半导体结构的形成方法技术

本公开描述一种半导体结构及其形成方法。方法可包括在基板上方形成鳍结构。鳍结构可包括第一牺牲层和第二牺牲层。方法可进一步包括在鳍结构的第一部分中形成凹陷结构，选择性蚀刻鳍结构的第二部分的第二牺牲层上方的鳍结构的第二部分的第一牺牲层，以及在蚀刻的第一牺牲层上形成内间隙壁层，且暴露鳍结构的第二部分的第二牺牲层。部分的第二牺牲层。部分的第二牺牲层。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本公开实施例涉及半导体结构及其形成方法，特别涉及用于全绕式栅极场效晶体管的内间隙壁及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体技术的进步增加了对具有更高存储容量、更快处理系统、更高性能和更低成本的半导体装置的需求。为了满足这些需求，半导体行业不断微缩半导体装置的尺寸，例如纳米片场效晶体管(FET)。这种微缩增加了半导体制造工艺的复杂性。

技术实现思路

[0003]本公开一些实施例提供一种半导体结构的形成方法，方法包括在基板上方形成鳍结构。鳍结构包括第一牺牲层和第二牺牲层。方法进一步包括在鳍结构的第一部分中形成凹陷结构，在鳍结构的第二部分的第二牺牲层上方选择性蚀刻鳍结构的第二部分的第一牺牲层，以及在蚀刻的第一牺牲层上方形成内间隙壁层，且暴露鳍结构的第二部分的第二牺牲层。
[0004]本公开另一些实施例提供一种半导体结构的形成方法，方法包括在基板上方形成第一牺牲层和第二牺牲层，形成凹陷结构以暴露第一牺牲层和第二牺牲层，选择性蚀刻在暴露的第二牺牲层上方的暴露的第一牺牲层，以及形成内间隙壁层以覆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，包括：在一基板上方形成一鳍结构，其中该鳍结构包括一第一牺牲层和一第二牺牲层；在该鳍结构的一第一部分中形成一凹陷结构；在该鳍结构的一第二部...

【专利技术属性】
技术研发人员：张容浩，林佛儒，李芳苇，林立德，林斌彦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：