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本发明公开通过连续丘克拉斯基(Continuous Czochralski；CCz)生产单晶硅锭的方法。将一或多个板添加到坩埚组合件的外部熔融区，使得将所述板安置在固态硅的初始装料上。将所述硅熔化，且让所述板漂浮在硅熔体上。当在锭生长期间将...
该专利属于环球晶圆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过环球晶圆股份有限公司授权不得商用。

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