自我刷新控制电路和包含自我刷新控制电路的存储器制造技术

技术编号:8162218 阅读:158 留言:0更新日期:2013-01-07 19:54
本发明专利技术公开了一种用于控制存储器件的自我刷新操作的自我刷新控制电路,所述自我刷新控制电路包括:自我刷新控制逻辑模块,所述自我刷新控制逻辑模块被配置成控制存储器件以执行自我刷新操作;以及初始刷新控制模块,所述初始刷新控制模块被配置成在存储器件的初始化时段将自我刷新控制逻辑模块激活。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的示例性实施例涉及一种存储器,更具体而言,涉及一种存储器的自我刷新操作。
技术介绍
存储器件接收不同的设置值和设置操作定时以在电源供应然后经过一定的时间直到电源供应稳定之后开始操作。图I说明双数据速率3(DDR3)同步动态随机存取存储(SDRAM)器件。参见图I,供应电源电压VDD和VDDQ,并且复位信号RESETB (用于将芯片中的各种电路复位的信号)被使能成逻辑低电平以将各种内部电路诸如存储器件的锁存电路的值初始化。在完成这种初始化过程之后,即在“101”时刻,时钟使能信号CKE被使能成逻辑高电平以开始存储器件的同步操作,并基于作为命令COMMAND和存储体地址BA施加的值来设置各种值MRS和MR。在图I中,“CK”表示时钟,“CK#”表示反相的时钟,以及“CKE”表示时钟使能信号,所述时钟使能信号是指示存储器件要与时钟同步操作的时段的信号。此外,“MRS”和“MR#”指示设置在存储器件中的各种设置值。用斜线标记的部分表示“不管(don' t care)”时段。在图I中,“tXPR”表示复位CLE退出时间;“tMRD”表示模式寄存器组(MRS)命令的周期时间;“tM本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于控制存储器件的自我刷新操作的自我刷新控制电路,包括:自我刷新控制逻辑模块,所述自我刷新控制逻辑模块被配置成控制所述存储器件以执行所述自我刷新操作;以及初始刷新控制模块,所述初始刷新控制模块被配置成在所述存储器件的初始化时段将所述自我刷新控制逻辑模块激活。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:黄正太
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:

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