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提高集成电路双极型三极管抗辐射的方法技术
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文档序号:9199254
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一种提高集成电路双极型三极管抗辐射的方法,包括一个NPN双极型三极管,其上已经形成了可变厚度的氧化层。改善该晶体管抗辐射的方法是:先去除可变厚度的氧化层,使得三极管形成一个新的氧化层,新的氧化层比去除的氧化层的总体积少。...
该专利属于苏州硅智源微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州硅智源微电子有限公司授权不得商用。
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