晶锭评估方法技术

本发明专利技术提供一种晶锭评估方法，包括下述步骤。分别基于多个晶锭各自的第一端的第一晶片与第二端的第二晶片的缺陷信息来获得多个统计参数。测量各晶锭的第一端的第一弯曲度与其第二端的第二弯曲度，借此将晶锭标记至对应的多个种类中的其中一个。基于所述晶锭的统计参数与其所标记的类别来建立分类模型。数与其所标记的类别来建立分类模型。数与其所标记的类别来建立分类模型。

【技术实现步骤摘要】
晶锭评估方法


[0001]本专利技术涉及一种评估检测方法，且尤其涉及一种晶锭(ingot)评估方法。

技术介绍

[0002]半导体制造业对产品质量的要求相当严谨，为了提高产品质量，在封装前会挑出不符合质量规格的晶片(wafer)，而不对其进行封装。随着晶片制程越来越复杂，传统的目视检测已难以满足现在的检测需求，因而发展出机器视觉(Machine Vision)的检测方式，运用机器视觉来检测可以降低检测成本、提高检测速度与减少错误判断。而晶锭来料的质量对于加工制程后所获得的晶片的质量影响甚巨。因此如何在晶锭加工制程前便过滤掉质量不佳的晶锭，将是本领域的其中一个课题。

技术实现思路

[0003]本专利技术是针对一种晶锭评估方法，可由晶锭经加工制程而得的晶片来预测晶锭的质量。
[0004]根据本专利技术的实施例，晶锭评估方法包括：分别基于多个晶锭各自的第一端的第一晶片与第二端的第二晶片的缺陷信息来获得多个统计参数；测量各晶锭的第一端的第一弯曲度与其第二端的第二弯曲度，借此将晶锭标记至对应的多个种类中的其中一个；以及基于所述晶锭本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶锭评估方法，其特征在于，包括：分别基于多个晶锭各自的第一端的第一晶片与第二端的第二晶片的缺陷信息来获得多个统计参数；测量每一所述晶锭的所述第一端的第一弯曲度与其所述第二端的第二弯曲度，借此将所述晶锭标记至对应的多个类别中的其中一个；以及基于所述晶锭的所述统计参数与其所标记的类别来建立分类模型。2.根据权利要求1所述的晶锭评估方法，其特征在于，分别基于所述晶锭各自的所述第一端的所述第一晶片与所述第二端的所述第二晶片的缺陷信息来获得所述统计参数的步骤包括：在指定方向上，将所述第一晶片与所述第二晶片各自至少划分为两个区域；基于所述第一晶片的所述缺陷信息，计算对应于所述第一晶片所划分的两个区域的第一缺陷比例以及第二缺陷比例；基于所述第二晶片的所述缺陷信息，计算对应于所述第二晶片所划分的两个区域的第三缺陷比例以及第四缺陷比例；基于所述第一缺陷比例与所述第二缺陷比例，计算第一差值；基于所述第三缺陷比例与所述第四缺陷比例，计算第二差值；基于所述第一差值与所述第二差值，计算第三差值；以及将所述第一差值、所述第二差值以及所述第三差值作为所述统计参数。3.根据权利要求2所述的晶锭评估方法，其特征在于，所述第一缺陷比例与所述第二缺陷比例分别为所述第一晶片所划分的两个区域中的至少一缺陷种类所占的比例，所述第三缺陷比例与所述第四缺陷比例分别为所述第二晶片所划分的两个区域中的所述至少一缺陷种类所占的比例。4.根据权利要求1所述的晶锭评估方法，其中所述缺陷信息包括多个缺陷坐标，每一所述缺陷坐标对应至多个缺陷种类...

【专利技术属性】
技术研发人员：王上棋，李佳融，陈苗霈，蔡佳琪，李依晴，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：