一种离子自对准注入的超结MOSFET及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种离子自对准注入的超结MOSFET及制造方法，在制造MOS管工艺中，利用氧化物层作为阻挡层比用光刻胶作为阻挡层时，其离子注入效果好，刻蚀之后的特征尺寸不会因为侧墙而受到影响；同时，减少了离子注入时光刻的工艺步骤，其不仅能降低生产成本，减缓光刻机的折旧速度，还能较少整个工艺过程的时间，从而给企业带来良好的经济效益。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种自对准离子注入的超结MOSFET制造方法，其特征在于以下步骤：（1）.提供一个半导体，所述半导体包括半导体衬底和在半导体衬底表面淀积形成的第一导电外延层，在第一导电外延层上用刻蚀方法形成多个沟槽；?（2）.在半导体的主表面淀积第二导电外延层，所述第二导电外延层填充于沟槽内，形成第二导电外延柱；（3）.利用化学机械抛光法除去半导体主表面上的第二导电外延层；?（4）.在半导体的主表面上均匀生长第一层氧化物，利用光刻胶作为掩蔽层，对该第一层氧化物进行光刻和刻蚀，保留第二导电外延柱上方的第一层氧化物；（5）.光刻、刻蚀，注入第一类杂质离子形成阱区；（6）.去除上述半导体主表面上的光刻胶，并在半导体的主表面上生长栅氧化物,所述栅氧化物覆盖上述第一层氧化物；（7）.在上述半导体的主表面上淀积多晶硅，所述多晶硅覆盖上述的栅氧化物；（8）.利用光刻胶作掩蔽层，选择性地刻蚀上述多晶硅，形成栅氧化层区；（9）.以上述第一层氧化物区和栅氧化层区域作为第二类杂质离子注入掩蔽层，在未被覆盖的区域，第二杂质离子穿透第一导电外延层和第二导电外延层的上表面，以定义源漏区，所述第二类杂质离子位于阱区内；（10）.去除上述半导体主表面上的第一层氧化物和位于第一层氧化物上的栅氧化物和多晶硅，然后在半导体主表面上淀积绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖多晶硅；（11）.在上述绝缘介质层上进行接触孔光刻和刻蚀，得到源极引线孔；（12）.在上述半导体的主表面上淀积金属层，所述金属层覆盖于绝缘介质层上，通过对金属层进行光刻和刻蚀得到源极金属。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯明宪，王加坤，门洪达，李东升，张伟，
申请(专利权)人：宁波敏泰光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：