【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的领域涉及用于确定硅衬底的外延适合性且特定来说，用于确定外延及外延后热处理期间的防滑性的方法。
技术介绍
1、在外延晶片生产期间及外延后热循环期间，通常产生滑移。防滑性已成为先进集成电路制造技术中日益重要一能力。用于检测防滑性的常规方法是破坏性过程，其中晶片不能保留供进一步使用。例如，晶片可在退火炉中被施加应力且晶片的弯曲度可测量为晶片强度的指标。此外，常规过程无法评估不同外延衬底在不同外延及外延后处理下的防滑性。
2、需要一种能够定量评估及比较不同衬底在各种外延过程及热处理下的防滑性的可靠且非破坏性过程。
3、本章节希望向读者介绍可与下文描述及/或主张的本公开的各个方面相关的各个技术方面。此讨论被认为有助于向读者提供背景信息以促进本公开的各个方面的较佳理解。因此，应理解，这些陈述应鉴于此解读，而非作为现有技术的认可。
技术实现思路
1、本公开的一个方面涉及一种用于确定硅衬底的外延适合性的方法。将第一硅衬底装载到安置于处理反应器内的基座上。使所述第一硅衬底的前表面与含硅气体接触。所述含硅气体分解以在所述第一硅衬底上形成外延硅层以形成第一外延晶片。通过红外去极化使所述第一外延晶片成像以确定第一红外去极化参数。将第二硅衬底装载到安置于所述处理反应器内的所述基座上。所述第二硅衬底具有不同于所述第一硅衬底的成分。使所述第二硅衬底的前表面与含硅气体接触。所述含硅气体分解以在所述第二硅衬底上形成外延硅层以形成第二外延晶片。通过红外去极化使所述第二外延晶片成像以确定
2、本公开的又一方面涉及一种用于确定硅衬底的外延适合性的方法。将第一硅衬底装载到安置于处理反应器内的基座上。使所述硅衬底的前表面与含硅气体接触。所述含硅气体分解以在所述硅衬底上形成外延硅层以形成外延晶片。通过红外去极化使所述外延晶片的仅环形边缘区域成像以确定红外去极化参数。
3、关于本公开的上述方面所提及的特征存在各种改善。进一步特征还可并入本公开的上述方面中。这些改善及额外特征可个别或依任何组合存在。例如，下文关于本公开的任何说明实施例所讨论的各种特征可单独或依任何组合并入到本公开的任何上述方面中。
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1.一种用于确定硅衬底的外延适合性的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述第一及第二衬底的外延适合性包括比较所述第一红外去极化参数与所述第二红外去极化参数。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一红外去极化参数及所述第二红外去极化参数是相同参数。
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中确定所述第一及第二衬底的外延适合性包括确定所述衬底的防滑性。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述第一红外去极化参数及第二红外去极化参数各自选自晶片图、坏分率可变性图、坏分率平均值、总坏分率、平均去极化值、去极化值总和、去极化对比度及剪应力当量。
6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述第一红外去极化参数及第二红外去极化参数与去极化值相关。
7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中所述第一及第二硅衬底具有不同杂质或掺杂物浓度。
8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的方法，其中所述第一及第二硅衬底具有不同浓度的氧、氮、碳或硼
9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的方法，其进一步包括：
10.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的方法，其中所述外延硅层形成于所述第一硅衬底上以在相同过程条件下形成所述第一外延晶片，所述外延硅层在所述相同过程条件下形成于所述第二硅衬底上以形成所述第二外延晶片。
11.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的方法，其中仅使所述第一及第二外延晶片的环形边缘区域成像。
12.一种用于确定硅衬底的外延适合性的方法，所述方法包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述外延晶片具有半径及圆周边缘，所述环形边缘区域从所述半径的至少85％朝向所述圆周边缘延伸。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述外延晶片具有半径及圆周边缘，所述环形边缘区域从所述半径的至少90％朝向所述圆周边缘延伸。
15.根据权利要求12所述的方法，其中所述外延晶片具有半径及圆周边缘，所述环形边缘区域从所述半径的至少95％朝向所述圆周边缘延伸。
16.根据权利要求13到15中任一权利要求所述的方法，其中所述环形边缘区域延伸到所述半径的不到99.9％。
17.根据权利要求13到15中任一权利要求所述的方法，其中所述环形边缘区域延伸到所述半径的不到99.5％。
18.根据权利要求12到17中任一权利要求所述的方法，其中所述红外去极化参数选自晶片图、坏分率可变性图、坏分率平均值、总坏分率、平均去极化值、去极化单元总和、去极化对比度及剪应力当量。
19.根据权利要求12到18中任一权利要求所述的方法，其中所述红外去极化参数与所述去极化值相关。
20.根据权利要求12到19中任一权利要求所述的方法，其进一步包括在使所述外延晶片成像之前热处理所述外延晶片。
21.根据权利要求12到20中任一权利要求所述的方法，其包括基于所述红外去极化参数来确定所述硅衬底的外延适合性。
22.根据权利要求21所述的方法，其中确定所述硅衬底的外延适合性包括比较所述红外去极化参数与阈值红外去极化参数。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于确定硅衬底的外延适合性的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述第一及第二衬底的外延适合性包括比较所述第一红外去极化参数与所述第二红外去极化参数。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一红外去极化参数及所述第二红外去极化参数是相同参数。
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中确定所述第一及第二衬底的外延适合性包括确定所述衬底的防滑性。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述第一红外去极化参数及第二红外去极化参数各自选自晶片图、坏分率可变性图、坏分率平均值、总坏分率、平均去极化值、去极化值总和、去极化对比度及剪应力当量。
6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述第一红外去极化参数及第二红外去极化参数与去极化值相关。
7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中所述第一及第二硅衬底具有不同杂质或掺杂物浓度。
8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的方法，其中所述第一及第二硅衬底具有不同浓度的氧、氮、碳或硼。
9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的方法，其进一步包括：
10.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的方法，其中所述外延硅层形成于所述第一硅衬底上以在相同过程条件下形成所述第一外延晶片，所述外延硅层在所述相同过程条件下形成于所述第二硅衬底上以形成所述第二外延晶片。
11.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的方法，其中仅使所述第一及第二外延晶片的环形边缘区域成像。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：林姗慧，涂俊钦，陆征，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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