【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
动态存储器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)由于其架构的关系,需利用重刷新动作(refresh)来维持其记忆胞中所存储的数据的正确性。在公知技术中,重刷新动作可以通过所谓的丛发式(burst mode)的重刷新方式或是分配式(distribute mode)重刷新方式来进行。在动态存储器的自动重刷新(auto-refresh)阶段中,是采用丛发式的重刷新方式,而当其由自动重刷新阶段切换至自刷新(self-refresh)阶段时,重刷新动作则被切换成分配式重刷新方式来进行。请参照图1,图I为公知的动态存储器的重刷新状态的示意图。其中,当在时间T1时,动态存储器由自动重刷新阶段切换至自刷新阶段,并启动分配式重刷新模式。在分配式重刷新模式,动态存储器的每一条字元线(word line)是依据一个延迟时间来依序进行重刷新的。由于时间T1可能会随时发生,因此字元线Wn被重刷新的时间点与前一次进行丛发式重刷新动作BR的时间点,很容易产生间隔过长的情形,而导致字元线Wn上的记忆胞所存储的数据产生漏失的现象。 ...
【技术保护点】
一种动态存储器的重刷新电路,包括:一控制器,传送一自刷新启动信号;以及一重刷新信号产生器,耦接该控制器,依据该自刷新启动信号以启动一自刷新模式,该重刷新信号产生器在该自刷新模式被启动时,先针对该动态存储器的一记忆胞阵列执行一丛发式重刷新动作后,接着再针对该记忆胞阵列执行一分配式重刷新动作。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:林哲民,
申请(专利权)人:华邦电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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