晶圆治具结构及引起高温潜变变形的处理设备制造技术

本发明专利技术提供一种晶圆治具结构及引起高温潜变变形的处理设备，所述晶圆治具结构主要包括了两个可分离的治具。第一治具有一个第一斜面，第二治具含有另一个第二斜面。第一斜面及第二斜面相互平行，并同时倾斜于一个外力施压的方向。当第一治具及第二治具相互靠合，而将晶圆夹置于第一斜面与第二斜面之间时，通过施压外力，此芯片将受到一个沿着芯片表面的剪应力分量。若外力在高温下操作，此晶圆将会出现高温潜变。这个晶圆治具的倾斜结构，及辅助的处理设备，正是说明了利用夹具的倾斜设计，晶圆可以容易激活并发展高温潜变变形，从而改进晶圆的几何形状。晶圆的几何形状。晶圆的几何形状。

【技术实现步骤摘要】
晶圆治具结构及引起高温潜变变形的处理设备


[0001]本专利技术涉及一种晶圆治具结构及处理设备，且尤其涉及一种晶圆治具倾斜设计结构，及可以容易激活并发展高温潜变变形的晶圆高温处理设备。

技术介绍

[0002]在半导体产业中，晶圆(wafer)的材料例如包括硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锑化铟(InSb)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)或硒化锌(ZnSe)。一般而言，制造晶圆的方法包括先形成晶碇(Ingot)，接着将晶碇切片已获得晶圆。晶碇例如是在高温的环境中制造。目前，晶碇的生长方法包括柴可拉斯基法(Czochralski process)、物理气相传输法(Physical Vapor Transport,PVT)、高温化学气相沉积法(High Temperature Chemical Vapor Deposition,HT
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CVD)法以及液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy,LPE)等。
[0003]晶种被置放于高温炉中，晶种接触气态或液态的原料，并形成半导体材料于晶种的表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆治具结构，其特征在于，包括：第一治具，具有第一斜面；以及第二治具，具有第二斜面，其中所述第一治具及所述第二治具相互靠合而使所述第一斜面朝向所述第二斜面且所述第一斜面与所述第二斜面之间形成夹置空间，所述第一治具的外围部分及所述第二治具的外围部分围绕所述夹置空间，且所述第一治具的所述外围部分及所述第二治具的所述外围部分之间具有间隙。2.根据权利要求1所述的晶圆治具结构，其特征在于，当所述第一治具及所述第二治具相互靠合时，所述第一治具及所述第二治具共同构成圆柱状结构。3.根据权利要求1所述的晶圆治具结构，其特征在于，还包括至少一定位件，其中所述第一治具的外周面具有至少一第一沟槽，所述第二治具的外周面具有至少一第二沟槽，所述至少一定位件适于部分地嵌设于所述至少一第一沟槽且部分地嵌设于所述至少一第二沟槽。4.根据权利要求1所述的晶圆治具结构，其特征在于，还包括施力组件，其中所述施力组件适于连接于所述第一治具及所述第二治具，并施加外力于所述第一治具及所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱锦桢，吕建兴，翁敬闳，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：