碳化硅晶体的生长方法技术

提供一种碳化硅晶体的生长方法。所述生长方法包括以下的步骤。提供包含碳元素以及硅元素的原料以及位于原料上方的籽晶于反应器内。进行碳化硅晶体的生长制程，其中生长制程包括加热反应器以及原料，以形成碳化硅晶体于籽晶上。在生长制程中是调整碳化硅晶体的轴向温梯(△Tz)与径向温梯(△Tx)的比例差(△Tz/△Tx)，以控制所述比例差在0.5至3的范围内来形成所述碳化硅晶体。通过上述生长方法所形成的碳化硅晶体能够具有均匀的电阻率分布以及优良的几何表现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种碳化硅晶体，且特别是有关于一种碳化硅晶体的生长方法。

技术介绍

1、目前，硅晶片已被广泛的运用于半导体产业中。许多电子装置内都包含了以硅晶片(silicon wafer)做为材料所生产的硅芯片(silicon chip)。然而，为了提升晶片的效能。目前许多厂商尝试以碳化硅晶片(silicon carbide wafer)做为材料以生产碳化硅芯片(silicon carbide chip)。碳化硅晶片具有耐高温与稳定性高等优点。

2、就现有技术来说，在生长n-型碳化硅晶体时，通常会有所形成的晶体的电阻率不均匀的问题。若是能够使碳化硅晶体具有均匀的电阻分布，则能够降低晶体应力，且加工完成后的晶片几何亦会较优，除此之外，之后制作成碳化硅器件的电性及效能也较佳。基于此，如何产出具有均匀的电阻率的碳化硅晶体为目前所欲解决的问题。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种碳化硅晶体的生长方法，透过控制碳化硅晶体的轴向温梯与径向温梯的比例差以及调节氮浓度的掺杂量来产出具有均匀的电阻率的碳化硅晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅晶体的生长方法，包括：

2.如权利要求1所述的方法，其中是控制所述比例差在2至3的范围内来形成所述碳化硅晶体。

3.如权利要求2所述的方法，其中是控制所述比例差在2.5至3的范围内来形成所述碳化硅晶体。

4.如权利要求1所述的方法，其中在所述生长制程的期间更包括增加氮浓度的掺杂量，以使所述氮浓度由第一浓度增加至第二浓度。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述第一浓度为2×1018原子/cm3，且所述第二浓度为3×1018原子/cm3。

6.如权利要求4所述的方法，其中所述第一浓度为2.1×1018原子/cm3，且所...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅晶体的生长方法，包括：

2.如权利要求1所述的方法，其中是控制所述比例差在2至3的范围内来形成所述碳化硅晶体。

3.如权利要求2所述的方法，其中是控制所述比例差在2.5至3的范围内来形成所述碳化硅晶体。

4.如权利要求1所述的方法，其中在所述生长制程的期间更包括增加氮浓度的掺杂量，以使所述氮浓度由第一浓度增加至第二浓度。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述第一浓度为2×1018原子/cm3，且所述第二浓度为3×1018原子/cm3。

6.如权利要求4所述的方法，其中所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林钦山，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：