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一种高电子移动率晶体管外延方法包括以下步骤：提供一基板；于所述基板上形成一成核层；于所述成核层上形成一缓冲层；于所述缓冲层上形成一第一氮化物层，所述第一氮化物层与所述缓冲层接触；于所述第一氮化物层上形成一第二氮化物层，且于所述第二氮化物层中...
该专利属于环球晶圆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过环球晶圆股份有限公司授权不得商用。

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