【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种长晶方法以及晶片，且特别是有关于一种可形成较厚厚度、尺寸较大且良好品质的晶体的长晶方法以及具有良好品质的晶片。
技术介绍
1、在现有的长晶方法的晶体的形成过程中，晶体在长晶炉热场中的温度容易因为晶体的位置而产生差异，例如晶体最上与最下方的两端面的温度差可高达100度左右。晶体的两端面之间存在温度不均的问题，造成晶体的两端面之间的应力差较大，进而影响晶体的厚度、大小以及品质。
2、由现有的长晶方法所形成晶体经加工后得到的晶碇，其厚度较薄，大尺寸不易制作且品质较差。由晶碇经加工制程例如切割、研磨及抛光后得到的晶片，同样地品质较差。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种长晶方法，可降低晶体端面之间的应力差异，进而使晶体的厚度及尺寸增加以及品质提升。
2、本专利技术提供一种晶片，其具有良好的品质。
3、本专利技术的长晶方法包括提供一籽晶于一长晶炉内，于籽晶上沿一第一方向历经多个时间，而形成一晶体，其中晶体包括沿第一方向堆叠的多个子晶体，在这...
【技术保护点】
1.一种长晶方法，包括：
2.如权利要求1所述的长晶方法，其中所述多个端面中任两者的最大温度差小于等于15度。
3.如权利要求1所述的长晶方法，其中所述多个端面中至少两者的最大温度的差值小于等于10度。
4.如权利要求1所述的长晶方法，其中所述多个端面中至少两者的最大温度的差值小于等于5度。
5.如权利要求1所述的长晶方法，其中所述多个端面中至少两者的最大温度的差值小于等于2度。
6.如权利要求1所述的长晶方法，其中所述多个端面的每一者包括一中心及一边缘，该中心与该边缘的温度的差值小于等于20度。
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