一种半导体器件及其制造方法和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。包括：提供器件衬底，在器件衬底的正面形成前端器件；沉积形成层间介电层覆盖前端器件及暴露的器件衬底的正面；在层间介电层上形成图案化的掩膜层，以覆盖前端器件对应的区域，暴露前端器件以外的区域；以图案化的掩膜层为掩膜，依次刻蚀暴露的前端器件以外的区域的层间介电层和部分器件衬底，以形成密封环开口；去除图案化的掩膜层；沉积形成金属层填充所述密封环开口，以形成位于前端器件以外的区域的密封环。根据本发明专利技术的制造方法，环绕前端器件形成密封环，其在之后的切割过程中有助于应力的释放，可以防止芯片的破损，提高器件的良率和性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法和电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。
技术介绍
与前照式(FSI)图像传感器相比，背照式(BSI)图像传感器可以减少/避免电路层或氧化层对光线的吸收和反射，因而具有较高的灵敏度和信噪比。在现有的BSI工艺过程中，往往需要对器件衬底进行背部研磨工艺，研磨后器件衬底的厚度约为3～4μm。然而，由于衬底变薄，在后续切割时很容易使芯片破损，进而影响器件的良率和性能。因此，有必要提出一种新的半导体器件及其制造方法，以解决上述技术问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。针对现有技术的不足，本专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：步骤S1：提供器件衬底，在所述器件衬底的正面形成前端器件；步骤S2：沉积形成层间介电层覆盖所述前端器件及暴露的所述器件衬底的正面；步骤S3：在所述层间介电层上形成图案化的掩膜层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：步骤S1：提供器件衬底，在所述器件衬底的正面形成前端器件；步骤S2：沉积形成层间介电层覆盖所述前端器件及暴露的所述器件衬底的正面；步骤S3：在所述层间介电层上形成图案化的掩膜层，以覆盖所述前端器件对应的区域，暴露所述前端器件以外的区域；步骤S4：以所述图案化的掩膜层为掩膜，依次刻蚀暴露的所述前端器件以外的区域的所述层间介电层和部分所述器件衬底，以形成密封环开口；步骤S5：去除所述图案化的掩膜层；步骤S6：沉积形成金属层填充所述密封环开口，以形成位于所述前端器件以外的区域的密封环。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，包括：步骤S1：提供器件衬底，在所述器件衬底的正面形成前端器件；步骤S2：沉积形成层间介电层覆盖所述前端器件及暴露的所述器件衬底的正面；步骤S3：在所述层间介电层上形成图案化的掩膜层，以覆盖所述前端器件对应的区域，暴露所述前端器件以外的区域；步骤S4：以所述图案化的掩膜层为掩膜，依次刻蚀暴露的所述前端器件以外的区域的所述层间介电层和部分所述器件衬底，以形成密封环开口；步骤S5：去除所述图案化的掩膜层；步骤S6：沉积形成金属层填充所述密封环开口，以形成位于所述前端器件以外的区域的密封环。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤S2中还包括步骤：形成贯穿所述层间介电层与所述前端器件相连接的多个接触孔开口。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤S6中，包括步骤：S61：沉积所述金属层填充所述接触孔开口和所述密封环开口并溢出；S62：执行化学机械研磨步骤，停止于所述层间介电层的顶面上，以形成与所述前端器件相连接的接触孔以及位于所述前端器件以外的区域的密封环。4.根据权利要求1或3所述的制造方法，其特征在于，所述金属层的材料包括W。5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述密封环环绕所述前端器件，所述密封环的形状为圆环或矩形环。6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述密封环位于所述器件衬底内的高度范围为1μm至5μm。7.根据权利要求1所述的制造方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凤莲，倪景华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31