【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种碳化硅晶体及碳化硅晶片。
技术介绍
1、目前，硅晶片已被广泛的运用于半导体产业中。许多电子装置内都包含了以硅晶片(silicon wafer)做为材料所生产的硅芯片(silicon chip)。然而，为了提升芯片的效能。目前许多厂商尝试以碳化硅晶片(silicon carbide wafer)做为材料以生产碳化硅芯片(silicon carbide chip)。碳化硅晶片具有耐高温与稳定性高等优点。
2、就现有技术来说，在生长n-型碳化硅晶体时，常见的方法是提高氮掺杂浓度，让电阻率更低将对下游元件有更好的使用,且电性效能提升。然而，因为掺杂浓度高易造成基面位错(basal plane dislocations，bpd)、柱状层错(bar stacking fault，bsf)的增加，因此一般业界于长晶时尽可能不进行高度掺杂，反而容易导致电阻率偏高，且电阻均匀性也不佳。若是能够使碳化硅晶体具有均匀的电阻分布，则能够降低晶体应力，且加工完成后的晶片几何亦会较优，除此之外，之后制作成碳化硅器件的电性及效能也较...
【技术保护点】
1.一种碳化硅晶体，其中所述碳化硅晶体的单晶比例为100％，所述碳化硅晶体的电阻率为15mΩ·cm至20mΩ·cm的范围内，且所述碳化硅晶体的电阻率均匀性偏差为小于0.4％。
2.如权利要求1所述的碳化硅晶体，其中所述碳化硅晶体的单晶比例为100％，所述碳化硅晶体的电阻率为19mΩ·cm至20mΩ·cm的范围内，且所述碳化硅晶体的电阻率均匀性偏差为小于0.4％。
3.如权利要求1所述的碳化硅晶体，其中所述电阻率均匀性偏差为小于0.01％。
4.如权利要求1所述的碳化硅晶体，其中所述碳化硅晶体的基面位错小于200个/cm2。
<...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体，其中所述碳化硅晶体的单晶比例为100％，所述碳化硅晶体的电阻率为15mω·cm至20mω·cm的范围内，且所述碳化硅晶体的电阻率均匀性偏差为小于0.4％。
2.如权利要求1所述的碳化硅晶体，其中所述碳化硅晶体的单晶比例为100％，所述碳化硅晶体的电阻率为19mω·cm至20mω·cm的范围内，且所述碳化硅晶体的电阻率均匀性偏差为小于0.4％。
3.如权利要求1所述的碳化硅晶体，其中所述电阻率均匀性偏差为小于0.01％。
4.如权利要求1所述的碳化硅晶体，其中所述碳化硅晶体的基面位错小于200个/cm2。
5.如权利要求4所述的碳化硅晶体，其中所述碳化硅晶体的基面位错小于140个/cm2。
6.如权利要求1所述的碳化硅晶体，其中所述碳化硅晶体的柱状层错小于5个/晶片。
7.一种碳化硅晶片，其中所述碳化硅晶片的单晶比例为100％，所述碳化硅晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：林钦山，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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