【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术揭示了一种抑制电极，该抑制电极包括一入射板，所述入射板包括至少三个入射板电极以及一入射板孔，所述至少三个入射板电极旋转排列形成所述入射板孔，每一所述入射板电极分别连接一可调电压。本技术还提供一种包含上述抑制电极的离子注入机。在所述抑制电极中，当离子注入机的电弧腔所产生的离子被吸引流入所述入射板孔，通过调整每一所述入射板电极所连接的可调电压的电压大小，改变所述入射板孔内的电场方向，从而改变所述离子的流动方向，使得流过所述入射板孔后形成的离子束流的方向具有可控性。【专利说明】
本技术涉及半导体分析
，特别是涉及一种抑制电极以及离子注入 机。 抑制电极以及离子注入机
技术介绍
在半导体工艺制造过程中，需要采用离子注入机，在半导体材料的预定区域中掺 杂预先确定浓度的杂质离子，从而改变该区域中的电传输特性。 -般的，离子注入机的电弧腔用于产生离子，然而，从电弧腔中激发出来的离 子的方向是散乱的，无法形成离子束，所以，需要在电弧腔的外沿设置一个抑制电极 (suppression electrode),将电弧腔产生离子...
【技术保护点】
一种抑制电极，其特征在于，所述抑制电极包括一入射板，所述入射板包括至少三个入射板电极以及一入射板孔，所述至少三个入射板电极旋转排列形成所述入射板孔，每一所述入射板电极分别连接一可调电压。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓，栗保安，刘群超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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