材料分析方法技术

本发明专利技术提供一种材料分析方法。经由测量仪器测量由多个晶锭经加工而成的多个晶片，以获得各晶锭经加工后的晶片的弯曲度平均值以及各晶片的多个半高宽。基于各晶片的半高宽来计算各晶锭对应的关键因子。利用这些关键因子以及弯曲度平均值来获得回归方程式。及弯曲度平均值来获得回归方程式。及弯曲度平均值来获得回归方程式。

【技术实现步骤摘要】
材料分析方法


[0001]本专利技术涉及一种评估检测方法，尤其涉及一种可用于预测晶锭(ingot)经加工成晶片(wafer)后，该晶片的弯曲度(bow)的材料分析方法。

技术介绍

[0002]晶锭验证一直是非常重要的议题，尤其是晶锭的应力对后续加工制程影响甚巨。其中，晶片的弯曲度直接关系到晶片质量。
[0003]目前业者倘若要得知晶片的弯曲度(bow)，需等到购买晶锭并经过加工制程后才能进行晶片的弯曲度测量，倘若晶片的质量不符合需求，则此颗晶锭便会造成浪费。据此，如何事先评估晶锭的质量以及其晶片弯曲度(bow)的推估，以利晶锭在加工前，即可预测加工后其晶片的质量，减少不必要的浪费为目前其中一个课题。

