【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思的各方面涉及一种原子层蚀刻(ale)设备和ale方法，并且更具体地，涉及一种能够根据阶段在不同温度下执行ale工艺的ale设备和ale方法。
技术介绍
1、随着半导体衬底上的结构的几何形状持续地缩小以及结构的类型演变，蚀刻挑战在不断地增加。用于解决该问题的技术是ale。在这里，ale通常可以指用于以原子精度蚀刻材料层的技术。例如，可以通过ale一次去除一个或多个单层。通常来说，可以通过化学改性待蚀刻的表面然后选择性地去除改性层来执行ale工艺。
技术实现思路
1、本专利技术构思的各方面提供了一种能够在原子层蚀刻(ale)工艺期间根据工艺操作提供不同温度的ale方法。
2、本专利技术构思的各方面还提供一种ale设备，该设备能够在ale工艺期间通过在对表面进行改性的操作中保持低温来形成厚的改性层。
3、另外，通过本专利技术构思的各方面实现的技术目标不限于上述技术目标，并且本领域的普通技术人员可以从下文的描述清楚地理解其它技术目标。
4、根据本专利技术构思的一方面，提供一种原子层蚀刻(ale)方法，该方法包括：将具有彼此面对的第一表面和第二表面的衬底装载到卡盘上的操作(a)，通过冷却液将衬底冷却到第一温度的操作(b)，通过从位于卡盘上方的喷淋头向衬底喷射第一源气体，通过第一源气体和衬底的第一表面之间发生的反应来在衬底上形成改性层的操作(c)，通过激光束将衬底加热到第二温度的操作(d)，以及通过从喷淋头向衬底的第一表面喷射第二源气体，通过第
5、根据本专利技术构思的一方面，提供了一种原子层蚀刻(ale)方法，该方法包括：将具有彼此面对的第一表面和第二表面的衬底装载到卡盘上的操作(a)；在通过冷却液将衬底冷却到第一温度的同时，通过从位于卡盘上方的喷淋头向衬底喷射第一源气体，通过第一源气体和第一表面之间发生的反应来在衬底上形成改性层的操作(b)；以及在通过激光束将衬底加热到第二温度的同时，通过从喷淋头向衬底的改性层喷射第二源气体，通过第二源气体和衬底的改性层之间发生的反应来去除衬底的改性层。
6、根据本专利技术构思的一方面，提供了一种原子层蚀刻(ale)设备，该设备包括：处理室；卡盘，其被构造为支撑具有彼此面对的第一表面和第二表面的衬底；喷淋头，其位于衬底上方；第一源气体供应器，其被构造为将第一源气体供应至喷淋头；第二源气体供应器，其被构造为将第二源气体供应至喷淋头；激光束供应器，其被构造为将激光束照射到衬底上；以及冷却液供应器，其被构造为将冷却液供应到处理室中。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种原子层蚀刻方法，包括：
2.根据权利要求1所述的原子层蚀刻方法，其中，所述卡盘包括圆环和透明窗，所述透明窗设置在所述圆环的中心孔中，
3.根据权利要求2所述的原子层蚀刻方法，其中，在所述操作(b)中，所述冷却液从所述衬底的一侧流入，并且在所述衬底的上方和下方流动。
4.根据权利要求2所述的原子层蚀刻方法，其中，用于供应所述激光束的激光束供应器位于所述透明窗的下方，并且，
5.根据权利要求4所述的原子层蚀刻方法，其中，透镜设置在所述激光束供应器和所述透明窗之间，并且所述激光束依次穿过所述透镜和所述透明窗并加热所述衬底。
6.根据权利要求1所述的原子层蚀刻方法，其中，重复操作(b)、操作(c)、操作(d)和操作(e)直到所述衬底的目标膜达到设定的厚度。
7.根据权利要求6所述的原子层蚀刻方法，其中，所述目标膜包括金属氧化物膜、金属氮化物膜或高k电介质膜，
8.根据权利要求1所述的原子层蚀刻方法，其中，所述激光束包括具有200nm至1200nm的波长的连续波。
9.根据权利要求1所述
10.根据权利要求1所述的原子层蚀刻方法，其中，所述卡盘在其中包括冷却液流动管道，并且，
11.根据权利要求10所述的原子层蚀刻方法，其中，在所述操作(b)中，所述冷却液在所述卡盘的所述冷却液流动管道中流动以冷却所述衬底。
12.根据权利要求1所述的原子层蚀刻方法，其中，用于供应所述激光束的激光束供应器位于所述衬底的上方，并且，
13.根据权利要求12所述的原子层蚀刻方法，其中，在所述操作(d)中，所述衬底通过各自供应激光束的多个激光束供应器加热。
14.一种原子层蚀刻方法，包括：
15.根据权利要求14所述的原子层蚀刻方法，其中，重复操作(b)和操作(c)直到所述衬底的目标膜达到设定的厚度，
16.根据权利要求14所述的原子层蚀刻方法，其中，所述第一温度为从50℃至90℃，并且
17.根据权利要求14所述的原子层蚀刻方法，其中，所述激光束包括具有200nm至1200nm的波长的连续波。
18.一种原子层蚀刻设备，包括：
19.根据权利要求18所述的原子层蚀刻设备，其中，所述处理室包括冷却液入口和冷却液出口，
20.根据权利要求18所述的原子层蚀刻设备，其中，所述卡盘在其中包括冷却液流动管道，
...【技术特征摘要】
1.一种原子层蚀刻方法，包括：
2.根据权利要求1所述的原子层蚀刻方法，其中，所述卡盘包括圆环和透明窗，所述透明窗设置在所述圆环的中心孔中，
3.根据权利要求2所述的原子层蚀刻方法，其中，在所述操作(b)中，所述冷却液从所述衬底的一侧流入，并且在所述衬底的上方和下方流动。
4.根据权利要求2所述的原子层蚀刻方法，其中，用于供应所述激光束的激光束供应器位于所述透明窗的下方，并且，
5.根据权利要求4所述的原子层蚀刻方法，其中，透镜设置在所述激光束供应器和所述透明窗之间，并且所述激光束依次穿过所述透镜和所述透明窗并加热所述衬底。
6.根据权利要求1所述的原子层蚀刻方法，其中，重复操作(b)、操作(c)、操作(d)和操作(e)直到所述衬底的目标膜达到设定的厚度。
7.根据权利要求6所述的原子层蚀刻方法，其中，所述目标膜包括金属氧化物膜、金属氮化物膜或高k电介质膜，
8.根据权利要求1所述的原子层蚀刻方法，其中，所述激光束包括具有200nm至1200nm的波长的连续波。
9.根据权利要求1所述的原子层蚀刻方法，其中，所述第一温度是从50℃至90℃，并且
10.根据权利要求1所述的原子...
【专利技术属性】
技术研发人员：辛承敃，金浚永，朴基钟，宋善重，蔡升澈，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。