一种半导体器件及其制造方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、层间介电层和具有接触孔开口图案的掩膜层；蚀刻层间介电层，直至在所述接触孔开口图案的下部残留部分层间介电层；去除所述掩膜层；完全去除位于所述接触孔开口图案下部的残留的层间介电层，以形成贯通所述层间介电层的接触孔，同时圆化位于所述接触孔顶部附近的所述层间介电层；去除露出的蚀刻停止层。根据本发明专利技术，提供了一种具有新的蚀刻轮廓的接触孔，可以扩大形成接触塞的工艺窗口，提升产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法、电子装置
本专利技术涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法、电子装置。
技术介绍
随着半导体器件特征尺寸的不断缩减，在层间介电层中形成底部电性连接金属硅化物层的接触塞时，由于形成的接触孔的深宽比很大，导致接触孔的顶部开口的尺寸临近形成接触塞的工艺窗口边际，采用沉积工艺形成接触塞时不能完全填充整个接触孔，容易形成诸如空洞之类的缺陷，造成接触塞的开路。因此，需要提出一种方法，以解决上述问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、层间介电层和具有接触孔开口图案的掩膜层；蚀刻所述层间介电层，直至在所述接触孔开口图案的下部残留部分层间介电层；去除所述掩膜层；完全去除位于所述接触孔开口图案下部的所述残留的层间介电层，以形成贯通所述层间介电层的接触孔，同时圆化位于所述接触孔顶部附近的所述层间介电层。在一个示例中，在完全去除位于所述接触孔开口图案下部的所述残留的层间介电层的步骤中，所述层间介电层的表面部分也被同时去除。在一个示例中，所述层间介电层表面部分被去除本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、层间介电层和具有接触孔开口图案的掩膜层；蚀刻所述层间介电层，直至在所述接触孔开口图案的下部残留部分层间介电层；去除所述掩膜层；完全去除位于所述接触孔开口图案下部的所述残留的层间介电层，以形成贯通所述层间介电层的接触孔，同时圆化位于所述接触孔顶部附近的所述层间介电层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、层间介电层和具有接触孔开口图案的掩膜层；蚀刻所述层间介电层，直至在所述接触孔开口图案的下部残留部分层间介电层；去除所述掩膜层；完全去除位于所述接触孔开口图案下部的所述残留的层间介电层，以形成贯通所述层间介电层的接触孔，同时圆化位于所述接触孔顶部附近的所述层间介电层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在完全去除位于所述接触孔开口图案下部的所述残留的层间介电层的步骤中，所述层间介电层的表面部分也被同时去除。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述层间介电层表面部分被去除的部分的厚度为100埃-200埃。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层包括自下而上层叠...

【专利技术属性】
技术研发人员：张城龙，黄敬勇，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31