半导体衬底以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体衬底以及半导体装置的制造方法。所述半导体衬底，包括碳化硅晶片，具有第一面、平行于第一面的第二面以及垂直于第一面与第二面的侧面。第一面与侧面之间包括第一斜面和/或第一弧面。第二面与侧面之间包括第二斜面和/或第二弧面。在平行第一面的第一方向上，第一面与侧面的距离A1大于第二面与侧面的距离A2。面与侧面的距离A2。面与侧面的距离A2。

【技术实现步骤摘要】
半导体衬底以及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体衬底，尤其涉及一种包括碳化硅晶片的半导体衬底以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体产业中，制造晶片的方法包括先形成晶碇(Ingot)，接着将晶碇切片以获得晶片。晶碇例如是在高温的环境中制造。在一些晶碇的制造过程中，晶种被置放于高温炉中，晶种接触气态或液态的原料，并形成半导体材料于晶种的表面，直到获得具有预期尺寸的晶碇为止。晶碇可以视制造方式与制造原料而有不同的结晶构造。
[0003]在晶碇生长完成后，以炉冷或其他方式使晶碇降温至室温。在晶碇降温之后，利用切割机把晶碇形状较差的头尾两端移除，接着用磨轮将晶碇研磨到想要的尺寸(例如3英吋至12英吋)。在一些晶碇的制造过程中，于晶碇的边缘研磨出一道平边或V型槽。此平边或V型槽适用于作为晶碇的结晶方向的记号。接着将晶碇切片，以获得多个晶片(Wafer)。在一些情况中，晶片的边角容易因为碰撞而破裂。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种半导体衬底，能改善碳化硅晶片在研磨过后出现边角破裂的问题。
[0005]本专利技术提供一种半导体装置的制造方法，能改善碳化硅晶片在研磨过后出现边角破裂的问题。
[0006]本专利技术的至少一实施例提供一种半导体衬底。半导体衬底包括碳化硅晶片，具有第一面、平行于第一面的第二面以及垂直于第一面与第二面的侧面。第一面与侧面之间包括第一斜面和/或第一弧面。第二面与侧面之间包括第二斜面和/或第二弧面。在平行第一面的第一方向上，第一面与侧面的距离A1大于第二面与侧面的距离A2。
[0007]本专利技术的至少一实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括：提供碳化硅晶片；以及加工碳化硅晶片的边缘。碳化硅晶片在加工后包括第一面、平行于第一面的第二面以及垂直于第一面与第二面的侧面。第一面与侧面之间包括第一斜面和/或第一弧面。第二面与侧面之间包括第二斜面和/或第二弧面。在平行第一面的第一方向上，第一面与侧面的距离A1大于第二面与侧面的距离A2。
附图说明
[0008]图1A至图1H是依照本专利技术的一实施例的一种半导体装置的制造方法的制造方法的示意图；
[0009]图2是依照本专利技术的一实施例的一种晶片的剖面示意图；
[0010]图3是依照本专利技术的一实施例的一种晶片的剖面示意图；
[0011]图4是依照本专利技术的一实施例的一种晶片的剖面示意图。
[0012]附图标记说明
[0013]10:芯片；
[0014]100:晶碇；
[0015]110、110a、110b:碳化硅晶片；
[0016]112、112a:第一面；
[0017]113:第一弧面；
[0018]113A:第一斜面；
[0019]113B:第三斜面；
[0020]114、114a:第二面；
[0021]115:第二弧面；
[0022]115A:第二斜面；
[0023]116、116a:侧面；
[0024]118:第三面；
[0025]120:外延层；
[0026]130:半导体元件；
[0027]140:重新分布层；
[0028]142、146:绝缘层；
[0029]144、148:导电层；
[0030]200:切割工具；
[0031]210:固定装置；
[0032]220:滚轮；
[0033]230:切割线；
[0034]300:磨头；
[0035]310:第一凸出部；
[0036]320:第二凸出部；
[0037]A1、A2、B1、B2:距离；
[0038]D1:第一方向；
[0039]D2:第二方向；
[0040]厚度:T、T
’
；
[0041]α:夹角；
[0042]β1、β2、γ1、γ2、δ1:角度。
具体实施方式
[0043]图1A至图1H是依照本专利技术的一实施例的一种半导体装置的制造方法的制造方法的示意图。
[0044]请参考图1A，图1A是晶碇100的切割工艺的斜视图。以切割工具200切割晶碇100。切割工具200包括固定装置210、滚轮220以及切割线230。固定装置210用于固定晶碇100。切割线230包括钢线以及钢线上的磨粒(例如钻石颗粒)。利用切割线230缠绕于滚轮220上，并定义出多个切削段，以切割线230反复切割晶碇100，以将晶碇100切割成数十至数百片的晶
