【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种伪静态随机存取记忆体(存储器)的运作方法及相关记忆装置，尤其涉及一种可自动调整伪静态随机存取记忆体的延迟时间的方法及相关记忆装置。
技术介绍
随机存取记忆体(random access memory, RAM)是一种数据储存装置，主要可分为静态随机存取记忆体(static random access memory, SRAM)和动态随机存取记忆体(dynamic random access memory, DRAM)两种类型。在动态随机存取记忆体中，每一记忆单元是由一对晶体管-电容所组成，电容可呈现带电状态或未带电状态，而晶体管的作用等同开关，使得周边控制电路能读取或变更电容状态。电容内储存的电量仅能维持几毫秒，因此需要周期性地执行刷新动作以维持正确数据。在静态随机存取记忆体中，每一记忆单元是由正反器所组成，在通电状态下不需要执行刷新动作就能维持数据，因此存取速度较快，但体积和耗电量也较大。伪静态随机存取记忆体(pseudo-staticrandom access memory, PSRAM)米用动态随机存取记忆体的记忆单元结构和静态随机存取记...
【技术保护点】
一种伪静态随机存取记忆体的运作方法，其特征在于，包含：在收到一外部指令信号时，若该伪静态随机存取记忆体并未在执行一特定运作，或已经完成该特定运作且符合一相对应的时序参数，依据一第一延迟时间来执行该外部指令信号；以及在收到该外部指令信号时，若该伪静态随机存取记忆体正在执行该特定运作，或已经完成该特定运作但尚未符合该时序参数，依据一第二延迟时间来执行该外部指令信号，其中该第二延迟时间大于该第一延迟时间。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈和颖，刘士晖，
申请(专利权)人：钰创科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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