【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种可追踪时序参数的记忆装置，尤其涉及一种可双向追踪动态随机存取记忆体(存储器)时序参数的记忆装置。
技术介绍
随机存取记忆体(random access memory, RAM)是一种数据储存装置，主要可分为静态随机存取记忆体(static random access memory, SRAM)和动态随机存取记忆体(dynamic random access memory, DRAM)两种类型。在动态随机存取记忆体中，每一记忆单元(cell)是由一对晶体管-电容所组成，电容可呈现带电状态或未带电状态，而晶体管的作用等同开关，使得周边控制电路能读取或变更电容状态。电容内储存的电量仅能维持几毫秒，因此需要周期性地执行刷新动作以维持正确数据。在收到一特定指令时，动态随机存取记忆体需要一执行时间来完成相对应的动作，之后还需经过一等待时间后才能正确地接收下一指令。上述执行时间和等待时间称为时序参数(timing constraint),动态随机存取记忆体在运作时需符合在相关规范中定义的所有时序参数。然而，在相关于动态随机存取记忆体的规范中定义许多时序参数，...
【技术保护点】
一种可双向追踪时序参数的记忆装置，其特征在于，包含：一动态随机存取记忆体，其包含：一记忆单元；一字符线，用来开启或关闭该记忆单元；一位元线，用来将一第一电荷写入该记忆单元，或接收该记忆单元内存的一第二电荷；一第一双向追踪电路，用来检测一第一时序参数，其中该第一时序参数相关于开启该字符线或关闭该字符线的动作；以及一第二双向追踪电路，用来检测一第二时序参数，其中该第二时序参数相关于开启该位元线、关闭该位元线、通过该位元线将该第一电荷写入该记忆单元、或通过该位元线从该记忆单元读取该第二电荷的动作。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈和颖，张宏任，夏濬，
申请(专利权)人：钰创科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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