【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的领域涉及通过连续丘克拉斯基方法(ccz)生产单晶硅锭的方法，且特定来说，涉及将石英板添加到坩埚组合件的外部熔融区的方法。
技术介绍
1、连续丘克拉斯基方法(ccz)非常适合形成300mm或200mm直径的单晶硅锭，例如相对重掺杂砷或磷的锭。连续丘克拉斯基方法涉及从硅熔体形成单晶硅锭，同时连续或间歇向熔体添加固态硅，以在锭生长时补充熔体。所述方法可能涉及在热区保持温度的同时从同一熔体形成多个锭(即，当多个锭生长时，坩埚组合件中连续存在熔体)。
2、客户越来越多地指定，针对200mm及300mm的锭两者，从通过连续丘克拉斯基方法生长的锭切下的晶片具有较低的空隙数(例如，每晶片少于30个缺陷)。连续丘克拉斯基方法可能涉及坩埚组合件，所述坩埚组合件包含由物理屏障分隔的至少两个(且通常三个)熔融区(一个是固体多晶硅被进料到其中的外部熔融区，一个是熔体稳定的中间熔融区，且一个是硅锭被从其拉出的内部熔融区)。向熔体添加固体多晶硅会引起熔体中形成惰性气泡(例如，氩气泡)，借此影响空隙数。
3、在一些常规方法中，向熔体添加缓冲部件(例如石英碎玻璃)，以减少惰性气泡的形成。石英碎玻璃缓冲掉在熔体中的多晶硅。碎玻璃还促进惰性气泡的消散。然而，添加石英碎玻璃增加晶体生长工艺的复杂性。碎玻璃还相对快速地溶解。碎玻璃群组之间可能会形成间隙，借此限制其有效性。
4、存在对用于形成硅锭的替代方法的需求，所述替代方法减少从锭切片的硅晶片中的缺陷计数及/或减少熔体中惰性气泡的形成或促进惰性气泡的消散。
5、本
技术实现思路
1、本公开的一个方面涉及一种用于在连续丘克拉斯基工艺中生长单晶硅锭的方法。将多晶硅装料添加到坩埚组合件。所述坩埚组合件包括堰及侧壁，所述堰及侧壁界定所述堰与所述侧壁之间的外部熔融区。将一或多个板添加到所述外部熔融区。在所述坩埚组合件中形成硅熔体。所述熔体的表面与种晶接触。从所述熔体抽出单晶硅锭。在抽出所述单晶硅锭的同时，将固体多晶硅原料添加到所述外部熔融区以补充所述熔体。所述一或多个板至少部分覆盖所述外部熔融区中的所述熔体。
2、存在对关于本公开的上述方面提及的特征的各种改进。还可在本公开的上述方面中并入进一步特征。这些改进及额外特征可能个别存在或以任何组合存在。例如，下面讨论的关于本公开的任何所说明实施例的各种特征可单独或以任何组合并入本公开的任何上述方面。
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1.一种用于在连续丘克拉斯基工艺中生长单晶硅锭的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述堰是第一堰，所述坩埚组合件包括相对于所述第一堰径向向内的第二堰，所述第一堰及所述第二堰界定所述第一堰与所述第二堰之间的中间熔融区，所述第二堰界定所述第二堰内的内部熔融区。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述外部熔融区具有宽度，且所述一或多个板中的每一者具有宽度，所述一或多个板中的每一者的所述宽度小于所述外部熔融区的所述宽度。
4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中在所述坩埚组合件中形成硅熔体之前，所述板被安置在所述外部熔融区中的固体多晶硅上，在形成所述熔体之后，所述板漂浮在所述外部熔融区中的所述熔体上。
5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的方法，其中所述板由石英制成。
6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的方法，其中所述一或多个板各自包含延伸穿过所述板以允许硅进入所述熔体的一或多个开口。
7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的方法，其中所述一或多个板中的每一者
8.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的方法，其中所述单晶硅锭是在所述坩埚组合件中的所述硅熔体形成之后从所述熔体抽出的第一锭。
9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：
10.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的方法，其中所述单晶硅锭是在第一单晶硅锭从所述熔体抽出之后生长的单晶硅锭。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于在连续丘克拉斯基工艺中生长单晶硅锭的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述堰是第一堰，所述坩埚组合件包括相对于所述第一堰径向向内的第二堰，所述第一堰及所述第二堰界定所述第一堰与所述第二堰之间的中间熔融区，所述第二堰界定所述第二堰内的内部熔融区。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述外部熔融区具有宽度，且所述一或多个板中的每一者具有宽度，所述一或多个板中的每一者的所述宽度小于所述外部熔融区的所述宽度。
4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中在所述坩埚组合件中形成硅熔体之前，所述板被安置在所述外部熔融区中的固体多晶硅上，在形成所述熔体之后，所述板漂浮在所述外部熔融区中的所述熔体上。
【专利技术属性】
技术研发人员：M·潘诺基亚，F·马尔凯塞，P·托西，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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