【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文描述的实施例一般涉及用于支座组件的设备。特别地，本公开的实施例是用于加热的支座组件的冲洗环。
技术介绍
1、在例如诸如原子层沉积(ald)腔室或化学气相沉积(cvd)腔室的半导体晶圆处理腔室中，晶圆背侧压力控制和边缘冲洗为晶圆处理提供了优点。晶圆背侧压力控制可提供改善的晶圆温度均匀性。边缘冲洗可防止晶圆背侧和弯曲边缘上的沉积。
2、传统的背侧压力控制是通过靠近晶圆边缘的支座表面上的密封带来实现的。气体流动路径经过支座至晶圆后面的袋部并进入密封带。通过控制流率、测量压力并具有绕过腔室通往泵的流动路径的部件来完成压力控制。
3、传统的边缘冲洗可通过几种不同的技术来实现。可将气体输送穿过支座中的管线，并经由递归通道、靠近支座圆周的气室或两者的组合来将气体分配到晶圆边缘的边缘下侧。该技术需要一种环绕晶圆的边缘环设计来引导气体流动。边缘环可被集成到支座中或为分开的部件。边缘冲洗技术的有效性受限于流动在晶圆边缘周围分布的好坏程度。
4、氩(ar)是用于边缘冲洗的常用气体。尽管氩(ar)在边缘冲洗期间流经加热器...
【技术保护点】
1.一种支座组件，包括：
2.根据权利要求1所述的支座组件，其中所述多个孔隙具有在6至36个的范围的孔隙。
3.根据权利要求1所述的支座组件，其中所述冲洗环中的所述孔隙中的每一者与所述基板支撑件中的所述在圆周上间隔的冲洗出口的其中一者对齐。
4.根据权利要求1所述的支座组件，其中所述基板支撑件和所述冲洗环进一步包括互补对齐特征，所述互补对齐特征被配置为协作地相互作用以将所述多个孔隙与所述多个在圆周上间隔的冲洗出口对齐。
5.根据权利要求1所述的支座组件，其中所述冲洗环进一步包括热膨胀特征。
6.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种支座组件，包括：
2.根据权利要求1所述的支座组件，其中所述多个孔隙具有在6至36个的范围的孔隙。
3.根据权利要求1所述的支座组件，其中所述冲洗环中的所述孔隙中的每一者与所述基板支撑件中的所述在圆周上间隔的冲洗出口的其中一者对齐。
4.根据权利要求1所述的支座组件，其中所述基板支撑件和所述冲洗环进一步包括互补对齐特征，所述互补对齐特征被配置为协作地相互作用以将所述多个孔隙与所述多个在圆周上间隔的冲洗出口对齐。
5.根据权利要求1所述的支座组件，其中所述冲洗环进一步包括热膨胀特征。
6.根据权利要求1所述的支座组件，其中所述冲洗环是从所述基板支撑件可移除的。
7.根据权利要求1所述的支座组件，其中所述冲洗环具有在1mm至5mm的范围的厚度。
8.根据权利要求1所述的支座组件，其中在所述基板支撑件和所述冲洗环在375摄氏度的温度下时，所述冲洗环具有比所述壁架外周边面的外直径大0.5mil至5mil的范围的内直径。
9.根据权利要求1所述的支座组件，其中所述冲洗环中的所述多个孔隙中的每一者具有在10mil至80mil的范围的水力直径。
10.根据权利要求1所述的支座组件，其中所述多个孔隙中的每一者是具有在20mil至50mil的范围的直径的圆。
11.根据权利要求10所述的支座组件，其中所述多个孔隙中的每一者在所述外直径面中具有比所述内直径面大的开口，且所述孔隙中的每一者的所述直径是在所述内直径面测量的。
12.根据权利要求1所述的支座组件，进一步包括支撑基座，所述支撑基座具有顶部表面，所述基板支撑件具有在所述基板支撑件的底部表面中形成的多个凹部，使得在所述基板支撑件连接至所述支撑基...
【专利技术属性】
技术研发人员：穆罕纳德·穆斯塔法，马里奥·D·西尔韦蒂，凯文·格里芬，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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