用于增强晶片制造的系统及方法技术方案

本发明专利技术提供一种计算机装置。所述计算机装置包含与至少一个存储器装置通信的至少一个处理器。所述至少一个处理器经编程以在所述至少一个存储器装置中存储用于模拟组装线的一部分的模型及接收正在组装的产品的第一检验的扫描数据，使用所述扫描数据作为输入来执行所述模型以产生所述产品的最终轮廓，将所述最终轮廓与一或多个阈值进行比较，确定所述最终轮廓是否超过所述一或多个阈值中的至少一者，及如果确定所述最终轮廓超过所述一或多个阈值中的至少一者，那么调整所述第一装置。那么调整所述第一装置。那么调整所述第一装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于增强晶片制造的系统及方法
[0001]相关申请案的交叉引用
[0002]此申请案主张2020年2月10日申请的第16/786,579号美国非临时专利申请案的优先权，所述申请案的全部公开内容以引用的方式完整并入本文中。


[0003]
大体上涉及增强晶片制造，且更特定来说，涉及在晶片处理期间使用纳米形貌的增强晶片分析。

技术介绍

[0004]半导体晶片通常在生产集成电路(IC)芯片中用作衬底。芯片制造商需要具有极其平坦且平行的表面的晶片以确保可从每一晶片制造最大数目个芯片。在从铸锭切割之后，晶片通常经历经设计以改进特定表面特征(例如平坦度及平行度)的研磨及抛光工艺。
[0005]同时双面研磨在相同时间对晶片的两个侧操作且产生具有高度平坦化表面的晶片。包含执行双面研磨的研磨机。这些研磨机使用晶片夹持装置来在研磨期间固持半导体晶片。夹持装置通常包括一对流体静力垫及一对研磨轮。所述垫及轮呈相对关系定向以按垂直定向将晶片固持在其之间。在刚性垫在研磨期间不与晶片物理接触的情况下，流体静力垫有利地在相应垫与晶片表面之间产生流体屏障用于固持晶片。此减少可由物理夹持引起的对晶片的损坏，且允许晶片以较小摩擦力相对于垫表面切向移动(旋转)。尽管此研磨工艺可改进经研磨晶片表面的平坦度及/或平行度，但它可引起晶片表面的拓扑的劣化。特定来说，已知流体静力垫及研磨轮夹持平面的未对准引起此劣化。研磨后抛光在经研磨晶片上产生高度反射的镜面晶片表面，但未解决拓扑劣化。
[0006]为了识别且解决拓扑劣化问题，装置及半导体材料制造商考虑晶片表面的纳米形貌。例如，国际半导体设备及材料协会(SEMI)，即半导体行业的全球贸易协会(SEMI文件3089)将纳米形貌定义为晶片表面在约0.2mm到约20mm的空间波长内的偏差。对于经处理半导体晶片，此空间波长非常接近地对应于纳米级表面特征。纳米形貌测量晶片的一个表面的高度偏差，且不考虑晶片的厚度变化(正如传统平坦度测量)。通常使用两种技术(光散射及干涉测量法)来测量纳米形貌。这些技术使用从经抛光晶片的表面反射的光来检测非常小的表面变化。
[0007]双面研磨是管控成品晶片的纳米形貌的一种工艺。纳米形貌缺陷(如C标记(通常在距中心0到50mm的半径内的PV值)及B环(通常在距中心100到150mm的半径内的PV值))在研磨工艺期间形成，且可导致大量良率损失。归因于纳米形貌导致损失的第三缺陷是在线锯切割期间在晶片上产生的入口标记。如果研磨轮相对于晶片有利地定向，那么双面研磨可潜在地减少入口标记。接着，蚀刻晶片并使用基于激光的工具测量晶片。在此之后，在通过纳米映射器检查纳米形貌之前，晶片经历各种下游工艺，如边缘抛光、双面抛光及最终抛光，以及平坦度及边缘缺陷的测量。
[0008]在一些当前系统中，在研磨之后，在研磨工艺中可检测到问题之前，可能已处理数
百个晶片。此外，每一个别生产线及研磨机可具有特定的特性，其可因装置而异。因此，需要一种用于分析晶片以快速且有效地检测研磨工艺中的潜在问题以防止时间及材料的显著损失的系统。
[0009]此现有技术部分旨在向读者介绍可与本公开的各种方面相关的本技术的各种方面，所述方面在下文中描述及/或主张。相信此论述有助于向读者提供背景信息以促进对本公开的各种方面的更佳理解。因此，应理解，应有鉴于此阅读这些陈述，而非作为现有技术的认可。

