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本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、层间介电层和具有接触孔开口图案的掩膜层；蚀刻层间介电层，直至在所述接触孔开口图案的下部残留部分层间介电层；去除所述掩膜层；完全去...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。