块23，使该底板1与所述限位柱2卡合固定。通过该顶板3的穿孔31与所述限位柱2的上凸块22相连接能够固定所述限位柱2的顶端，同样地，该底板1的凹槽11与所述限位柱2的下凸块23相连接能够固定所述限位柱2的底端。借此，所述限位柱2能抵抗所述晶圆7所施加的往外推力，以避免所述限位柱2在扩散制程中倾斜，进而大幅降低所述晶圆7倾斜的机率。根据多次实验结果，本实施例在扩散制程(制程时间约为20至40小时之间；温度为1200度至1300度)中所述晶圆7倾斜的机率下降至零。在第一实施例中，该底板1为石英或碳化硅，所述限位柱2为蓝宝石，该顶板3为硅。前述元件的材料亦可分别改选用石英、硅、碳化硅或蓝宝石，但不以此为限。参阅图5至图7，本技术的第二实施例与第一实施例大致相同，差别在于第二实施例还包含位于该限位空间6内的一限位块4、一上挡片51及一下挡片52。该限位块4设置于所述晶圆7上，而该上挡片51设置于该限位块4与所述晶圆7之间，且该下挡片52设置于该底板1与所述晶圆7之间。在本实施例中，该限位块4及该上、下挡片51、52皆呈圆板状且直径所述晶圆7相同而被所述限位柱2于水平方向限位。换言之，上述元件在该限位空间6内上下对齐地层叠，且由下而上依序为该下挡片52、所述晶圆7、该上挡片51及该 限位块4。在本实施例中，该限位块4及该上、下挡片51、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种承载装置，适用于承载多片晶圆；其特征在于：该承载装置包含：一底板、多个限位柱及一顶板，所述限位柱自该底板向上延伸，该底板及所述限位柱共同界定出一限位空间以容置所述晶圆且使所述晶圆上下对齐地堆叠，并由所述限位柱将所述晶圆在水平方向限位，该顶板连接于所述限位柱顶端，且遮盖该限位空间的顶侧。

【技术特征摘要】
2015.07.15 TW 1042113811.一种承载装置，适用于承载多片晶圆；其特征在于：该承载装置包含：一底板、多个限位柱及一顶板，所述限位柱自该底板向上延伸，该底板及所述限位柱共同界定出一限位空间以容置所述晶圆且使所述晶圆上下对齐地堆叠，并由所述限位柱将所述晶圆在水平方向限位，该顶板连接于所述限位柱顶端，且遮盖该限位空间的顶侧。2.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于：还包含一限位块，设置于所述晶圆上。3.如权利要求2所述的承载装置，其特征在于：该限位块的重量介于所述晶圆的总重量的0.33倍到0.67倍之间。4.如权利要求2所述的承载装置，其特征在于：还包含一上挡...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈思婷，张元豪，谢启祥，李德浩，施英汝，徐文庆，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71