【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储器件和包括该存储器件的存储系统，更具体地，涉及与单存储列和多存储列兼容的存储器件和包括该存储器件的存储系统。
技术介绍
诸如DRAM (动态随机存取存储器)的半导体存储器件被广泛地用作例如服务器的计算机的主存储器。主存储器的存储容量和速度需求持续提高以支持高速硬件和复杂软 件。已经开发多种技术以实现海量存储器。
技术实现思路
本专利技术构思提供一种存储器件和包括该存储器件的存储系统，其中多个堆叠的存储器层根据模式信号选择性地作为单存储列或多存储列工作。根据一些实施例的存储器件包括第一存储器层和堆叠在第一存储器层上的第二存储器层。第一存储器层和第二存储器层被配置为接收至少一个地址信号和/或至少一个芯片选择信号，被配置为响应于该至少一个地址信号和/或该至少一个芯片选择信号选择性地在单存储列模式下或在双存储列模式下工作。在一些实施例中，第一存储器层和第二存储器层是相同的类型的存储器芯片，并且第一存储器层和第二存储器层的每个包括在其中形成存储单元的核心电路单元、以及相对于存储单元形成的外围电路单元。—些实施例规定第一存储器层和第二存储器层是不同的类型的存储器芯...
【技术保护点】
一种存储器件，包括：第一存储器层；以及堆叠在第一存储器层上的第二存储器层，其中，第一存储器层和第二存储器层被配置为接收至少一个地址信号和/或至少一个芯片选择信号，而且其中，第一存储器层和第二存储器层被配置为响应于该至少一个地址信号和/或该至少一个芯片选择信号选择性地在单存储列模式下或在双存储列模式下工作。
【技术特征摘要】
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