【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种非晶相化改质机,尤其涉及一种非晶相化改质机与使用其的单晶材料的加工方法。
技术介绍
1、单晶材料中,极具工业应用价值并且较不易以机械方式切割的显着例子为碳化硅。碳化硅单晶晶片因其适用于高温及高电压的特性,因此,可被用于制作晶体管而应用于如电动车中或电源转换等领域中。就现有技术来说,一般为使用钻石线来切割碳化硅晶碇(ingot)以获得晶片。然而,此法切割道损耗(kerf loss)较大,常见损耗值为如150微米至300微米的切割道损耗。
2、另外,现有技术也有尝试以脉冲激光于单晶材料硅(silicon)或蓝宝石(sapphire)内部中进行改质,其中激光光波长可部分穿透材料。以激光光施加改质后,由于改质层已非原本的单晶结构,其键结强度较单晶材料已大幅下降。因此,于施加外力后,即可切割或分离部分的单晶材料。然而,传统的激光光容易造成改质层厚度过大,因而失去使用激光光进行改质能带来的减少切割道损失的优点。
3、目前,仍缺乏一种有效的激光光施加方式,使得改质层厚度缩减至数十微米或是更小,并且有效地产生改
...【技术保护点】
1.一种非晶相化改质机,用以在单晶材料中形成非晶相改质层,其中所述非晶相化改质机包括:
2.根据权利要求1所述的非晶相化改质机,其中由所述飞秒激光源射出的所述激光束的波长为800nm至1600nm。
3.根据权利要求2所述的非晶相化改质机,其中由所述飞秒激光源射出的所述激光束的波长为1020nm至1080nm。
4.根据权利要求1所述的非晶相化改质机,其中所述光束角度扫描器具有单轴旋转。
5.根据权利要求1所述的非晶相化改质机,其中所述小角度为0.01弧度至0.05弧度。
6.根据权利要求1所述的非晶相化改质
...【技术特征摘要】
1.一种非晶相化改质机,用以在单晶材料中形成非晶相改质层,其中所述非晶相化改质机包括:
2.根据权利要求1所述的非晶相化改质机,其中由所述飞秒激光源射出的所述激光束的波长为800nm至1600nm。
3.根据权利要求2所述的非晶相化改质机,其中由所述飞秒激光源射出的所述激光束的波长为1020nm至1080nm。
4.根据权利要求1所述的非晶相化改质机,其中所述光束角度扫描器具有单轴旋转。
5.根据权利要求1所述的非晶相化改质机,其中所述小角度为0.01弧度至0.05弧度。
6.根据权利要求1所述的非晶相化改质机,其中所述光束角度扫描仪为共振式扫描仪、压电材料驱动镜片或是声光调制器。
7.根据权利要求1所述的非晶相化改质机,其中所述飞秒激光源射出的所述激光束的脉冲重复率范围为100khz至10mhz之间的范围,脉冲宽度范围为300飞秒至2000飞秒之间的范围,且脉冲能量为1微焦耳至30微焦耳间之间的范围。
8.根据权利要求7所述的非晶相化改质机,其中所述飞秒激光源射出的所述激光束的所述脉冲重复率范围为500khz至1000khz之间的范围,且所述脉冲宽度范围为1000飞秒至2000飞秒之间的范围。
9.根据权利要求1所述的非晶相化改质机,其中所述激光束经过所述光斑调整器后的光斑质量(m2)为1.0至1.4之间的范围。
10.根据权利要求1所述的非晶相化改质机,其中所述光束角度扫描仪以100赫兹至800赫兹的运动频率进行所述小角度的扫描。
11.一种单晶材料的加工方法,包括:
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【专利技术属性】
技术研发人员:李建中,王柏凯,王上棋,蔡佳琪,李依晴,
申请(专利权)人:环球晶圆股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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