使用射束阻挡器执行工件的图案化植入制造技术

离子束阻挡器单元(216)中的阻挡器(300)选择性地阻挡或修整离子束(212)。在一例中，离子束具有第一电流区和第二电流区。这些电流区可能不相等。然后离子束被植入工件(213)，以形成具有不同剂量的区域。工件可以被扫描，以使工件的整个表面被植入。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及图案化植入，且更具体地说，是使用射束阻挡器的图案化植入。
技术介绍
离子植入是用来将电导改变杂质引入工件的标准技术。一个所要的杂质材料在离子源中被离子化，离子被加速以形成指定能量的离子束，且离子束被导引至工件的表面处。射束中的高能离子穿透工件材料主体，并被嵌入工件材料的晶格中，以形成具有所要的导电性的区域。在一例中，带状离子束被用来植入工件。带状离子束的横截面具有长尺寸(longdimension)和短尺寸(shor dimension)。举例来说,长尺寸可指涉宽度或x_方向，虽然其他方向也是可能的。带状离子束可使用平行透镜(parallelizing lens)来形成或可为扫描点束。太阳能电池为使用硅工件的装置的一例。对任何高效能太阳能电池生产或制造的成本降低，或对任何高效能太阳能电池的效率增进，将可能对全世界太阳能电池的实施有正面的影响，并将使这种洁净能源技术具更广泛的可利用性。太阳能电池有很多不同的结构，两种常见的设计为:选择性射极(SE)和交叉背侧接触件(IBC)。选择性射极太阳能电池在被阳光照射的轻度掺杂表面遍布有高剂量条带(high-dose stripe本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔·迪斯塔苏，罗素·J·洛，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：
国别省市：