技术实现思路

[0004]本专利技术是针对一种材料分析方法，可用于预测晶锭经加工成晶片后的弯曲度。
[0005]本专利技术的材料分析方法，包括：经由测量仪器测量由多个晶锭经加工而成的多个晶片，以获得各晶锭经加工后这些晶片的弯曲度平均值以及各晶片的多个半高宽；基于各晶片的半高宽来计算各晶锭对应的关键因子；以及利用这些晶锭对应的多个关键因子以及多个弯曲度平均值来获得回归方程式。
[0006]在本专利技术的一实施例中，所述经由测量仪器测量由所述晶锭经加工而成的所述晶片的步骤包括：分别测量同一晶锭的所述晶片的多个弯曲度，并基于所述弯曲度来计算弯曲度平均值；以及分别测量同一晶锭的第一晶片与第二晶片各自的多个指定位置的所述半高宽。
[0007]在本专利技术的一实施例中，所述第一晶片与第二晶片分别为位于同一晶锭的头尾两端的晶片。
[0008]在本专利技术的一实施例中，基于各晶片的所述半高宽来计算各晶锭对应的关键因子的步骤包括：基于同一晶锭的第一晶片与第二晶片每一个的所述半高宽，计算第一晶片的第一变异系数及第二晶片的第二变异系数；以及基于第一变异系数与第二变异系数，计算所述晶锭对应的关键因子。
[0009]在本专利技术的一实施例中，基于第一变异系数与第二变异系数，计算关键因子的步骤包括：计算第一变异系数与第二变异系数的差值，并取所述差值的绝对值作为关键因子。
[0010]在本专利技术的一实施例中，所述指定位置包括位于第一晶片与第二晶片每一个的中心点位置以及分别位于4个象限的4个代表位置。
[0011]在本专利技术的一实施例中，将第一晶片与第二晶片每一个的中心点位置设定为原点，而将第一晶片与第二晶片每一个划分为4个象限。
[0012]在本专利技术的一实施例中，在获得回归方程式之后，还包括：测量对应至一待测晶锭的待测晶片的半高宽，并据以计算关键因子；以及将关键因子输入至回归方程式，以获得待
测晶锭经加工而成的晶片的预测弯曲度。
[0013]基于上述，本揭示可在加工晶锭之前，利用所述回归方程式获得晶锭经加工成晶片后，晶片的预测弯曲度，以预测晶锭加工后的晶片几何质量，据此，可减少不必要的浪费。
附图说明
[0014]图1是依照本专利技术一实施例的分析系统的方块图；
[0015]图2是依照本专利技术一实施例的材料分析方法的流程图；
[0016]图3是依照本专利技术一实施例的晶锭的示意图；
[0017]图4是依照本专利技术一实施例的指定位置的示意图；
[0018]图5是依照本专利技术一实施例的回归方程式的曲线图。
[0019]附图标记说明
[0020]2:晶锭
[0021]21:第一晶片
[0022]22:第二晶片
[0023]110:测量仪器
[0024]120:分析装置
[0025]S205～S215:材料分析方法各步骤
[0026]300:切片
[0027]P0～P4:指定位置
具体实施方式
[0028]现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
[0029]图1是依照本专利技术一实施例的分析系统的方块图。请参照图1，分析系统包括测量仪器110以及分析装置120。测量仪器110与分析装置120之间例如可通过有线或无线通信方式来进行数据传输。
[0030]测量仪器110包含绕射仪，例如为X射线绕射仪(X
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ray diffractometer，XRD)或光学仪器，例如FRT或Tropel，分别用以测量晶片，以获得每一个晶片中不同点位的半高宽(Full width at half maximum，FWHM)及弯曲度，测量仪器110可以由任何装置实现测量晶片的半高宽以及弯曲度，本专利技术不以此为限。X光绕射仪利用加速电子撞击金属靶材，使其产生X射线，再将X射线照射到晶片上，以便获得晶体结构。当X射线以入射角θ发射至晶格的一平面，绕射峰则产生于符合布拉格条件nλ＝2dsinθ，其中n为整数，λ为入射波的波长，d为原子晶格内的平面间距，而θ则为入射波与散射平面间的夹角。而半高宽则由绕射峰的最高点的一半宽度来获得。半高宽可代表结晶质量，故，在此测量半高宽来作为判断的依据。
[0031]分析装置120为具有运算功能的电子装置，其可采用个人计算机、笔记本计算机、平板计算机、智能手机等或任何具有运算功能的装置来实现，本专利技术不以此为限。分析装置120自测量仪器110接收多个已知晶片的测量数据，藉此来进行训练以获得一预测模型(回归方程式)，以供后续利用待测晶片的测量数据来获得一晶锭经加工成晶片后，其晶片的预测弯曲度。
[0032]图2是依照本专利技术一实施例的材料分析方法的流程图。请参照图2，在步骤S205中，经由测量仪器110测量由多个晶锭经加工而成的多个晶片，以获得各晶锭经加工后的晶片的弯曲度平均值以及各晶片的多个半高宽。在此，每一个晶锭经一个或多个加工制程，例如切割、研磨、抛光等而成晶片(wafer)，并且由测量仪器110逐一测量各晶锭所加工成的多个晶片，以获得每一个晶片的弯曲度。进而，分析装置120利用这些晶片的弯曲度来获得其晶片的弯曲度平均值。
[0033]并且，经由测量仪器110来分别测量这些晶片在多个指定位置的半高宽。在一实施例中，可仅针对同一晶片的头尾两端的晶片，即第一晶片与第二晶片两者在多个指定位置的半高宽。图3是依照本专利技术一实施例的晶锭的示意图。请参照图3，将晶锭2头尾两端的晶片作为第一晶片21与第二晶片22。
[0034]测量仪器110分别测量第一晶片21与第二晶片22两者各自在多个指定位置的半高宽。在此，设定为在5个指定位置来进行采样(测量)。所述5个位置为：中心点位置以及分别位于4个象限的4个代表位置。
[0035]图4是依照本专利技术一实施例的指定位置的示意图。如图4所，晶片300包括指定位置P0～P4。在本实施例中，晶片300例如为晶锭2经加工而成的头尾两端之第一晶片21与第二晶片22其中一者的晶片。以晶片300的中心点位置(指定位置P0)设定为原点(0,0)，将其画分为四个象限，并在四个象限中分别取代表位置P1～P4。其中，举例而言，代表位置P本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种材料分析方法，其特征在于，包括：经由测量仪器测量由多个晶锭经加工而成的多个晶片，以获得每一所述晶锭经加工后所述多个晶片的弯曲度平均值以及每一所述晶片的多个半高宽；基于每一所述晶片的所述半高宽来计算每一所述晶锭对应的关键因子；以及利用所述多个晶锭对应的多个所述关键因子以及多个所述弯曲度平均值来获得回归方程式。2.根据权利要求1所述的材料分析方法，其特征在于，经由所述测量仪器测量由所述多个晶锭经加工而成的所述多个晶片的步骤包括：分别测量每一所述晶锭的同一锭的所述多个晶片的多个弯曲度，并基于所述多个弯曲度来计算所述弯曲度平均值；以及分别测量每一所述晶锭的同一锭的所述多个晶片中的第一晶片与第二晶片每一个的多个指定位置的所述半高宽。3.根据权利要求2所述的材料分析方法，其特征在于，所述第一晶片与所述第二晶片分别为位于同一晶锭的头尾两端的晶片。4.根据权利要求2所述的材料分析方法，其特征在于，基于每一所述晶片的所述多个半高宽来计算每一所述晶锭对应的所述关键因子的步骤包括：基于每一所述晶锭的同一锭的所述第一晶片与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王上棋，徐文庆，蔡佳琪，李依晴，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：