【技术实现步骤摘要】
本专利技术与半导体技术有关；特别涉及一种高电子迁移率晶体管。
技术介绍
1、已知高电子移动率晶体管(high electron mobility transistor，hemt)是具有二维电子气(two dimensional electron gas,2-deg)的一种晶体管，其二维电子气邻近于能隙不同的两种材料之间的异质接合面，由于高电子移动率晶体管并非使用掺杂区域作为晶体管的载子通道，而是使用具有高电子移动性二维电子气作为晶体管的载子通道，因此高电子迁移率晶体管具有高崩溃电压、高电子迁移率、低导通电阻与低输入电容等特性，而能广泛应用于高功率半导体装置中。
2、然而现有的高电子移动率晶体管结构，由于各层的组成材料并不相同，各层的组成材料的热膨胀系数也不同，在不同温度的变化下，来自材料间相异的应力可能会使表面生成裂纹或是产生翘曲、断裂等问题，进而影响到高电子移动率晶体管的耐压表现。因此，如何减少高电子迁移率晶体管结构产生裂纹、翘曲及断裂等缺陷，是亟待解决的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种高电子移动率晶体管外延方法，能减少高电子迁移率晶体管结构产生裂纹、翘曲及断裂等缺陷。
2、缘以实现上述目的，本专利技术提供的一种高电子移动率晶体管外延方法包括以下步骤：提供一基板；于所述基板上形成一成核层；于所述成核层上形成一缓冲层；于所述缓冲层上形成一第一氮化物层，所述第一氮化物层与所述缓冲层接触；于所述第一氮化物层上形成一第二氮化物层，且
3、本专利技术的效果在于，通过所述第一氮化物层及所述第二氮化物层的结构设计，能有效减少所述高电子迁移率晶体管结构产生裂纹、翘曲及断裂等缺陷。
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1.一种高电子移动率晶体管外延方法，包含：
2.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述第一氮化物层与所述第二氮化物层的生长温度的温差大于等于摄氏100度。
3.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述第二氮化物层的Ⅴ/Ⅲ比小于所述第一氮化物层的Ⅴ/Ⅲ比。
4.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述第二氮化物层中的碳浓度与所述第一氮化物层中的碳浓度的比值大于等于10。
5.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述第二氮化物层的膜厚与所述第一氮化物层中的膜厚的比值满足大于等于1且小于等于6的范围。
6.如权利要求1或5所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述第二氮化物层的膜厚与所述第一氮化物层中的膜厚总和小于等于1μm。
7.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管外延方法，包含于所述第二氮化物层上形成一第三氮化物层，所述第三氮化物层与所述第二氮化物层接触；所述第三氮化物层位于所述通道层与所述第二氮化物层之间；其中，所述第二氮化物层的生长温度小于所述第三氮
8.如权利要求7所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述第二氮化物层、所述第三氮化物层及所述第一氮化物层Ⅴ/Ⅲ气体流量比比例为1∶4∶5。
9.如权利要求7所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述第一氮化物层、所述第二氮化物层及所述第三氮化物层包含氮化镓。
10.如权利要求7所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述第三氮化物层的膜厚为2.5μm～3.5μm。
11.如权利要求10所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述第三氮化物层包含多个第三氮化物膜，所述多个第三氮化物膜相互层叠设置，且两相邻的第三氮化物膜的碳浓度较大者与碳浓度较小者的比值满足大于等于10的范围。
12.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管外延方法，包含于所述阻障层上形成一钝化层。
13.如权利要求9所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述高电子移动率晶体管外延结构的翘曲度绝对值小于30μm。
14.如权利要求12所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述高电子移动率晶体管外延结构的(102)面的半峰全宽为小于700arcsec。
15.如权利要求12所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述高电子移动率晶体管外延结构的(002)面的半峰全宽为小于600arcsec。
16.如权利要求12所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述钝化层表面每平方公分直径大于0.5μm的缺陷数量小于10颗。
17.如权利要求12所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中自所述钝化层外周缘处向内延伸的最长裂纹长度小于等于3mm。
18.如权利要求12所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述高电子移动率晶体管的崩溃电压大于等于0.09V/nm。
19.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述缓冲层由AlGaN构成，且所述缓冲层表面Al浓度为25±10％。
...【技术特征摘要】
1.一种高电子移动率晶体管外延方法，包含：
2.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述第一氮化物层与所述第二氮化物层的生长温度的温差大于等于摄氏100度。
3.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述第二氮化物层的ⅴ/ⅲ比小于所述第一氮化物层的ⅴ/ⅲ比。
4.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述第二氮化物层中的碳浓度与所述第一氮化物层中的碳浓度的比值大于等于10。
5.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述第二氮化物层的膜厚与所述第一氮化物层中的膜厚的比值满足大于等于1且小于等于6的范围。
6.如权利要求1或5所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述第二氮化物层的膜厚与所述第一氮化物层中的膜厚总和小于等于1μm。
7.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管外延方法，包含于所述第二氮化物层上形成一第三氮化物层，所述第三氮化物层与所述第二氮化物层接触；所述第三氮化物层位于所述通道层与所述第二氮化物层之间；其中，所述第二氮化物层的生长温度小于所述第三氮化物层的生长温度。
8.如权利要求7所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述第二氮化物层、所述第三氮化物层及所述第一氮化物层ⅴ/ⅲ气体流量比比例为1∶4∶5。
9.如权利要求7所述的高电子移动率晶体管外延方法，其中所述第一氮化物层、所述第二氮化物层及所述第三氮化物层包含氮化镓。
10.如权利要求7所述的高电子移动率晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘嘉哲，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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