片。在本实施中，以钻石线切割晶碇100，但本专利技术不以此为限。在其他实施例中，以刀具、激光、水刀或其他方式切割晶碇100。
[0045]在本实施例中，晶碇100的材料包括碳化硅。晶碇100在切割后形成多个碳化硅晶片。
[0046]图1B至图1H是依照本专利技术的一实施例的一种半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0047]请参考图1B，提供碳化硅晶片110。在本实施例中，碳化硅晶片110在加工前包括第一面112、平行于第一面112的第二面114以及垂直于第一面112与第二面114的侧面116。在一些实施例中，在加工碳化硅晶片110前，第一面112与侧面116相连，且第一面112与侧面116之间的夹角约为直角，第二面114与侧面116相连，且第二面114与侧面116之间的夹角约为直角。
[0048]加工碳化硅晶片110的边缘116。举例来说，以磨头300研磨碳化硅晶片110的边缘。磨头300包括第一凸出部310以及第二凸出部320。第一凸出部310用于加工碳化硅晶片110的上侧的边缘，即侧面116靠近第二面114的部分。第二凸出部320用于加工碳化硅晶片110的下侧的边缘，即侧面116靠近第一面112的部分。第一凸出部310的形状不同于第二凸出部320的形状。在本实施例中，在朝向碳化硅晶片110的方向上，第一凸出部310相较于第二凸出部320更凸出，因此，在旋转碳化硅晶片110以研磨碳化硅晶片110的边缘时，第二凸出部320较第一凸出部310移除更多的碳化硅晶片110。
[0049]请参考图1C，碳化硅晶片110在加工后包括第一面112a、平行于第一面112a的第二面114a以及垂直于第一面112a与第二面114a的侧面116a。第一面112a与侧面116a之间包括第一斜面和/或第一弧面。在本实施例中，第一面112a与侧面116a之间包括第一弧面113。第二面114a与侧面116a之间包括第二斜面和/或第二弧面。在本实施例中，第二面114a与侧面116a之间包括第二弧面115。
[0050]在平行第一面112a的第一方向D1上，第一面112a与侧面116a的距离A1大于第二面114a与侧面116a的距离A2。在平行侧面116a的第二方向D2上，第一面112a与侧面116a的距离B1大于第二面114a与侧面116a的距离B2。第一方向D1垂直于第二方向D2。在一些实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体衬底，包括：碳化硅晶片，具有第一面、平行于所述第一面的第二面以及垂直于所述第一面与所述第二面的侧面，其中所述第一面与所述侧面之间包括第一斜面和/或第一弧面，且所述第二面与所述侧面之间包括第二斜面和/或第二弧面，其中在平行所述第一面的第一方向上，所述第一面与所述侧面的距离A1大于所述第二面与所述侧面的距离A2。2.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中在平行所述侧面的第二方向上，所述第一面与所述侧面的距离B1大于所述第二面与所述侧面的距离B2。3.根据权利要求2所述的半导体衬底，其中A1:B1为150:80至250:160。4.根据权利要求2所述的半导体衬底，其中A2:B2为60:40至80:60。5.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述第一斜面连接所述第一面与所述侧面，且所述第一斜面与所述第一面之间的导圆角的角度为β1，其中所述第二斜面连接所述第二面与所述侧面，且所述第二斜面与所述第二面之间的导圆角的角度为β2，β1大于β2。6.根据权利要求5所述的半导体衬底，其中β1为130r(μm)至200r(μm)，β2为100r(μm)至140r(μm)。7.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述第一面为碳面，所述第二面为硅面。8.根据权利要求1所述的半导体衬底，还包括：外延层，形成于所述第二面上。9.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述第二面的面积大于所述第一面的面积。10.一种半导体装置的制造方法，包括：提供碳化硅晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：林钦山，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：