本发明提供一种晶锭评估方法。将由多个晶锭所切割的多个晶片各自对应的晶片图像分割成多个区域。计算各区域所包括的多个缺陷种类的统计数量。基于所述区域中所包括的缺陷种类的统计数量，获得多个统计参数。利用各晶片对应的统计参数以及弯曲值来执行回归...

一种对半导体晶片抛光系统的抛光垫进行预热的方法包含将流体加热到第一预定温度。所述方法还包含将所述流体施加到所述抛光垫。所述方法进一步包含旋转所述抛光垫使得所述流体覆盖所述抛光垫。所述流体使抛光垫温度增加到第二预定温度。到第二预定温度。到...

本发明提供一种晶片及晶片的制造方法。晶片包括半导体衬底。半导体衬底包括：多个第一掺杂区以及多个第二掺杂区。第一掺杂区以及第二掺杂区位于半导体衬底的第一面。第二掺杂区接触第一掺杂区。第一掺杂区与第二掺杂区交替排列。第一掺杂区以及第二掺杂区...

本发明提供一种半导体衬底以及半导体装置的制造方法。所述半导体衬底，包括碳化硅晶片，具有第一面、平行于第一面的第二面以及垂直于第一面与第二面的侧面。第一面与侧面之间包括第一斜面和/或第一弧面。第二面与侧面之间包括第二斜面和/或第二弧面。在...

本发明提供一种晶片的加工方法，包括：检测晶片的弯曲度，其中晶片具有第一面与相对于第一面的第二面，其中第一面为凹面，且第二面为凸面；依序对第一面与第二面进行中研磨工艺，以获得经中研磨的第一面以及经中研磨的第二面；依序对经中研磨的第一面以及...

本发明提供一种晶锭评估方法，包括下述步骤。分别基于多个晶锭各自的第一端的第一晶片与第二端的第二晶片的缺陷信息来获得多个统计参数。测量各晶锭的第一端的第一弯曲度与其第二端的第二弯曲度，借此将晶锭标记至对应的多个种类中的其中一个。基于所述晶...

本发明提供一种用于切割晶锭的评估方法。所述评估方法包括下述步骤。在晶锭的检验片上设定多个取样点。接着，设定多个观测面。每一观测面由至少相邻两个取样点所形成。之后，计算各观测面所包括的取样点的测量值的平均值。并且，将平均值最小者对应的观测...

本发明描述了一种研磨碳化硅晶片以改善其几何曲率的方法。首先，将单晶晶体切成几个晶片，其中每个晶片都具有硅面，即第一表面。相反的另一面是碳面，称为第二表面。然后，将晶片的硅面朝下，并置于研磨载台上以执行第一次研磨。要强调的是，在晶片和研磨...

本发明提供一种晶圆处理设备，包括施压组件、转动机构、控制元件及热源。施压组件包括具有第一工作面的第一加压头和具有第二工作面的第二加压头。转动机构与施压组件连接。控制元件电性连接至转动机构。热源设置于施压组件旁。晶圆处理设备可调整第一加压...

本发明提供一种晶圆治具结构及引起高温潜变变形的处理设备，所述晶圆治具结构主要包括了两个可分离的治具。第一治具有一个第一斜面，第二治具含有另一个第二斜面。第一斜面及第二斜面相互平行，并同时倾斜于一个外力施压的方向。当第一治具及第二治具相互...

本发明提供一种晶片的研磨方法，所述方法包括以下的步骤。提供碳化硅晶片，所述碳化硅晶片具有第一表面以及相反的第二表面。对碳化硅晶片进行研磨工艺以从第一表面以及第二表面研磨移除预定量X。所述研磨工艺包括进行N次的翻面研磨以移除预定量X，其中...

本发明提供一种晶圆治具结构及引起高温潜变变形的晶圆处理设备，可通过较低温的退火处理，有效地改进晶圆的几何翘曲。晶圆治具结构包括第一治具、第二治具及施力组件。第一治具具有第一斜面，第二治具具有第二斜面。当第一及第二治具相互靠合而将晶圆夹置...

本申请涉及使用连续柴可斯基方法生长氮掺杂单晶硅锭的方法以及通过此方法生长的单晶硅锭。熔体深度及热条件在生长期间是恒定的，因为硅熔体随着其被消耗而被连续补充，且坩埚位置是固定的。临界v/G是由热区配置确定，且在生长期间对熔体连续补充硅使锭...

本发明提供一种材料分析方法。经由测量仪器测量由多个晶锭经加工而成的多个晶片，以获得各晶锭经加工后的晶片的弯曲度平均值以及各晶片的多个半高宽。基于各晶片的半高宽来计算各晶锭对应的关键因子。利用这些关键因子以及弯曲度平均值来获得回归方程式。...

本发明公开一种用于形成用于固持用于形成硅锭的硅熔融物的套装坩埚组合件的方法。在一些实施例中，所述方法涉及具有通道网状结构的多孔坩埚模具，所述通道网状结构具有底部通道、从所述底部通道延伸的外部侧壁通道及从所述底部通道延伸的中心堰通道。可将...

本发明提供一种晶圆加工系统及其重工方法。图像获取装置获取晶圆片的图像，以产生获取图像。控制装置检测获取图像中的缺陷图案，依据缺陷图案的对比值的分布计算目标削除厚度，依据目标削除厚度控制加工装置对晶圆片执行加工处理。行加工处理。行加工处理。

一种长晶炉，包括一炉体、一坩埚、一第一加热装置、一第二加热装置及一升降装置，所述坩埚设置于所述炉体中，用以容置待熔化的固态原料，所述坩埚具有一上开口；所述第一加热装置设置于所述坩埚的侧边外围，用以对所述坩埚加热；所述第二加热装置设置于所...

本发明提供一种计算机装置。所述计算机装置包含与至少一个存储器装置通信的至少一个处理器。所述至少一个处理器经编程以在所述至少一个存储器装置中存储用于模拟组装线的一部分的模型及接收正在组装的产品的第一检验的扫描数据，使用所述扫描数据作为输入...

本发明提供一种半导体衬底的制造方法，包括：对碳化硅晶片执行化学机械研磨工艺；对碳化硅晶片执行加热工艺以移除自然形成氧化层、去杂质、获得无刮痕表面及平坦化，其中加热工艺包括：将炉子的腔体以及碳化硅晶片升温至摄氏T度并维持时间t，并于腔体中...

一种长晶炉，所述长晶炉的炉腔内具有位于坩埚上方的入气通道，上排气件具有相连通的流道及出气口，流道具有开放侧围绕入气通道，导流件与上排气件连接且设置于流道的开放侧，导流件上具有第一入气孔及至少两个第二入气孔，第一入气孔设置于远离出气口的一...