半导体基板和其制造方法以及制造装置、GaN系晶体、半导体器件、电子设备制造方法及图纸

半导体基板具备：主基板；位于比所述主基板更上方且包含掩模部的掩模图案；和位于比掩模图案更上方且相邻的第1半导体部以及第2半导体部，第1半导体部具有：位于掩模部上的第1下方边缘；和比第1下方边缘更向第2半导体部侧伸出的第1伸出部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体基板等。

技术介绍

1、例如在专利文献1中，公开了使用elo(epitaxial lateral overgrowth，外延横向过生长)法来形成与多个掩模的开口部分别对应的多个半导体层的手法。

2、在先技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：jp特开2011-66390号公报

技术实现思路

1、本公开所涉及的半导体基板具有：主基板；掩模图案，其位于比所述主基板更上方，包含掩模部；和第1半导体部以及第2半导体部，其位于比所述掩模图案更上方(上层)且相邻，所述第1半导体部具有：第1下方边缘，其位于所述掩模部上；和第1伸出部，其比所述第1下方边缘更向所述第2半导体部侧伸出。

【技术保护点】

1.一种半导体基板，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体基板，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体基板，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体基板，其中，

5.根据权利要求3所述的半导体基板，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体基板，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体基板，其中，

8.根据权利要求3～7中任一项所述的半导体基板，其中，

9.根据权利要求4所述的半导体基板，其中，

10.根据权利要求9所述的半导体基板，其中，

11.根据权利要求10所述的半导体基...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体基板，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体基板，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体基板，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体基板，其中，

5.根据权利要求3所述的半导体基板，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体基板，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体基板，其中，

8.根据权利要求3～7中任一项所述的半导体基板，其中，

9.根据权利要求4所述的半导体基板，其中，

10.根据权利要求9所述的半导体基板，其中，

11.根据权利要求10所述的半导体基板，其中，

12.根据权利要求2所述的半导体基板，其中，

13.根据权利要求12所述的半导体基板，其中，

14.根据权利要求13所述的半导体基板，其中，

15.根据权利要求14所述的半导体基板，其中，

16.根据权利要求15所述的半导体基板，其中，

17.根据权利要求13～16中任一项所述的半导体基板，其中，

18.根据权利要求13～17中任一项所述的半导体基板，其中，

19.根据权利要求13～18中任一项所述的半导体基板，其中，

20.根据权利要求13～19中任一项所述的半导体基板，其中，

21.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林敏洋，神川刚，青木优太，林雄一郎，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：