一种刻蚀机台制造技术

本实用新型专利技术涉及一种刻蚀机台，所述刻蚀机台包括：工作腔室；窗口，设置在所述工作腔室的侧壁上，与所述工作腔室的侧壁密封连接，其中所述窗口包括抗污层，且所述抗污层设置在所述窗口靠近所述工作腔室的一侧；以及检测机构，设置在所述窗口远离所述工作腔室的一侧，且所述检测机构的一端延伸至所述窗口。通过本实用新型专利技术提供的一种刻蚀机台，提高刻蚀准确率。提高刻蚀准确率。提高刻蚀准确率。

【技术实现步骤摘要】
一种刻蚀机台


[0001]本技术涉及刻蚀
，尤其涉及一种刻蚀机台。

技术介绍

[0002]刻蚀技术，是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。随着薄膜器件精密性的不断提升，对刻蚀过程的控制越来越高，而对刻蚀过程的控制取决于对刻蚀重终点的判断。但在刻蚀过程中，易出现检测设备不能准确或者无法抓取信号，造成过刻现象。
[0003]因此，如何防止在刻蚀过程中产生过刻现象是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种刻蚀机台，准确检测刻蚀信号，旨在解决刻蚀过程中产生的过刻问题。
[0005]为解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现的：
[0006]本技术提供一种刻蚀机台，包括：
[0007]工作腔室；
[0008]窗口，设置在所述工作腔室的侧壁上，并与所述工作腔室的侧壁密封连接，其中所述窗口包括抗污层，且所述抗污层设置在所述窗口靠近所述工作腔室的一侧；以及
[0009]检测机构，设置在所述窗口远离所述工作腔室的一侧，且所述检测机构的一端延伸至所述窗口。
[0010]上述通过设置工作腔室、窗口和检测机构，刻蚀样品在工作腔室内完成刻蚀，检测机构通过分析窗口透过的刻蚀信号判断刻蚀终点。窗口上设置了的抗污层，能够准确判断刻蚀终点，提高了刻蚀的准确率，延长了窗口的使用寿命。
[0011]可选地，所述窗口包括基材，所述基材两侧设置有增透层。/>[0012]上述通过在基材两侧设置增透层，有效的增强光透过率，利于检测机构抓取信号。
[0013]可选地，所述抗污层设置在所述增透层上。
[0014]上述通过在窗口与工作腔室直接接触的一面设置抗污层，减少刻蚀生成物在窗口沉积，有效的降低表面脏污速度，样品表面经离子轰击发出的光信号可以被检测机构清晰捕捉，避免过刻现象，延长窗口的使用寿命。
[0015]可选地，所述增透层的厚度为10～60nm。
[0016]可选地，所述抗污层的厚度为10～50nm。
[0017]可选地，所述工作腔室的侧壁上设置有台型通孔，所述台型通孔包括第一通孔，所述第一通孔靠近所述工作腔室的内壁设置。
[0018]可选地，所述台型通孔包括第二通孔，所述第二通孔远离所述工作腔室的内壁设置，且与所述第一通孔连接。
[0019]可选地，所述第二通孔的尺寸为所述第一通孔的尺寸的1.2～2倍。
[0020]上述通过设置台型通孔，且台型通孔的第二通孔的尺寸大于第一通孔的尺寸，以放置窗口，并对窗口进行限位，同时，窗口与工作腔室侧壁的密封性较好。
[0021]可选地，所述刻蚀机台包括控制器，所述控制器设置在所述工作腔室的外侧，且所述控制器和所述检测机构电连接。
[0022]可选地，所述检测机构包括探头，所述探头与所述窗口接触设置。
[0023]上述通过设置探头，便于抓取刻蚀信号，提高刻蚀精度。
[0024]当然，实施本技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1为刻蚀机台的示意图。
[0027]图2为刻蚀机台的局部示意图。
[0028]图3为窗口结构的示意图。
[0029]附图标记说明：
[0030]10
‑
工作腔室；20
‑
电极板；30
‑
抽气管；40
‑
充气管；50
‑
控制器；60
‑
电离结构；70
‑
检测机构；80
‑
处理器；90
‑
窗口；11
‑
第一通孔；12
‑
第二通孔；71
‑
探头；72
‑
第一密封结构；73
‑
第二密封结构；74
‑
连接件；91
‑
抗污层；92
‑
第一增透层；93
‑
第二增透层；94
‑
基材。
具体实施方式
[0031]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
[0032]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
[0033]刻蚀过程中，刻蚀的精确度取决于对刻蚀终点的判断。刻蚀机台的窗口直接接触工作腔室，刻蚀过程中产生的生成物，轻易附着在窗口上。影响检测机构侦测到的光信号，导致检测机构不能准确或者无法抓取信号，造成过刻现象。
[0034]基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
[0035]如图1和图2所示，在本技术一实施例中，刻蚀机台包括工作腔室10、电极板20、抽气管30、充气管40、电离结构60、窗口90和检测机构70等。抽气管30延伸至工作腔室10内，连接工作腔室10和真空系统，用于维持工作腔室10内的真空度。充气管40延伸至工作腔室10内，用于向工作腔室10内注入刻蚀气体。工作腔室10底部设置电极板20，用来吸附刻蚀样品。电离结构60用来电离刻蚀气体，使刻蚀气体呈等离子体，轰击刻蚀样品表面，完成刻
蚀。窗口90设置在工作腔室10的侧壁上，与工作腔室10的侧壁密封连接。工作腔室10外设置检测机构70，且检测机构70的一端延伸至窗口90，用于检测刻蚀样品的刻蚀情况，避免过刻现象，提高刻蚀质量。
[0036]如图1所示，在本技术一实施例中，工作腔室10包括相对设置的底部和顶部，工作腔室10的形状例如为长方体或圆柱体等，又例如为长方体。工作腔室10的外壁例如具有耐等离子刻蚀性能、电性能和绝缘性等性能。
[0037]如图1和图2所示，在本技术一实施例中，刻蚀机台包括至少一个电极板20，电极板20设置在工作腔室10的底部。本技术不限制电极板20的形状，电极板20的形状例如为方形、矩形或圆形等，又例如为圆形。在本实施例中，电极板20具有多层结构，电极板20靠近工作腔室10底部的部分为绝缘层，绝缘层材料例如为具有绝缘性、耐高温、抗腐蚀性的陶瓷材料等，例如为氮化硅陶瓷材料，以避免发生漏电现象，保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀机台，其特征在于，包括：工作腔室；窗口，设置在所述工作腔室的侧壁上，并与所述工作腔室的侧壁密封连接，其中所述窗口包括抗污层，且所述抗污层设置在所述窗口靠近所述工作腔室的一侧；以及检测机构，设置在所述窗口远离所述工作腔室的一侧，且所述检测机构的一端延伸至所述窗口。2.如权利要求1所述的刻蚀机台，其特征在于，所述窗口包括基材，所述基材的两侧设置有增透层。3.如权利要求2所述的刻蚀机台，其特征在于，所述抗污层设置在所述增透层上。4.如权利要求2所述的刻蚀机台，其特征在于，所述增透层的厚度为10～60nm。5.如权利要求1所述的刻蚀机台，其特征在于，所述抗污层的厚度为10～50nm。6.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈洋，苏财钰，张涛，伍修颀，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：