等离子体加工装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种等离子体加工装置，用于在基片连续加工设备中加工至少一个平坦的基片，其中该等离子体加工装置具有：至少一个基片承载电极，放置在该基片承载电极上的基片可以被输送通过该基片连续加工设备，并且该基片承载电极对接地电位是直流绝缘的；一个平面式构成的高频电极，该高频电极上施加有交流电压并且设置在放置于该基片承载电极上的至少一个基片之上的一个间距处；一个罐形地在该基片承载电极之上构成的暗室屏蔽物，其中该罐形暗室屏蔽物的开口区域与该至少一个基片对齐，并且该罐形暗室屏蔽物具有一个使该暗室屏蔽物向外展宽的边缘，该边缘紧密地安排在该基片承载电极之上并且平行于其表面安排，并且其中在该等离子体加工装置运行时，在该基片承载电极或（一个或多个）基片、高频电极与暗室屏蔽物之间设有一个等离子体室，用于形成一个低压等离子体；至少一个在背侧上且平行于该基片承载电极安排的、导电的第二电极；以及一个气体供应装置，用于在该等离子体室中引入处理气体。本发明专利技术的目的是，以尽可能低的技术耗费如下地扩展上述技术类型的等离子体加工装置：在限定的基片传输和有利的气体送入和排出的情况下，即使对大面积的基片或者带有许多单独基片的基片载体也可以有从等离子体室发出的离子与基片表面的高能量交互作用。该目的通过一上述类型的等离子体加工装置实现，其中该第二电极是一个处于接地电位的接地电极，其中该基片承载电极可以电容性地偶合在该接地电极上，并且该气体供应装置具有至少一个设置在该高频电极和/或暗室屏蔽物中的气体入口和至少一个设置在该暗室屏蔽物中的气体出口。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体加工装置本专利技术涉及一种等离子体加工装置，用于在基片连续加工设备中加工至少一个平坦的基片，其中该等离子体加工装置具有:至少一个基片承载电极，放置在该基片承载电极上的基片可以被输送通过该基片连续加工设备，并且该基片承载电极对接地电位是直流绝缘的；一个平面式构成的高频电极，该高频电极上施加有交流电压并且设置在放置于该基片承载电极上的至少一个基片之上一间距处；一个罐形地在该基片承载电极之上构成的暗室屏蔽物，其中该罐形暗室屏蔽物的开口区域与该至少一个基片对齐，并且该罐形暗室屏蔽物具有一个使该暗室屏蔽物向外展宽的边缘，该边缘紧密地安排在该基片承载电极之上并且平行于其表面安排，并且其中在该等离子体加工装置运行时，在该基片承载电极或(一个或多个)基片、高频电极与暗室屏蔽物之间设有一个等离子体室，用于形成一个低压等离子体；至少一个在背侧上且平行于该基片承载电极安排的、导电的第二电极；以及一个气体供应装置，用于在该等离子体室中引入处理气体。对表面的大面积等离子体加工在当今的工业制造中得到了很高的评价并且在将来会有越来越重要的意义。举例来说，等离子体技术譬如有等离子体蚀刻、等离子体预处理、或者等本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·迈，P·沃尔夫，H·施勒姆，
申请(专利权)人：德国罗特·劳股份有限公司，
类型：
国别省市：