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图像传感器芯片制造技术

技术编号:40178445 阅读:7 留言:0更新日期:2024-01-26 23:45
一种半导体封装件包括封装基板、位于所述封装基板上的图像传感器芯片、位于所述图像传感器芯片上的透明基板以及位于所述图像传感器芯片的边缘上并且位于所述图像传感器芯片与所述透明基板之间的坝结构。所述图像传感器芯片包括:半导体基板,包括像素阵列区域和在所述像素阵列区域周围的焊盘区域,所述像素阵列区域包括光接收区域和位于所述光接收区域与所述焊盘区域之间的光阻挡区域;滤色器,位于所述半导体基板的所述光接收区域上;光阻挡图案,位于所述半导体基板的所述光阻挡区域上;微透镜,位于所述滤色器上;以及透镜结构,位于所述光阻挡图案上并且围绕所述光接收区域。所述坝结构可以位于所述透镜结构的至少一部分上。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体封装件,并且更具体地,涉及包括图像传感器芯片的半导体封装件。


技术介绍

1、诸如电荷耦合器件(ccd)图像传感器和/或互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器之类的图像传感器可以应用于各种电子产品,诸如移动电话、数字相机、光学鼠标、监控相机和生物识别装置。随着正在开发小型和多功能电子产品,可能需要包括图像传感器的半导体封装件具有优异的特性,诸如小尺寸、高密度、低功率、多功能性、高速数据处理、高可靠性、低成本和清晰的图像质量。已经研究了用于满足这些要求的各种技术。


技术实现思路

1、本专利技术构思的实施例可以提供具有小尺寸和改善的可靠性的图像传感器芯片以及包括该图像传感器芯片的半导体封装件。

2、在一方面,一种半导体封装件可以包括封装基板、位于所述封装基板上的图像传感器芯片、位于所述图像传感器芯片上的透明基板以及位于所述图像传感器芯片的边缘上并且位于所述图像传感器芯片与所述透明基板之间的坝结构。所述图像传感器芯片可以包括:半导体基板,所述半导体基板包括像素阵列区域和在所述像素阵列区域周围的焊盘区域,所述像素阵列区域包括光接收区域和位于所述光接收区域与所述焊盘区域之间的光阻挡区域;滤色器,所述滤色器位于所述半导体基板的所述光接收区域上;光阻挡图案,所述光阻挡图案位于所述半导体基板的所述光阻挡区域上;微透镜,所述微透镜位于所述滤色器上;以及透镜结构,所述透镜结构位于所述光阻挡图案上并且围绕所述光接收区域。所述坝结构可以位于所述透镜结构的至少一部分上。

3、在一方面,一种半导体封装件可以包括:封装基板,所述封装基板包括接合焊盘;图像传感器芯片,所述图像传感器芯片位于所述封装基板上并且包括通过接合引线连接到所述接合焊盘的导电焊盘;透明基板,所述透明基板位于所述图像传感器芯片上;以及坝结构,所述坝结构在所述图像传感器芯片与所述透明基板之间位于所述图像传感器芯片的边缘上,并且覆盖所述导电焊盘。所述图像传感器芯片还可以包括:半导体基板,所述半导体基板包括像素阵列区域和在所述像素阵列区域周围的焊盘区域,所述像素阵列区域包括光接收区域和位于所述光接收区域与所述焊盘区域之间的光阻挡区域;光电转换元件,所述光电转换元件位于所述半导体基板的所述像素阵列区域中;滤色器,所述滤色器位于所述半导体基板的所述光接收区域上;光阻挡图案,所述光阻挡图案位于所述半导体基板的所述光阻挡区域上;微透镜,所述微透镜位于所述滤色器上;至少两个透镜条图案,所述至少两个透镜条图案位于所述光阻挡图案上并且围绕所述光接收区域;上平坦化层,所述上平坦化层位于所述光阻挡图案与所述透镜条图案之间以及所述微透镜与所述滤色器之间;以及钝化层,所述钝化层覆盖所述微透镜的表面和所述透镜条图案的表面。所述坝结构可以位于所述至少两个透镜条图案的至少一部分上。

4、在一方面,一种图像传感器芯片可以包括:半导体基板,所述半导体基板包括像素阵列区域和在所述像素阵列区域周围的焊盘区域,所述像素阵列区域包括光接收区域和位于所述光接收区域与所述焊盘区域之间的光阻挡区域;光电转换元件,所述光电转换元件位于所述半导体基板的所述像素阵列区域中;滤色器,所述滤色器位于所述半导体基板的所述光接收区域上;光阻挡图案,所述光阻挡图案位于所述半导体基板的所述光阻挡区域上;微透镜,所述微透镜位于所述滤色器上;以及透镜结构,所述透镜结构位于所述光阻挡图案上并且围绕所述半导体基板的所述光接收区域。所述透镜结构可以包括至少两个透镜条图案。

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【技术保护点】

1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述透镜结构包括具有围绕所述光接收区域的连续形状的至少两个透镜条图案。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述至少两个透镜条图案彼此间隔开。

4.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,每个所述透镜条图案的宽度基本上等于每个所述微透镜的宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述透镜结构包括:第一透镜条图案,所述第一透镜条图案具有围绕所述光接收区域的连续形状;以及第二透镜条图案,所述第二透镜条图案包括彼此间隔开并且围绕所述光接收区域布置的子透镜条图案。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件,其中,所述子透镜条图案与所述第一透镜条图案以基本上相等的距离间隔开。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述透镜结构包括与所述微透镜相同的材料。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述坝结构位于所述焊盘区域和一部分所述光阻挡区域上。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述坝结构在所述焊盘区域上的厚度不同于所述坝结构在所述光阻挡区域上的厚度。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:

11.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:

12.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:

13.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

14.根据权利要求13所述的半导体封装件,其中,至少一个所述透镜条图案具有围绕所述光接收区域的连续的矩形或正方形形状。

15.根据权利要求13所述的半导体封装件,其中,所述至少两个透镜条图案包括与所述微透镜相同的材料。

16.根据权利要求13所述的半导体封装件,其中,至少一个所述透镜条图案包括彼此间隔开并且围绕所述光接收区域布置的子透镜条图案。

17.根据权利要求13所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:

18.根据权利要求17所述的半导体封装件,其中,所述坝结构位于所述虚设微透镜上。

19.根据权利要求17所述的半导体封装件,其中,所述坝结构在所述透镜条图案上的厚度小于所述坝结构在所述导电焊盘上的厚度。

20.一种图像传感器芯片,所述图像传感器芯片包括:

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【技术特征摘要】

1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述透镜结构包括具有围绕所述光接收区域的连续形状的至少两个透镜条图案。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述至少两个透镜条图案彼此间隔开。

4.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,每个所述透镜条图案的宽度基本上等于每个所述微透镜的宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述透镜结构包括:第一透镜条图案,所述第一透镜条图案具有围绕所述光接收区域的连续形状;以及第二透镜条图案,所述第二透镜条图案包括彼此间隔开并且围绕所述光接收区域布置的子透镜条图案。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件,其中,所述子透镜条图案与所述第一透镜条图案以基本上相等的距离间隔开。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述透镜结构包括与所述微透镜相同的材料。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述坝结构位于所述焊盘区域和一部分所述光阻挡区域上。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述坝结构在所述焊盘区域上的厚度不同于所述坝结构在所述光阻挡区...

【专利技术属性】
技术研发人员:尹永民
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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