【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第17/866,720号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年7月18日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。特别是有关于一种具有双位元容量的半导体元件及其制备方法。
技术介绍
1、半导体元件使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的制程期间，增加不同的问题，且如此的问题在数量与复杂度上持续增加。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率、效能与可靠度以及降低复杂度方面的挑战。此外，记忆体元件的位元容量亦有待提高。
2、上文的“先前技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一实施例提供一种半导体基底。该半导体基底包括一第一主动区以及邻近该第一主动区的一绝缘层。该第一主动区包括一第一子主动区、一第二子主动区、一第一分离通道，该第一分离通道将该第一子主动区与该第二子主动区分开。该第一分离通道的一深度大致相同于该绝缘层的一厚度。
2、本公开的另一实施例提供一种半导体元件。该半导体元件包括一半导体基底、一沟槽以及设置在该沟槽内的一字元线结构。该半导体基底具有一第一主动区以及一绝缘层。该第一主动区具有一第一子主动区、一第二子主动区以及一第一分离通道，该第一分离通
3、在一些实施例中，该字元线结构的一厚度大致相同于该绝缘层的一厚度。
4、在一些实施例中，借由该第一分离通道与该绝缘层而界定出该第一子主动区。
5、在一些实施例中，借由该第一分离通道与该绝缘层而界定出该第二子主动区。
6、在一些实施例中，该第一主动区具有至少一拐角，且该至少一拐角是有角度的。
7、在一些实施例中，该至少一拐角是一直角。
8、在一些实施例中，该至少一拐角是一钝角。
9、在一些实施例中，该第一主动区具有一第一拐角以及一第二拐角，该第二拐角邻近该第一拐角设置，且该第一拐角与该第二拐角是对称的。
10、在一些实施例中，该第一主动区具有一掺杂区。
11、在一些实施例中，该第一子主动区包括一第一掺杂区，且该第二子主动区包括一第二掺杂区。
12、在一些实施例中，该半导体基底还包括一第二主动区，包括一第三子主动区、一第四子主动区以及一第二分离通道，该第二分离通道将该第三子主动区与该第四子主动区分开。
13、在一些实施例中，该沟槽与该第一主动区的该第一子主动区以及该第二子主动区以及该第二主动区的该第三子主动区以及该第四子主动区相交。
14、本公开的另一实施例提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一半导体基底；借由相对应的微影操作而将多个主动区界定在该半导体基底中；形成一绝缘层在该半导体基底中以围绕该多个主动区；以及借由相对应的微影操作对每一个主动区界定出一第一子主动区以及一第二子主动区，以及移除每一个主动区的一部分以形成每一个主动区的一分离通道。该分离通道的一深度大致相同于该绝缘层的一厚度。
15、在一些实施例中，该移除操作包括一蚀刻操作，其中该多个主动区的该等分离通道的深度之间的一深度偏移介于0到25％之间。
16、在一些实施例中，该多个主动区的该等分离通道的深度之间的该深度偏移介于0到15％之间。
17、在一些实施例中，该多个主动区的该等分离通道的深度之间的一深度偏移介于0到5％之间。
18、在一些实施例中，该多个主动区的该等分离通道的深度之间的一深度偏移大致为0。
19、在一些实施例中，在形成一绝缘层之后，在该多个主动区上执行一离子植入操作。
20、在一些实施例中，所形成的每一个主动区具有至少一拐角，且该至少一拐角是有角度的。
21、在一些实施例中，该至少一拐角是一直角。
22、在一些实施例中，该至少一拐角是一钝角。
23、借由相对应的微影操作以界定多个主动区并对每一个主动区界定出一第一子主动区以及一第二子主动区，可有助于形成该主动区的一双位元容量。可获得用于蚀刻操作的一更大裕度(window)。
24、此外，由于在蚀刻操作期间没有过度蚀刻发生，因此可以增加每一个主动区的一上表面积。因此，可以控制该分离通道的该深度，以使其大致相同于该绝缘层的该厚度。
25、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
【技术保护点】
1.一种半导体基底，包括：
2.如权利要求1所述的半导体基底，其中该第一主动区被该绝缘层所围绕。
3.如权利要求2所述的半导体基底，其中借由该第一分离通道与该绝缘层而界定出该第一子主动区。
4.如权利要求2所述的半导体基底，其中该第一分离通道与该绝缘层界定出该第二子主动区。
5.如权利要求1所述的半导体基底，其中该第一主动区具有至少一拐角，且该至少一拐角是有角度的。
6.如权利要求5所述的半导体基底，其中该至少一拐角是一直角。
7.如权利要求5所述的半导体基底，其中该至少一拐角是一钝角。
8.如权利要求5所述的半导体基底，其中该第一主动区具有一第一拐角以及一第二拐角，该第二拐角邻近该第一拐角设置，且该第一拐角与该第二拐角是对称的。
9.如权利要求1所述的半导体基底，其中该第一主动区具有一掺杂区。
10.如权利要求9所述的半导体基底，其中该第一子主动区包括一第一掺杂区，且该第二子主动区包括一第二掺杂区。
11.如权利要求10所述的半导体基底，其中该第一掺杂区的一上
12.如权利要求11所述的半导体基底，其中该第一掺杂区的该上表面与该绝缘层的一上表面大致呈共面。
13.如权利要求1所述的半导体基底，其中该第一主动区具有一矩形形状。
14.如权利要求1所述的半导体基底，还包括一第二主动区，界定在该半导体基底中，该第二主动区包括一第三子主动区、一第四子主动区以及一第二分离通道，该第二分离通道将该第三子主动区与该第四子主动区分开，其中该第一子主动区、该第二子主动区、该第三子主动区以及该第四子主动区具有大致相同的一长度。
15.如权利要求14所述的半导体基底，其中该第一子主动区、该第二子主动区、该第三子主动区以及该第四子主动区具有大致相同的一宽度。
16.如权利要求14所述的半导体基底，其中该第一子主动区、该第二子主动区、该第三子主动区以及该第四子主动区具有大致相同的一高度。
17.如权利要求14所述的半导体基底，其中该第一子主动区、该第二子主动区、该第三子主动区以及该第四子主动区具有大致相同的一上表面积。
18.一种半导体元件，包括：
19.如权利要求18所述的半导体元件，其中该字元线结构的一厚度小于该绝缘层的一厚度。
20.一种半导体元件的制备方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体基底，包括：
2.如权利要求1所述的半导体基底，其中该第一主动区被该绝缘层所围绕。
3.如权利要求2所述的半导体基底，其中借由该第一分离通道与该绝缘层而界定出该第一子主动区。
4.如权利要求2所述的半导体基底，其中该第一分离通道与该绝缘层界定出该第二子主动区。
5.如权利要求1所述的半导体基底，其中该第一主动区具有至少一拐角，且该至少一拐角是有角度的。
6.如权利要求5所述的半导体基底，其中该至少一拐角是一直角。
7.如权利要求5所述的半导体基底，其中该至少一拐角是一钝角。
8.如权利要求5所述的半导体基底，其中该第一主动区具有一第一拐角以及一第二拐角，该第二拐角邻近该第一拐角设置，且该第一拐角与该第二拐角是对称的。
9.如权利要求1所述的半导体基底，其中该第一主动区具有一掺杂区。
10.如权利要求9所述的半导体基底，其中该第一子主动区包括一第一掺杂区，且该第二子主动区包括一第二掺杂区。
11.如权利要求10所述的半导体基底，其中该第一掺杂区的一上表面与该第二掺杂区的一上表面大致呈共面。
12.如权利要求11所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖映洁，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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