抑制电极以及离子注入机制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种抑制电极，该抑制电极包括一入射板，所述入射板包括至少三个入射板电极以及一入射板孔，所述至少三个入射板电极旋转排列形成所述入射板孔，每一所述入射板电极分别连接一可调电压。本实用新型专利技术还提供一种包含上述抑制电极的离子注入机。在所述抑制电极中，当离子注入机的电弧腔所产生的离子被吸引流入所述入射板孔，通过调整每一所述入射板电极所连接的可调电压的电压大小，改变所述入射板孔内的电场方向，从而改变所述离子的流动方向，使得流过所述入射板孔后形成的离子束流的方向具有可控性。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术揭示了一种抑制电极，该抑制电极包括一入射板，所述入射板包括至少三个入射板电极以及一入射板孔，所述至少三个入射板电极旋转排列形成所述入射板孔，每一所述入射板电极分别连接一可调电压。本技术还提供一种包含上述抑制电极的离子注入机。在所述抑制电极中，当离子注入机的电弧腔所产生的离子被吸引流入所述入射板孔，通过调整每一所述入射板电极所连接的可调电压的电压大小，改变所述入射板孔内的电场方向，从而改变所述离子的流动方向，使得流过所述入射板孔后形成的离子束流的方向具有可控性。【专利说明】
本技术涉及半导体分析
，特别是涉及一种抑制电极以及离子注入 机。 抑制电极以及离子注入机
技术介绍
在半导体工艺制造过程中，需要采用离子注入机，在半导体材料的预定区域中掺 杂预先确定浓度的杂质离子，从而改变该区域中的电传输特性。 -般的，离子注入机的电弧腔用于产生离子，然而，从电弧腔中激发出来的离 子的方向是散乱的，无法形成离子束，所以，需要在电弧腔的外沿设置一个抑制电极 (suppression electrode),将电弧腔产生离子吸引并整流为均具有特定方向的离子束流。 图1、图2为现有技术中抑制电极的示意图，如图1所示，在现有技术中，抑制电极 1为具有一定厚度的板，抑制电极1中具有一缝隙11，抑制电极1具有一入射面la。如图3 所示，向抑制电极1施加电压，电弧腔产生的离子20从入射面la进入缝隙11，部分离子20 穿过缝隙11后，而完成整流过程，形成具有特定方向的离子束流20'。 然而，在现有技术中，抑制电极1只能对离子束流的形状进行调整，无法调整离子 束流的方向。如图4所示，当离子20非垂直入射面流入缝隙11时，穿过缝隙11的离子20 保持原来的流动方向，造成离子束流20'的方向不具有可控性。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种抑制电极以及离子注入机，能够精确地控制离 子束流的方向。 为解决上述技术问题，本技术提供一种抑制电极，所述抑制电极包括一入射 板，所述入射板包括至少三个入射板电极以及一入射板孔，所述至少三个入射板电极旋转 排列形成所述入射板孔，每一所述入射板分别连接一可调电压。 可选的，在所述抑制电极中，所有的所述入射板为半径相等的扇形板，每一扇形板 的圆心处均具有一缺角，所有的所述扇形板排列为一圆形板，所有的所述缺角形成所述入 射板孔。 可选的，在所述抑制电极中，所述入射板包括四个所述入射板。 可选的，在所述抑制电极中，所有的所述扇形的圆心角的角度均相同。 可选的，在所述抑制电极中，相邻的所述入射板间隔设置，所述间隔的宽度为 1mm ?5mm η 可选的，在所述抑制电极中，所述入射板的厚度为1mm?5mm。 可选的，在所述抑制电极中，所述抑制电极还包括： 后板，所述后板包括一后板孔，所述后板孔正对所述入射板孔；以及 用于连接固定所述入射板和后板的绝缘连接件。 可选的，在所述抑制电极中，所述后板孔为圆角矩形。 可选的，在所述抑制电极中，所述后板孔的宽度为3mm?8mm，所述后板孔的长度 为 40mm ?55mm。 可选的，在所述抑制电极中，所述入射板孔为椭圆形，所述椭圆形的长轴方向对应 所述圆角矩形的长度方向，所述椭圆形的短轴方向对应所述圆角矩形的宽度方向。 可选的，在所述抑制电极中，所述入射板孔的短轴直径大于等于所述后板孔的宽 度，并小于等于所述后板孔的两倍宽度。 可选的，在所述抑制电极中，所述后板还包括一后板电极和一用于支撑所述后板 电极的后板支架，所述后板孔设置于所述后板电极中，所述后板电极设置于所述后板支架 中。 可选的，在所述抑制电极中，所述绝缘连接件连接所述后板支架。 可选的，在所述抑制电极中，所述绝缘连接件包括多个实心棒，所述实心棒的一端 连接所述入射板，所述实心棒的另一端连接所述后板。 可选的，在所述抑制电极中，所述后板的厚度为5mm?15mm。 可选的，在所述抑制电极中，所述入射板与后板之间的距离为30mm?80mm。 根据本技术的另一面，本技术还提供一种离子注入机，包括如上所述的 任意一种抑制电极。 与现有技术相比，本技术提供的抑制电极以及离子注入机具有以下优点： 在本技术提供的抑制电极以及离子注入机中，所述抑制电极包括一入射板， 所述入射板包括至少三个入射板电极以及一入射板孔，所述至少三个入射板电极旋转排列 形成所述入射板孔，每一所述入射板分别连接一可调电压，与现有技术相比，电弧腔产生的 离子被吸引流入所述入射板孔，通过调整每一所述入射板电极所连接的可调电压的电压大 小，改变所述入射板孔内的电场方向，从而改变所述离子的流动方向，使得流过所述入射板 孔后形成的离子束流的方向具有可控性。 【专利附图】【附图说明】 图1为现有技术中抑制电极的立体图； 图2为现有技术中抑制电极的主视图； 图3为现有技术中离子垂直入射面流入缝隙时抑制电极的左视图； 图4为现有技术中离子非垂直入射面流入缝隙时抑制电极的左视图； 图5为本技术一实施例中抑制电极的立体图； 图6为本技术一实施例中抑制电极的主视图； 图7为本技术一实施例中抑制电极的左视图； 图8为本技术一实施例中抑制电极的后视图； 图9为本技术一实施例中离子以偏转角度流动时抑制电极的左视图。 【具体实施方式】 下面将结合示意图对本技术的抑制电极以及离子注入机进行更详细的描述， 其中表示了本技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实 用新型，而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术 人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。 为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能 和结构，因为它们会使本技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例 的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商 业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和 耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。 在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本技术。根据下面说明和权 利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且 均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。 本技术的核心思想在于，提供一种抑制电极，所述抑制电极包括一入射板，所 述入射板包括至少三个入射板电极以及一入射板孔，所述至少三个入射板电极旋转排列形 成所述入射板孔，每一所述入射板电极分别连接一可调电压。当离子注入机的电弧腔所产 生的离子被吸引流入所述入射板孔，通过调整每一所述入射板电极所连接的可调电压的电 压大小，改变所述入射板孔内的电场方向，从而改变所述离子的流动方向，使得流过所述入 射板孔后形成的离子束流的方向具有可控性。 以下结合图5-图8说明本实施例中的抑制电极。其中，图5为本技术一实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抑制电极，其特征在于，所述抑制电极包括一入射板，所述入射板包括至少三个入射板电极以及一入射板孔，所述至少三个入射板电极旋转排列形成所述入射板孔，每一所述入射板电极分别连接一可调电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓，栗保安，刘群超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11