【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种离子注入装置,其特征在于,所述离子注入装置包括:离子源,当将离子束的行进方向定为Z方向并将与所述Z方向实际上垂直的两个方向定为X方向和Y方向时,该离子源产生X方向的尺寸比Y方向的尺寸大的带状离子束;质量分析磁铁,在内部具有至少一个螺线管线圈,通过由所述螺线管线圈产生的磁场使所述离子束偏转;以及分析狭缝,仅使通过了所述质量分析磁铁的所述离子束中的、含有所希望的离子的离子束通过,在XZ平面上,由所述螺线管线圈产生的磁场的方向与入射进所述质量分析磁铁的所述离子束的行进方向倾斜交叉。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:井内裕,
申请(专利权)人:日新离子机器株式会社,
类型:发明
国别省市:
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