技术实现思路

[0010]在一个方面中，一种计算机装置包含与至少一个存储器装置通信的至少一个处理器(或“所述处理器”)。所述处理器经编程以在所述至少一个存储器装置中存储用于模拟组装线的一部分的模型。所述处理器还经编程以接收对正在组装的产品的第一检验的扫描数据。在第一装置的操作之后，所述第一检验在所述组装线中的第一检验站处进行。所述处理器经编程以使用所述扫描数据作为输入来执行所述模型以产生所述产品的最终轮廓。所述处理器经编程以将所述最终轮廓与一或多个阈值进行比较。另外，所述处理器经编程以确定所述最终轮廓是否超过所述一或多个阈值中的至少一者。如果确定是所述最终轮廓超过所述阈值中的至少一者，那么所述处理器经编程以导致调整所述第一装置。
[0011]在另一方面中，一种用于分析组装线的方法通过包含与至少一个存储器装置通信的至少一个处理器的运算装置执行。所述方法包含在所述至少一个存储器装置中存储用于模拟组装线的一部分的模型。所述方法还包含接收对正在组装的产品的第一检验的扫描数据。所述第一检验定位于所述组装线中的第一装置之后的所述组装线中的第一检验站处。所述方法进一步包含使用所述扫描数据作为输入来执行所述模型以产生所述产品的最终轮廓。再者，所述方法包含将所述最终轮廓与一或多个阈值进行比较。另外，所述方法包含确定所述最终轮廓是否超过所述一或多个阈值中的至少一者。如果确定是所述最终轮廓超过所述一或多个阈值中的至少一者，那么所述方法包含导致调整所述第一装置。
[0012]存在关于上述的方面所提及的特征的各种改进。进一步特征也可并入上述方面中。这些改进及额外特征可个别或以任何组合存在。例如，下文关于所说明实施例中的任一者论述的各种特征可单独或以任何组合并入到上文描述的方面中的任一者中。
附图说明
[0013]图1说明根据本公开的至少一个实施例的用于处理半导体晶片的系统的框图。
[0014]图2是说明使用图1中展示的系统评估晶片的实例工艺的流程图。
[0015]图3是用于根据图1中展示的系统使用图2中展示的工艺评估晶片的实例系统的简化框图。
[0016]图4说明根据本公开的一个实施例的图3中展示的客户端计算机装置的实例配置。
[0017]图5说明根据本公开的一个实施例的图3中展示的服务器系统的实例配置。
[0018]图6是说明根据至少一个实施例的由测量装置执行的实例线扫描工艺的图。
[0019]图7A及7B是进一步说明图6中展示的实例线扫描工艺的图。
[0020]图8A及8B是根据本公开的一个实施例的晶片的侧视图。
Machines Corporation)的注册商标；Microsoft是华盛顿州雷德蒙(Redmond)的微软公司(Microsoft Corporation)的注册商标；且Sybase是加利福尼亚州都柏林(Dublin)的赛贝斯(Sybase)的注册商标。)
[0033]在另一实施例中，提供计算机程序，且所述程序体现在计算机可读媒体上。在实例实施例中，系统在单个计算机系统上执行，而不需要连接到服务器计算机。在进一步实例实施例中，系统在环境中运行(Windows是华盛顿州雷德蒙(Redmond)的微软公司(Microsoft Corporation)的注册商标)。在又一实施例中，系统在主机环境及服务器环境上运行(UNIX是位于英国伯克郡雷丁(Reading)的X/Open有限公司(X/Open Company Limited)的注册商标)。在进一步实施例中，系统在环境上运行(iOS是位于加利福尼亚州圣何塞(San 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种计算机装置，其包括与至少一个存储器装置通信的至少一个处理器，其中所述至少一个处理器经编程以：在所述至少一个存储器装置中存储用于模拟组装线的一部分的模型；接收对正在组装的产品的第一检验的扫描数据，其中所述第一检验定位于所述组装线中的第一装置之后的所述组装线中的第一检验站处；使用所述扫描数据作为输入来执行所述模型以产生所述产品的最终轮廓；将所述最终轮廓与一或多个阈值进行比较；确定所述最终轮廓是否超过所述一或多个阈值中的至少一者；及如果确定所述最终轮廓超过所述一或多个阈值中的至少一者，那么导致调整所述第一装置。2.根据权利要求1所述的计算机装置，其中所述至少一个处理器经进一步编程以基于组装线的多个检验数据来产生用于模拟所述组装线的一部分的所述模型。3.根据权利要求2所述的计算机装置，其中所述组装线包含在所述组装线的第二装置之后的第二检验站，且其中所述模型产生所述产品的所述最终轮廓，其模拟所述产品在到达所述第二检验站后的实际轮廓。4.根据权利要求3所述的计算机装置，其中所述第二检验站定位在所述组装线完成之后。5.根据权利要求3所述的计算机装置，其中所述多个检验数据包含在所述第一检验站处的多个个别产品的第一多个扫描数据及在所述第二检验站处的所述多个个别产品的第二多个扫描数据。6.根据权利要求5所述的计算机装置，其中所述至少一个处理器经进一步编程以：接收在所述第二检验站处正在组装的产品的第二检验的扫描数据；将所述第二检验的所述扫描数据与所述最终轮廓进行比较；及基于所述比较调整所述模型。7.根据权利要求1所述的计算机装置，其中所述产品是半导体晶片。8.根据权利要求7所述的计算机装置，其中所述第一装置是研磨机，且其中所述第一检验站包含纳米形貌测量装置。9.根据权利要求1所述的计算机装置，其中所述至少一个处理器经进一步编程以：基于所述最终轮廓与一或多个阈值及所述模型的所述比较来产生对第一装置的一或多个调整；及将所述一或多个调整传输到用户及所述第一装置中的至少一者。10.根据权利要求1所述的计算机装置，其中如果确定所述最终轮廓超过所述一或多个阈值中的至少一者，那么所述至少一个处理器经进一步编程以：分析多个先前检验以确定趋势；基于所述趋势来预测对后续产品的后续检验是否可超过所述一或多个阈值中的至少一者；及基...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：