用于碳注入的氢助气制造技术

提供的是用于增加离子注入器中的离子源寿命的系统、设备和方法。通过采用氢助气控制由含碳和氧的源气导致的离子源氧化和离子源室中毒，所述氢助气与自由氧原子反应以形成氢氧化物和水。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于碳注入的氢助气专利
本专利技术一般地涉及半导体装置制造和离子注入，并且尤其涉及提高离子注入器中的离子源的性能和延长所述离子源的寿命的方法。专利技术背景离子注入是在半导体装置制造中为将掺杂物选择性地注入至半导体和/或晶片材料中采用的物理过程。因此，注入的过程不依赖掺杂物与半导体材料之间的化学相互作用。为了离子注入，将掺杂物原子/分子离子化、加速、形成束、解析、扫过晶片，或者将晶片扫过此束。掺杂物离子物理轰击晶片、进入表面并且停留在表面之下，位于与离子的能量相关的深度。参见图1，系统100包括用于沿束路径产生离子束的离子源102。束线组件110设置在离子源102的下游以从其接收该束。束线系统110可以包括(未显示)质量解析器、加速结构，所述加速结构可以包括，例如，一或更多个间隙，以及角度能量过滤器。束线组件110位于沿所述路径之处以接收该束。质量解析器包括场生成构件，如磁铁，并且操作为提供跨越束路径的场，如此以根据质量(例如，电荷质量比)以使离子在不同的轨道从离子束偏离。经过磁场的离子经历力的作用，其将所需质量的个别离子沿束路径引导，并且将不想要质量的离子偏折离开束路径。处理室1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.11.17 US 12/948,3691.一种用于改善束电流的离子注入系统，所述离子注入系统包括：离子源组件，所述离子源组件包括含碳源气和相关的气流控制器、氢助气和相关的气流控制器以及离子源室；束线组件，所述束线组件从所述离子源接收离子束并且处理所述离子束；以及标靶位置，所述标靶位置从所述束线组件接收所述离子束；其中，来自所述氢助气的氢离子与来自所述源气的氧原子反应，以减少室中毒并增加离子源寿命，并且其中所述离子注入系统进一步包括真空泵系统，以从所述离子源室移除水分子和氢氧化物，并且其中所述离子注入系统还包括用于通过在离子注入器的操作过程中的束组成的分析决定引入所述离子源室的助气的量的工具。2.如权利要求1所述的系统，其中所述含碳源气包含二氧化碳或一氧化碳。3.如权利要求1所述的系统，其中将所述含碳源气和所述氢助气同时引入至所述离子源室中。4.如权利要求1所述的系统，其中将所述含碳源气和所述氢助气依序引入至所述离子源室中。5.如权利要求2所述的系统，其中将所述含碳源气和所述助气在引入至所述离子源室中之前预先混合。6.一种用于提高离子注入器中的离子源的性能的设备，所述设备包括：源气控制器，所述源气控制器控制含碳源气至离子源室的供应和速率；以及助气控制器，所述助气控制器控制来自氢气源的氢助气至所述离子源室的供应和速率；其中来自所述氢助气的氢离子与来自所述源气的氧原子反应，以减少室中毒并增加离子源寿命，并且其中所述设备进一步包括真空泵系统，以从所述离子源室移除水分子和氢氧化物，其中所述设备还包括用于通过在所述离子注入器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：奈尔·卡尔文，谢泽仁，
申请(专利权)人：艾克塞利斯科技公司，
类型：
国别省市：