公开用于确定硅衬底的外延适合性及/或用于确定外延及外延后热处理期间的防滑性的方法。所述方法涉及通过红外去极化使外延晶片成像来评估所述晶片的不同衬底。针对每一外延晶片产生红外去极化参数。所述参数可经比较以确定哪些衬底非常适合于外延及/或外...

一种用于抛光半导体晶片的抛光头组合件包含抛光头及盖帽。所述抛光头具有顶部部分及沿底部部分的凹槽。所述凹槽具有凹面。孔从所述顶部部分延伸穿过所述凹面。所述盖帽定位于所述凹槽内且所述盖帽具有环形壁及跨所述环形壁延伸的底板。所述环形壁具有对应...

本公开提供用于确定生产外延用硅衬底的柴可拉斯基法生长条件的适合性的方法。所述方法涉及通过凭借红外去极化使晶片成像来评估从不同生长条件(例如，杂质分布)下生长的锭切割的衬底。对于每一外延晶片产生红外去极化参数。能够比较所述参数以确定哪些生...

本发明提供一种非晶相化改质机及单晶材料的加工方法。所述单晶材料的加工方法包括以下步骤。提供单晶材料作为待改质对象。使用非晶相化改质机射出的飞秒激光束来对待改质对象内部进行加工。所述加工包括，使用飞秒激光束在待改质对象内部形成多条加工线，...

本发明公开通过连续丘克拉斯基(Continuous Czochralski；CCz)生产单晶硅锭的方法。将一或多个板添加到坩埚组合件的外部熔融区，使得将所述板安置在固态硅的初始装料上。将所述硅熔化，且让所述板漂浮在硅熔体上。当在锭生长期...

一种发光元件制造方法，包含：提供一基板；于所述基板上形成一成核层；于所述成核层上形成一缓冲层；于所述缓冲层上形成一第一氮化物层，所述第一氮化物层与所述缓冲层接触；于所述第一氮化物层上形成一第二氮化物层，所述第二氮化物层与所述第一氮化物层...

一种高电子移动率晶体管外延结构包括有一基板、一成核层、一缓冲层、一第一氮化物层、一第二氮化物层、一通道层及一阻障层，所述成核层位于所述基板上方；所述缓冲层位于所述成核层上方；所述第一氮化物层位于所述缓冲层上方且与所述缓冲层接触；所述第二...

一种发光元件结构包括有一基板、一成核层、一缓冲层、一第一氮化物层、一第二氮化物层、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层，所述成核层位于所述基板上方；所述缓冲层位于所述成核层上方；所述第一氮化物层位于所述缓冲层上方且与所述缓冲层接触...

一种高电子移动率晶体管外延方法包括以下步骤：提供一基板；于所述基板上形成一成核层；于所述成核层上形成一缓冲层；于所述缓冲层上形成一第一氮化物层，所述第一氮化物层与所述缓冲层接触；于所述第一氮化物层上形成一第二氮化物层，且于所述第二氮化物...

本申请涉及用于评估半导体结构的方法。本发明揭示用于评估具有电荷俘获层CTL的半导体结构的质量以(例如)确定所述结构是否适于用作射频装置的方法。所述评估方法的实施例可涉及在初始状态处及在其中电荷载子经产生的受激状态处测量静电参数。

本公开涉及具有带冷却流体管的冷却套装置的拉锭器设备。公开用于通过丘克拉斯基法制备硅锭的拉锭器设备的冷却套装置。所述冷却套装置可包含形成通过其来拉锭的内室的内壳。所述冷却套包含外壳。多个管安置于所述内壳与外壳之间。每一管形成冷却流体通过的...

一种用于监测第二组件相对于第一组件的对准的系统，其包含相机，及包含处理器及非暂时性存储器的控制器。所述控制器经配置以：当所述第二组件处于相对于所述第一组件的预定位置中时，接收来自所述相机的第一经捕获图像；接收对所述第一经捕获图像中的受关...

公开用于蚀刻半导体结构及用于调节其中处理单个半导体结构的处理反应器的方法。工程多晶硅表面层沉积于支撑所述半导体结构的基座上。所述多晶硅表面层可通过控制沉积所述层的温度、通过对所述多晶硅表面层开槽或通过控制所述多晶硅表面层的厚度来工程设计。

本发明公开用于同时双面研磨半导体结构的方法及设备。所述双面研磨设备可包含第一及第二磨轮，每一磨轮具有经塑形为凸多边形(例如，凸五边形)的磨料部件。

公开用于生产硅锭的方法，在其中产生水平式磁场。在锭生长期间调节多个工艺参数，包含坩埚的壁温、一氧化硅(SiO)从坩埚到单晶的运输，及SiO从熔体的蒸发速率。调节所述多个工艺参数可包含控制所述水平式磁场的最大高斯平面的位置、控制所述水平式...

一种晶体的长晶方法包括以下步骤。提供第一籽晶，所述第一籽晶具有第一单晶比例以及第一尺寸。对第一籽晶进行N次的长晶制程，其中每一次长晶制程会使第一单晶比例增加，且是进行N次的长晶制程直至形成具有单晶比例为100％的第二晶体，其中N次为大于...

一种长晶炉系统，包括一外部加热模块、一炉体、一第一驱动装置、一第二驱动装置以及一控制装置。炉体可运动地设置于外部加热模块之内。第一驱动装置驱动炉体沿一轴线移动。第二驱动装置驱动炉体沿轴线转动。控制装置电性连接于第一驱动装置、第二驱动装置...

一种碳化硅晶体及碳化硅晶片。所述碳化硅晶体及碳化硅晶片的单晶比例为100％，其电阻率为15mΩ·cm至20mΩ·cm的范围内，且其电阻率均匀性偏差为小于0.4％。

提供一种碳化硅晶体的生长方法。所述生长方法包括以下的步骤。提供包含碳元素以及硅元素的原料以及位于原料上方的籽晶于反应器内。进行碳化硅晶体的生长制程，其中生长制程包括加热反应器以及原料，以形成碳化硅晶体于籽晶上。在生长制程中是调整碳化硅晶...

一种长晶方法，包括提供一籽晶于一长晶炉内，于籽晶上沿一第一方向历经多个时间，而形成一晶体，其中晶体包括沿第一方向堆叠的多个子晶体，在这些时间中的每一个形成对应的子晶体，这些子晶体包括远离籽晶的多个端面，使这些端面中任两者的最大温度的差值...