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一种碳化硅晶体及碳化硅晶片。所述碳化硅晶体及碳化硅晶片的单晶比例为100％，其电阻率为15mΩ·cm至20mΩ·cm的范围内，且其电阻率均匀性偏差为小于0.4％。...
该专利属于环球晶圆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过环球晶圆股份有限公司授权不得商用。

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