半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、栅极电极、第一导电型的第三半导体区域、第二导电型的第四半导体区域、第二电极和第二导电型的第五半导体区域。第一半导体区域设于第一电极之上。第二半导体区域设于第一半导体区域之上。栅极电极在第二方向上隔着栅极绝缘层面对第二半导体区域。第三半导体区域设于第二半导体区域之上。第四半导体区域在第三方向上与第三半导体区域排列。第二电极包含在第二方向上与第三半导体区域及第四半导体区域排列的接触部。第五半导体区域在第一方向上设于第二半导体区域与接触部之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

1、绝缘栅双极晶体管(igbt)、金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)等半导体装置用于电力转换等用途。对于半导体装置，要求闩锁耐量的提高。

技术实现思路

1、实施方式的半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、栅极电极、第一导电型的第三半导体区域、第二导电型的第四半导体区域、第二电极和第二导电型的第五半导体区域。所述第一半导体区域设于所述第一电极之上。所述第二半导体区域设于所述第一半导体区域之上。所述栅极电极在与从所述第一电极朝向所述第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上隔着栅极绝缘层面对所述第二半导体区域。所述第三半导体区域设于所述第二半导体区域之上。所述第四半导体区域设于所述第二半导体区域之上，在与所述第一方向及所述第二方向垂直的第三方向上与所述第三半导体区域排列。所述第四半导体区域具有比所述第二半导体区域高的第二导电型的杂质浓度。所述第二电极包含在所述第二方向上与所述第三半导体区域及所述第四半导体区域排列的接本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉川大辉，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：