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提供一种碳化硅晶体的生长方法。所述生长方法包括以下的步骤。提供包含碳元素以及硅元素的原料以及位于原料上方的籽晶于反应器内。进行碳化硅晶体的生长制程，其中生长制程包括加热反应器以及原料，以形成碳化硅晶体于籽晶上。在生长制程中是调整碳化硅晶体的...
该专利属于环球晶圆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过环球晶圆股份有限公司授权不得商用。

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