【技术实现步骤摘要】
本专利技术的领域涉及用于评估具有电荷俘获层的半导体结构的质量以(例如)确定所述电荷俘获层效率以(例如)确定所述结构是否适于用于射频装置中的方法。所述方法可涉及在通过照明产生电荷载子的同时测量静电参数。所述静电参数可用以确定电荷俘获层效率。
技术介绍
1、半导体晶片用于半导体装置(例如集成电路(ic)芯片、绝缘体上硅(soi)晶片及射频-soi(rf-soi)晶片)的生产中。通常，用于rf-soi的半导体晶片包含高电阻率衬底，其可受高导电率反转或积累层的形成影响。本专利技术或积累层阻碍半导体装置的性能。
2、在一些工艺中，层(例如多晶硅层)经沉积到半导体晶片的表面上以提供密度电荷俘获且借此抑制高导电率反转或积累层的形成。例如，层可经沉积到形成高电阻率衬底与埋藏氧化物(box)之间的界面的表面上以阻碍电荷跨界面移动。
3、在半导体结构中的电荷捕获的有效性取决于多个因素，包含晶体缺陷的密度、多晶硅结构(晶粒大小)、多晶硅沉积[cvd]条件、多晶硅到硅衬底界面的状态、掺杂级、电阻率、界面状态、表面污染物及在装置制造期间应用的热处理。为确保合适电荷俘获效率，在用于rf装置应用的电荷俘获层半导体晶片的制造期间仔细控制及监测大量技术参数。电荷俘获效率的测量是电荷俘获层半导体结构制造的质量控制中的重要组分。
4、测量半导体晶片中的电荷俘获效率的常规方法是基于测试射频(rf)装置性能。rf装置建立于晶片的顶部上且接着被测试。rf装置制造的过程涉及许多技术步骤且耗时。对晶片处理的质量的反馈经延迟且此可引起晶片制造
5、仍需要用于评估半导体结构的质量的方法(例如用于射频装置中)，且特定来说相对较快、非破坏性及不需要rf装置制造的方法。
6、此段落希望向读者介绍可关于在下文中描述及/或主张的本专利技术的各种方面的技术的各种方面。据信此论述能够帮助提供读者背景信息以促进本专利技术的各种方面的较好理解。因此，应理解这些陈述在此意义上阅读且非作为现有技术的认可。
技术实现思路
1、本专利技术的一个方面涉及一种用于评估半导体结构的质量的方法。所述半导体结构具有前表面及大体上平行于所述前表面的背表面。所述半导体结构包括电荷俘获层。所述结构经照明以在所述半导体结构中产生电荷载子。在照明所述结构以在所述半导体结构中产生电荷载子期间或之后测量所述结构的静电参数。所述静电参数选自由(1)所述结构的电容及(2)所述半导体结构的前端与电极之间的电压电势的差组成的群组。基于所述结构的所述经测量静电参数而评估所述半导体结构的所述质量。
2、本专利技术的另一方面涉及一种用于评估半导体结构的质量的方法。所述半导体结构具有前表面及大体上平行于所述前表面的背表面。所述半导体结构包括电荷俘获层。测量所述结构的初始静电参数。所述静电参数选自由(1)所述结构的所述电容及(2)所述半导体结构的前端与电极之间的电压电势的差组成的群组。电荷载子在所述半导体结构中产生。在在所述结构中产生电荷载子期间或之后测量所述结构的受激静电参数。所述受激静电参数与所述初始电子参数相同。
3、对本专利技术的上述提及的方面进行注释的特征存在各种改善。另外的特征也可并入本专利技术的上述方面。这些改善及额外的特征可个别或以任何组合存在。例如，以下关于本专利技术的所说明的实施例的任一者所论述的各种特征可单独或以任意组合并入本专利技术的上述方面中的任一者。
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1.一种用于评估多个半导体结构的质量的方法，所述半导体结构具有前表面及大体上平行于所述前表面的背表面且包括电荷俘获层，所述方法包括通过以下步骤评估每一半导体结构：
2.根据权利要求1所述的方法，其中每一半导体结构包括处理晶片、电介质层、安置于所述电介质层与所述处理晶片之间的电荷俘获层及硅装置层，所述电介质层安置于所述硅装置层与所述电荷俘获层之间。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述处理晶片具有至少约1000Ohm-cm的电阻率。
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括比较每一结构的所述经测量静电参数与基线参数以评估所述结构。
5.根据权利要求1所述的方法，其中以固定注入电平照明所述多个半导体结构。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述静电参数是所述半导体结构的所述电容。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述静电参数是所述半导体结构的所述前表面与电极之间的电压电势的所述差。
8.根据权利要求1所述的方法，其中由激光器照明每一半导体结构。
9.根据权利要求8所述的方法，其中以两
10.一种用于评估半导体结构的质量的方法，所述半导体结构具有前表面及大体上平行于所述前表面的背表面且包括电荷俘获层，所述方法包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述经测量静电参数经标准化为不包括电荷俘获层的半导体结构的经测量静电参数。
12.根据权利要求10所述的方法，其中将所述经测量静电参数与基线参数比较以评估所述结构。
13.根据权利要求10所述的方法，其中评估所述半导体结构的所述质量以确定所述结构对用于射频装置中的适用性。
14.根据权利要求10所述的方法，其包括评估多个半导体结构的质量，其中通过以下步骤评估每一结构：
15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括比较每一结构的所述经测量静电参数与基线参数以评估所述结构。
16.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括仅在经确定为合适的所述结构上形成射频装置。
17.根据权利要求14所述的方法，其中以固定注入电平照明所述多个半导体结构。
18.根据权利要求10所述的方法，其中由激光器照明所述半导体结构。
19.根据权利要求18所述的方法，其中以两个波长照明所述半导体结构。
...【技术特征摘要】
1.一种用于评估多个半导体结构的质量的方法，所述半导体结构具有前表面及大体上平行于所述前表面的背表面且包括电荷俘获层，所述方法包括通过以下步骤评估每一半导体结构：
2.根据权利要求1所述的方法，其中每一半导体结构包括处理晶片、电介质层、安置于所述电介质层与所述处理晶片之间的电荷俘获层及硅装置层，所述电介质层安置于所述硅装置层与所述电荷俘获层之间。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述处理晶片具有至少约1000ohm-cm的电阻率。
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括比较每一结构的所述经测量静电参数与基线参数以评估所述结构。
5.根据权利要求1所述的方法，其中以固定注入电平照明所述多个半导体结构。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述静电参数是所述半导体结构的所述电容。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述静电参数是所述半导体结构的所述前表面与电极之间的电压电势的所述差。
8.根据权利要求1所述的方法，其中由激光器照明每一半导体结构。
9.根据权利要求8所述的方法，其中以两个波长照明每一半导体结构。
10.一种用于...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·科姆，I·佩都斯，王刚，J·L·利贝特，I·拉波波特，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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