【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及带封接材料层的玻璃基板以及气密封装体的制造方法。
技术介绍
1、具备紫外led等电子元件的气密封装体由于寿命长、节能等理由，在照明、通信等各种领域中被利用。
2、在这种气密封装体中，为了保护电子元件，有时在搭载有电子元件的封装基体以电子元件收容于内部的方式盖上玻璃基板(玻璃盖)。
3、例如，在专利文献1中公开有具备搭载有电子元件的封装基体、包围电子元件的周围的框部以及覆盖框部的一端开口的由玻璃基板构成的盖部的气密封装体。另外，在专利文献2中也公开有在封装基体设置用于收纳电子元件的凹部，并具备覆盖该凹部的由玻璃基板构成的盖部的气密封装体。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：国际公开第2015/190242号
7、专利文献2：日本特开2016-027610号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、另外，石英具有难以吸收紫外区域的波长的光的特性。因此，在气密封装体为紫外线led封装体的情况下等，出于提高紫外线透过性的观点，有时在盖部中使用石英基板。
3、但是，当要使用一般的金属焊材(例如金锡焊料)将石英基板与框部、封装基体接合时，各材料间的热膨胀系数的匹配成为问题。即，石英基板的热膨胀系数(约0.6ppm)与一般的金属焊材的热膨胀系数(约12.0ppm)相比非常低，材料间的热膨胀系数差大。其结果是，在接合部或者其附近产生残留应力而容易在石英基板产生破损(例
4、本专利技术的课题在于提供能维持高气密性的玻璃基板以及气密封装体的制造方法。
5、用于解决课题的方案
6、本专利技术人经过深刻研究的结果是发现，通过在紫外线透过率高的玻璃基板形成封接材料层且减小玻璃基板与封接材料层的热膨胀系数差，能解决上述课题，并作为本专利技术而提出。即，本专利技术的带封接材料层的玻璃基板在玻璃基板形成有封接材料层，其特征在于，玻璃基板的在厚度0.2mm时对于250nm以上且小于300nm的平均透过率为85％以上，封接材料层与玻璃基板的在30～300℃的温度范围内的热膨胀系数差为5ppm/℃以下。需要说明的是，“在厚度0.2mm时对于250nm以上且小于300nm的平均透过率”意味着在玻璃基板的厚度为0.2mm以外的情况下换算为厚度0.2mm而计算平均透过率。
7、另外，在本专利技术的带封接材料层的玻璃基板中，优选的是，在玻璃基板的形成有封接材料层的一侧的表面，形成有封接材料层的面积的比例为1～50％。
8、另外，在本专利技术的带封接材料层的玻璃基板中，优选的是，封接材料层具有多个封接图案，封接图案为闭环形状。如此一来，能够针对每个封接图案形成气密封装体，因此能够通过一系列的激光封接，使用一张带封接材料层的玻璃基板而制作气密封装体组(多个气密封装体的集合体)。并且，若将该气密封装体组分割、切断，则能够简便地制作多个气密封装体。需要说明的是，“闭环形状”不仅是指仅由曲线构成的形状，还包括由曲线与直线的组合构成的形状、仅由直线构成的形状(例如四边形形状、其他多边形形状)。
9、另外，在本专利技术的带封接材料层的玻璃基板中，优选的是，封接材料层是至少包括铋系玻璃粉末与耐火性填料粉末的复合粉末的烧结体，封接材料层中的铋系玻璃的含有量为65～95体积％，耐火性填料的含有量为5～35体积％。
10、另外，在本专利技术的带封接材料层的玻璃基板中，优选的是，封接材料层实质上不含有激光吸收剂。这里，“封接材料层实质上不含有激光吸收剂”是指封接材料层中的激光吸收材料的含有量小于1体积％的情况。
11、另外，在本专利技术的带封接材料层的玻璃基板中，优选的是，封接材料层的平均厚度为15μμm以下，将封接材料层的平均厚度除以玻璃基板的厚度得到的值为0.005～0.5。
12、另外，在本专利技术的带封接材料层的玻璃基板中，优选的是，封接材料层的平均宽度为1000μm以下，将封接材料层的平均厚度除以封接材料层的平均宽度得到的值为0.005～0.1。
13、另外，在本专利技术的带封接材料层的玻璃基板中，优选的是，玻璃基板为矩形、圆形以及带定向平面的圆形中的任一形状。
14、优选的是，在玻璃基板的任一表面形成有防反射膜。如此一来，反射损失减少，led器件的光取出效率提高。
15、另外，在本专利技术的带封接材料层的玻璃基板中，优选的是，所述带封接材料层的玻璃基板在利用激光进行的封接中使用。如此一来，容易防止在封接时电子元件的热劣化。
16、本专利技术的气密封装体的制造方法的特征在于，所述气密封装体的制造方法包括如下工序：准备封装基体；准备带封接材料层的玻璃基板，所述封接材料层具有多个封接图案；隔着封接材料层而将封装基体与带封接材料层的玻璃基板层叠配置；从玻璃基板侧照射激光，使封接材料层软化变形，由此将玻璃基板与封装基体气密封接，而得到气密封装体组；以及将气密封装体组分割，而得到多个气密封装体，带封接材料层的玻璃基板为上述的带封接材料层的玻璃基板。
17、本专利技术的气密封装体利用封接材料层将玻璃基板与封装基体气密一体化，其特征在于，玻璃基板的在厚度0.2mm时对于250nm以上且小于300nm的平均透过率为85％以上，封接材料层与玻璃基板的在30～300℃的温度范围内的热膨胀系数差为5ppm/℃以下。
18、专利技术效果
19、根据本专利技术，能够提供能维持高气密性的带封接材料层的玻璃基板以及气密封装体的制造方法。
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1.一种带封接材料层的玻璃基板，在玻璃基板形成有封接材料层，其中，
2.根据权利要求1所述的带封接材料层的玻璃基板，其中，
3.根据权利要求1或2所述的带封接材料层的玻璃基板，其中，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的带封接材料层的玻璃基板，其中，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的带封接材料层的玻璃基板，其中，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的带封接材料层的玻璃基板，其中，
7.根据权利要求1～6中任一项所述的带封接材料层的玻璃基板，其中，
8.根据权利要求1～7中任一项所述的带封接材料层的玻璃基板，其中，
9.根据权利要求1～8中任一项所述的带封接材料层的玻璃基板，其中，
10.根据权利要求1～9中任一项所述的带封接材料层的玻璃基板，其中，
11.一种气密封装体的制造方法，其中，
12.一种气密封装体，利用封接材料层将玻璃基板与封装基体气密一体化，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种带封接材料层的玻璃基板，在玻璃基板形成有封接材料层，其中，
2.根据权利要求1所述的带封接材料层的玻璃基板，其中，
3.根据权利要求1或2所述的带封接材料层的玻璃基板，其中，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的带封接材料层的玻璃基板，其中，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的带封接材料层的玻璃基板，其中，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的带封接材料层的玻璃基板，其中，
【专利技术属性】
技术研发人员：白神彻，
申请(专利权)人：日本电气硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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