【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在等离子体生成容器内形成封闭磁场的离子源。
技术介绍
1、作为在等离子体生成容器内形成用于封闭带电粒子的封闭磁场的离子源，有专利文献1所公开的离子源。该离子源具备用于在平板显示器制造工序等中使用的离子注入装置、长方体形状的等离子体生成容器、以及从等离子体生成容器的角部插入等离子体生成容器的内部的灯丝。此外，在等离子体生成容器的外侧配置有多个永久磁铁，该多个永久磁铁形成用于封闭在等离子体生成容器的内部空间生成的离子的封闭磁场。在该离子源中，在构成等离子体生成容器的各侧壁和后壁分别各配置有三个永久磁铁。在专利文献1的图5中公开了通过该磁铁的配置形成等离子体生成容器的内部空间中的封闭磁场的磁场分布。
2、在专利文献1的离子源中，由于发射电子的灯丝配置在等离子体生成容器的内部空间的中央附近，因此该中央附近的区域中的等离子体密度比其他区域高。另一方面，在该磁场分布中，形成有从等离子体生成容器的内部空间的中央附近朝向侧壁的方向的磁场。因此，在中央区域生成的等离子体中的离子中的一部分被该磁场捕捉而移动，由此与侧壁碰撞而消失。即，在专利文献1所公开的磁铁的配置中，存在如下问题：在等离子体生成容器的内部空间的中央区域生成的等离子体中包含的离子的一部分与侧壁碰撞而消失，由此导致离子束的引出效率降低。
3、专利文献1：日本专利公开公报特开2011-228044
技术实现思路
1、本专利技术是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种与现有的离子源相比能够提高离子束
2、本专利技术的离子源，具备：等离子体生成容器，具有生成等离子体的内部空间；电子发射部件，配置在所述内部空间，具有发射电子的电子发射部；以及磁场形成单元，在所述内部空间形成封闭磁场，所述离子源从所述内部空间通过形成在所述等离子体生成容器的引出开口向一个方向引出离子束，
3、所述磁场形成单元以从所述电子发射部到所述引出开口而磁场的朝向与所述一个方向一致的方式形成所述封闭磁场。
4、根据该结构，在等离子体生成容器的内部空间，以从电子发射部件的电子发射部到等离子体生成容器的引出开口而磁场的朝向与一个方向一致的方式形成封闭磁场。
5、因此，从与内部空间的其他区域相比生成更多的等离子体的电子发射部附近的区域到引出开口，磁场的朝向与一个方向一致，因此，所生成的等离子体中的离子与等离子体生成容器碰撞而消失的概率与以往相比变低。其结果，所生成的离子作为离子束被引出到等离子体生成容器的外部的概率变高。即，与以往相比，从等离子体生成容器引出的离子束的引出效率提高。
6、此外，本专利技术的离子源也可以为如下结构：所述等离子体生成容器具有：前壁，具有所述引出开口；后壁，与所述前壁对置；一对侧壁，将所述前壁与所述后壁连结；以及一对底壁，将所述前壁与所述后壁连结，所述磁场形成单元具备：第一侧壁磁铁，是在各所述侧壁的外侧在所述一个方向上位于比所述电子发射部靠所述前壁侧的永久磁铁；以及后壁磁铁，是配置在所述后壁的外侧的一个或多个永久磁铁。
7、此外，本专利技术的离子源也可以为如下结构：所述磁场形成单元还具备第二侧壁磁铁，所述第二侧壁磁铁是在各所述侧壁的外侧在所述一个方向上位于比所述第一侧壁磁铁靠所述后壁侧的永久磁铁。
8、此外，在本专利技术的离子源中，也可以为如下结构：所述等离子体生成容器具有：前壁，具有所述引出开口；以及后壁，与所述前壁对置，所述磁场形成单元具备：一个或多个后壁磁铁，配置在所述后壁的外侧；以及电磁铁，配置在所述等离子体生成容器的外部，在所述内部空间形成朝向所述一个方向的磁场。
9、根据该结构，通过电磁铁，能够容易地在电子发射区域形成朝向与一个方向一致的磁场。
10、根据本专利技术的离子源，与现有的离子源相比，能够提高离子束的引出效率。
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1.一种离子源，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的离子源，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的离子源，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的离子源，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种离子源，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的离子源，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：宇井利昌，
申请(专利权)人：日新离子机器株式会社，
类型：发明
国别省市：
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